技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)激光對(duì)多晶硅材料表層的再結(jié)晶方法及應(yīng)用。該方法是將去除表面的氧化層后的多晶硅材料制作成硅材料上表面帶有類(lèi)單晶表層的硅電池。本發(fā)明利用激光選擇性掃描多晶硅材料的上表面，從而使帶有晶體缺陷的多晶硅上表面重新融化和再結(jié)晶，形成幾乎無(wú)晶體缺陷的類(lèi)單晶表層。本發(fā)明可以大幅減少硅電池發(fā)射層的少數(shù)載流子復(fù)合，大幅提高硅電池效率。

技術(shù)研發(fā)人員：宋立輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：杭州電子科技大學(xué)
文檔號(hào)碼：201611131236
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.09
技術(shù)公布日：2017.05.31