技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)一種偶極子天線中的具備SiO2保護(hù)層的SPiN二極管的制備方法，其中，所述可重構(gòu)偶極子天線包括：SOI襯底、第一天線臂、第二天線臂和同軸饋線；所述第一天線臂和第二天線臂包括多個(gè)具備SiO2保護(hù)層的SPiN二極管串，所述SiO2保護(hù)層的SPiN二極管串由依次首尾相連的SiO2保護(hù)層的SPiN二極管構(gòu)成，所述具備SiO2保護(hù)層的SPiN二極管的制造方法包括：選取SOI襯底；形成有源區(qū)溝槽；對(duì)所述有源區(qū)溝槽利用原位摻雜工藝分別淀積P型Si材料和N型Si材料形成P區(qū)和N區(qū)；光刻引線孔并金屬化處理以形成所述具備SiO2保護(hù)層的SPiN二極管；本發(fā)明提供的具備SiO2保護(hù)層的SPiN二極管可用于高性能可重構(gòu)偶極子天線的制備。

技術(shù)研發(fā)人員：尹曉雪;張亮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安科銳盛創(chuàng)新科技有限公司
文檔號(hào)碼：201611184766
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.20
技術(shù)公布日：2017.06.20