1.一種Ge基頻率可重構(gòu)套筒偶極子天線的制備方法，其特征在于，所述天線包括GeOI襯底、SPiN二極管天線臂、第一SPiN二極管套筒、第二SPiN二極管套筒、同軸饋線、直流偏置線；其中，所述制備方法包括：
選取GeOI襯底；
在所述GeOI襯底上制作多個相同的橫向SPiN二極管；
光刻PAD以形成多個所述橫向SPiN二極管的串行連接；
制作直流偏置線以連接所述橫向SPiN二極管與直流偏置電源，并將多個所述橫向SPiN二極管分割形成多個SPiN二極管串；
劃分所述SPiN二極管串形成所述SPiN二極管天線臂、所述第一SPiN二極管套筒及所述第二SPiN二極管套筒；
制作所述同軸饋線以連接所述SPiN二極管天線臂、所述第一SPiN二極管套筒及所述第二SPiN二極管套筒，最終形成所述套筒偶極子天線。
2.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，在所述GeOI襯底上制作多個相同的橫向SPiN二極管，包括：
在所述GeOI襯底上按照所述天線的結(jié)構(gòu)確定多個所述橫向SPiN二極管在所述GeOI襯底上的位置；
在確定的位置制備所述橫向SPiN二極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，在確定的位置制備所述橫向SPiN二極管，包括：
(a)在所述GeOI襯底內(nèi)設(shè)置隔離區(qū)；
(b)刻蝕所述GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽；
(c)在所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)采用離子注入形成第一P型有源區(qū)和第一N型有源區(qū)；
(d)填充所述P型溝槽和所述N型溝槽，并采用離子注入在所述GeOI襯底的頂層Ge內(nèi)形成第二P型有源區(qū)和第二N型有源區(qū)；以及
(e)在所述GeOI襯底上形成引線以形成所述橫向SPiN二極管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，步驟(c)包括：
(c1)氧化所述P型溝槽和所述N型溝槽以使所述P型溝槽和所述N型溝槽的內(nèi)壁形成氧化層；
(c2)利用濕法刻蝕工藝刻蝕所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)壁的氧化層以完成所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)壁的平整化；
(c3)對所述P型溝槽和所述N型溝槽進行離子注入以形成所述第一P型有源區(qū)和所述第一N型有源區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述第一N型有源區(qū)為沿離子擴散方向距所述N型溝槽側(cè)壁和底部深度小于1微米的區(qū)域，所述第一P型有源區(qū)為沿離子擴散方向距所述P型溝槽側(cè)壁和底部深度小于1微米的區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，步驟(d)，包括：
(d1)利用多晶硅填充所述P型溝槽和N型溝槽以形成P+區(qū)(27)和N+區(qū)(26)；
(d2)平整化處理所述GeOI襯底后，在所述GeOI襯底上形成多晶硅層；
(d3)光刻所述多晶硅層，并采用帶膠離子注入的方法對所述P+區(qū)(27)和所述N+區(qū)(26)注入P型雜質(zhì)和N型雜質(zhì)以形成第二P型有源區(qū)和第二N型有源區(qū)且同時形成P型接觸區(qū)和N型接觸區(qū)；
(d4))去除光刻膠；
(d5)利用濕法刻蝕去除P型電極和N型電極以外的所述多晶硅。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，步驟(e)包括：
在所述GeOI襯底上生成二氧化硅；
利用退火工藝激活所述P型有源區(qū)和N型有源區(qū)中的雜質(zhì)；
在所述P+區(qū)(27)和所述N+區(qū)(26)光刻引線孔以形成引線。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，制備直流偏置線，包括：
利用CVD工藝采用銅、鋁或者高摻雜的多晶硅制備形成所述直流偏置線。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述SPiN二極管天線臂、所述第一SPiN二極管套筒及所述第二SPiN二極管套筒均包括串行連接的相同個數(shù)的所述SPiN二極管串，且對應(yīng)位置的所述SPiN二極管串包括相同個數(shù)的所述橫向SPiN二極管。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，制作所述同軸饋線，包括：
將所述同軸饋線的內(nèi)芯線連接至所述SPiN二極管天線臂且將所述同軸饋線的外導(dǎo)體連接至所述第一SPiN二極管套筒與所述第二SPiN二極管套筒。