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一種高矯頑力燒結(jié)釹鐵硼磁體及其制備方法與流程

文檔序號:12476751閱讀:249來源:國知局

本發(fā)明涉及永磁材料領(lǐng)域,具體地說,是一種具有高矯頑力的燒結(jié)釹鐵硼磁體及其制備方法。



背景技術(shù):

釹鐵硼作為第三代永磁材料由于具有優(yōu)異的磁性能和低廉的價(jià)格,在微波技術(shù)、音像技術(shù)、電機(jī)工程、儀表技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)、磁分離技術(shù)、汽車工業(yè)等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。隨著燒結(jié)釹鐵硼在日本、德國、歐盟等專利技術(shù)的解凍,我國各大燒結(jié)廠家的協(xié)同努力,燒結(jié)釹鐵硼產(chǎn)品的品位也大幅提高。同時(shí)隨著釹鐵硼作為高科技應(yīng)用領(lǐng)域的進(jìn)一步推廣,對其產(chǎn)品的綜合性能要求也不斷提高,尤其對其強(qiáng)度要求越來越高。

釹鐵硼永磁體是釹鐵硼磁性材料的一種,也叫作為稀土永磁材料發(fā)展的最新結(jié)果,由于其優(yōu)異的磁性能而被稱為″磁王″,隨著工業(yè)的迅猛發(fā)展,對某些材料的強(qiáng)度要求加大,傳統(tǒng)的釹鐵硼制作工藝已無法滿足高強(qiáng)度、高腐蝕性等環(huán)境下達(dá)到所需要的效果。實(shí)驗(yàn)證明,釹鐵硼永磁體的磁性強(qiáng)烈依賴于材料本身的顯微結(jié)構(gòu)即晶粒尺寸的大小,另外,添加適當(dāng)?shù)募{米合金也會在一定程度上提高磁體的矯頑力。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的主要目的在于提供一種高矯頑力燒結(jié)釹鐵硼磁體及其制備方法,其克服傳統(tǒng)釹鐵硼磁體制造工藝的缺點(diǎn),制備的釹鐵硼磁體不僅擁有較高的矯頑力,同時(shí)比傳統(tǒng)工藝制造的釹鐵硼磁體抗腐蝕性更高。

為達(dá)到以上目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:一種高矯頑力燒結(jié)釹鐵硼磁體的原料由釹鐵硼合金、鎂、鋁、硅烷偶聯(lián)劑以及納米二氧化硅組成,其中,鎂和鋁的含量占釹鐵硼合金的1%,硅烷偶聯(lián)劑與納米二氧化硅的質(zhì)量之比為1∶5~20。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,硅烷偶聯(lián)劑為雙-[γ-(三乙氧基硅)丙基]四硫化物。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,納米二氧化硅的粒徑為30~50nm。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,釹鐵硼合金為Nd1-0 5(FeCoZr)83 4B6 1

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,硅烷偶聯(lián)劑與納米二氧化硅的質(zhì)量之比為1∶10。

一種高矯頑力燒結(jié)釹鐵硼磁體的制備方法,其包括步驟:

S100制備改性納米二氧化硅,將硅烷偶聯(lián)劑與納米二氧化硅以預(yù)設(shè)比例在乙醇溶液中混合60min,加熱溫度為60℃,得到改性的納米二氧化硅溶液;

S200采用真空感應(yīng)爐熔煉釹鐵硼合金,同時(shí)分別熔煉鎂、鋁金屬,然后將鑄錠破碎,將破碎的釹鐵硼合金浸泡在改性納米二氧化硅溶液中,24h后烘干,然后在氬氣保護(hù)下采用熔體溢流法,制備快淬薄帶試樣;

S300在氬氣保護(hù)下將破碎鎂和鋁加入到釹鐵硼合金試樣中,均勻混合后經(jīng)氫破、氣流磨制成磁粉;以及

S400將磁粉試樣在1600kA/m的外磁場中取向后在真空動態(tài)晶化熱處理爐中進(jìn)行晶化,升溫速率為20℃/min,轉(zhuǎn)速10r/s,到達(dá)晶化溫度,停止加熱,預(yù)設(shè)時(shí)間保溫,保溫過后使用氬氣進(jìn)行降溫,降溫速率25℃/min,再分別進(jìn)行一級、二級熱處理,得到高矯頑力燒結(jié)釹鐵硼。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,步驟S400中的真空動態(tài)晶化熱處理爐可進(jìn)行加熱和冷卻處理,并且在加熱和冷卻過程中可旋轉(zhuǎn),在相變點(diǎn)時(shí)可短時(shí)保溫。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,所述步驟S200中的釹鐵硼合金與納米二氧化硅的質(zhì)量比為185∶1。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,所述步驟S300中磁粉的平均粒度為3~5μm。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,所述步驟S400中的晶化溫度為980~1050℃,保溫時(shí)間為5~10min。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,所述步驟S400中的磁粉在晶化后分別在800~900℃以及400~600℃進(jìn)行一級、二級熱處理。

本發(fā)明同現(xiàn)有技術(shù)相比,主要具有以下優(yōu)點(diǎn)和有益效果:

1、采用動態(tài)晶化制造工藝,可以使試樣快速升溫到相變點(diǎn)進(jìn)行短時(shí)保溫,同時(shí)快速冷卻,在保證試樣受熱均勻的前提下,使得晶粒更加細(xì)小,從而提高磁體的矯頑力;

2、通過偶聯(lián)劑改性的二氧化硅不僅在材料破碎過程中加大了摩擦力,同時(shí)硅烷偶聯(lián)劑擁有兩種官能團(tuán),可以在無機(jī)磁粉表面形成包裹層,阻止磁粉成型過程中被氧化,進(jìn)一步提高磁體矯頑力;

3、添加Al和Mg后,由于新相的出現(xiàn),改善了富釹相與主相之間的濕潤性,提高了磁體矯頑力。

具體實(shí)施方式

以下描述用于揭露本發(fā)明以使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明。以下描述中的優(yōu)選實(shí)施例只作為舉例,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以想到其他顯而易見的變型。

實(shí)施例1

一種高矯頑力燒結(jié)釹鐵硼磁體的制備方法,其包括步驟:

(1)硅烷偶聯(lián)劑Si-69與納米二氧化硅以1∶5的比例在乙醇溶液中混合60min,加熱溫度為60℃,得到改性的納米二氧化硅;

(2)采用10kg的真空感應(yīng)爐熔煉釹鐵硼合金,同時(shí)分別熔煉Mg,Al金屬(占釹鐵硼合金的1%),然后將鑄錠破碎,將破碎的釹鐵硼合金浸泡在改性納米二氧化硅溶液中24h后烘干。后在氬氣保護(hù)下采用熔體溢流法,制備快淬薄帶試樣;

(3)在氬氣保護(hù)下將破碎Mg和Al加入到釹鐵硼合金試樣中,均勻混合后經(jīng)氫破、氣流磨制成平均粒度為3~5μm的磁粉;

(4)將磁粉試樣在1600kA/m的外磁場中取向后真空動態(tài)晶化熱處理爐中進(jìn)行晶化,晶化溫度為980-1050℃,保溫時(shí)間5-10min。然后分別在800-900℃以及400-600℃進(jìn)行一級、二級熱處理,得到高矯頑力燒結(jié)釹鐵硼。

采用AMT-4磁化特性自動測量儀測定所得磁體的性能為Br=8.5kGs,Hcj=21kGOe,(BH)max=28MGOe。

實(shí)施例2

一種高矯頑力燒結(jié)釹鐵硼磁體的制備方法,其包括步驟:

(1)硅烷偶聯(lián)劑Si-69與納米二氧化硅以1∶10的比例在乙醇溶液中混合60min,加熱溫度為60℃,得到改性的納米二氧化硅;

(2)采用10kg的真空感應(yīng)爐熔煉釹鐵硼合金,同時(shí)分別熔煉Mg,Al金屬(占釹鐵硼合金的1%),然后將鑄錠破碎,將破碎的釹鐵硼合金浸泡在改性納米二氧化硅溶液中24h后烘干。后在氬氣保護(hù)下采用熔體溢流法,制備快淬薄帶試樣;

(3)在氬氣保護(hù)下將破碎Mg和Al加入到釹鐵硼合金試樣中,均勻混合后經(jīng)氫破、氣流磨制成平均粒度為3~5μm的磁粉;

(4)將磁粉試樣在1600kA/m的外磁場中取向后真空動態(tài)晶化熱處理爐中進(jìn)行晶化,晶化溫度為980-1050℃,保溫時(shí)間5-10min。然后分別在800-900℃以及400-600℃進(jìn)行一級、二級熱處理,得到高矯頑力燒結(jié)釹鐵硼。

采用AMT-4磁化特性自動測量儀測定所得磁體的性能為Br=10.1kGs,Hcj=26kGOe,(BH)max=33.3MGOe。

實(shí)施例3

一種高矯頑力燒結(jié)釹鐵硼磁體的制備方法,其包括步驟:

(1)硅烷偶聯(lián)劑Si-69與納米二氧化硅以1∶20的比例在乙醇溶液中混合60min,加熱溫度為60℃,得到改性的納米二氧化硅;

(2)采用10kg的真空感應(yīng)爐熔煉釹鐵硼合金,同時(shí)分別熔煉Mg,Al金屬(占釹鐵硼合金的0.1%),然后將鑄錠破碎,將破碎的釹鐵硼合金浸泡在改性納米二氧化硅溶液中24h后烘干。后在氬氣保護(hù)下采用熔體溢流法,制備快淬薄帶試樣;

(3)在氬氣保護(hù)下將破碎Mg和Al加入到釹鐵硼合金試樣中,均勻混合后經(jīng)氫破、氣流磨制成平均粒度為3~5μm的磁粉;

(4)將磁粉試樣在1600kA/m的外磁場中取向后真空爐中熱處理爐中進(jìn)行晶化,晶化溫度為980-1050℃,保溫時(shí)間5-10min。然后分別在800-900℃以及400-600℃進(jìn)行一級、二級熱處理,得到高矯頑力燒結(jié)釹鐵硼。

采用AMT-4磁化特性自動測量儀測定所得磁體的性能為B r=8.9kGs,Hcj=22kGOe,(BH)max=29MGOe。

對比例1

一種復(fù)合釹鐵硼合金的制備包括步驟:

(1)采用10kg的真空感應(yīng)爐熔煉釹鐵硼合金,同時(shí)分別熔煉Mg,Al金屬(占釹鐵硼合金的0.1%),然后將鑄錠破碎,將破碎的釹鐵硼合金在氬氣保護(hù)下采用熔體溢流法,制備快淬薄帶試樣;

(2)在氬氣保護(hù)下將破碎Mg和Al加入到釹鐵硼合金試樣中,均勻混合后經(jīng)氫破、氣流磨制成平均粒度為3~5μm的磁粉;

(3)將磁粉試樣在1600kA/m的外磁場中取向后真空爐中熱處理爐中進(jìn)行晶化,晶化溫度為980-1050℃,保溫時(shí)間5-10min,然后分別在800-900℃以及400-600℃進(jìn)行一級、二級熱處理,得到高矯頑力燒結(jié)釹鐵硼。

采用AMT-4磁化特性自動測量儀測定所得磁體的性能為B r=7.2kGs,Hcj=20kGOe,(BH)max=24MGOe。

對比例2

一種復(fù)合釹鐵硼合金的制備包括步驟:

(1)硅烷偶聯(lián)劑Si-69與納米二氧化硅以1∶10的比例在乙醇溶液中混合60min,加熱溫度為60℃,得到改性的納米二氧化硅;

(2)采用10kg的真空感應(yīng)爐熔煉釹鐵硼合金,然后將鑄錠破碎,將破碎的釹鐵硼合金浸泡在改性納米二氧化硅溶液中24h后烘干。后在氬氣保護(hù)下采用熔體溢流法,制備快淬薄帶試樣;

(3)在氬氣保護(hù)下將破碎Mg和Al加入到釹鐵硼合金試樣中,均勻混合后經(jīng)氫破、氣流磨制成平均粒度為3~5μm的磁粉;

(4)將磁粉試樣在1600kA/m的外磁場中取向后真空爐中熱處理爐中進(jìn)行晶化,晶化溫度為980-1050℃,保溫時(shí)間5-10min,然后分別在800-900℃以及400-600℃進(jìn)行一級、二級熱處理,得到高矯頑力燒結(jié)釹鐵硼。

采用AMT-4磁化特性自動測量儀測定所得磁體的性能為B r=8.4kGs,Hcj=21kGOe,(BH)max=27MGOe。

對比例3

一種復(fù)合釹鐵硼合金的制備包括步驟:

(1)硅烷偶聯(lián)劑Si-69與納米二氧化硅以1∶20的比例在乙醇溶液中混合60min,加熱溫度為60℃,得到改性的納米二氧化硅;

(2)采用10kg的真空感應(yīng)爐熔煉釹鐵硼合金,然后將鑄錠破碎,將破碎的釹鐵硼合金浸泡在改性納米二氧化硅溶液中24h后烘干。后在氬氣保護(hù)下采用熔體溢流法,制備快淬薄帶試樣;

(3)在氬氣保護(hù)下將破碎Mg和Al加入到釹鐵硼合金試樣中,均勻混合后經(jīng)氫破、氣流磨制成平均粒度為3~5μm的磁粉;

(4)將磁粉試樣在1600kA/m的外磁場中取向后真空爐中熱處理爐中進(jìn)行晶化,晶化溫度為980-1050℃,保溫時(shí)間5-10min。然后分別在800-900℃以及400-600℃進(jìn)行一級、二級熱處理。得到高矯頑力燒結(jié)釹鐵硼。

采用AMT-4磁化特性自動測量儀測定所得磁體的性能為B r=8.1kGs,Hcj=19kGOe,(BH)max=25MGOe。

以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解,本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制,上述實(shí)施例和說明書中描述的只是本發(fā)明的原理,在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下本發(fā)明還會有各種變化和改進(jìn),這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍內(nèi)。本發(fā)明要求的保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等同物界定。

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