1.激光對多晶硅材料表層的再結(jié)晶方法，其特征在于該方法包括以下步驟：
步驟(1)、對多晶硅材料進行預(yù)處理，去除多晶硅材料表面的氧化層；其中多晶硅材料為帶有晶體缺陷和金屬雜質(zhì)的硅材料；
步驟(2)、利用激光掃描步驟(1)預(yù)處理后的多晶硅材料的上表面；由于激光的加熱效應(yīng)，多晶硅材料的表面層融化并隨后再結(jié)晶；通過控制激光的移動時間速度，進而控制多晶硅材料的再結(jié)晶速度，直至生成一層晶向均一，無明顯晶體缺陷的“類單晶”表層；
所述的激光光源的強度控制在50～83.3W/mm2，模式為連續(xù)模式，波長控制在560～850nm，速度控制在1～6m/s。
2.如權(quán)利要求1所述的激光對多晶硅材料表層的再結(jié)晶方法，其特征在于步驟(2)所述的激光光源必須為線型激光。
3.采用如權(quán)利要求1所述的方法制備而成的多晶硅材料在制備硅電池中的應(yīng)用。
4.如權(quán)利要求3所述的應(yīng)用，其特征在于所述的制備硅電池的過程具體是將磷元素擴散進入如權(quán)利要求1所述的方法制備而成的多晶硅材料，使得硅材料表面的電阻率達到40～100Ω/□，從而硅材料的上表面形成n+發(fā)射層；利用等離子體增強化學(xué)氣相沉積法(PECVD)在硅材料n+發(fā)射層的上表面生長一層75～80nm的SiNx:H鈍化層；然后利用絲網(wǎng)印刷技術(shù)為SiNx:H鈍化層上表面和硅材料下表面分別鋪設(shè)銀電極和鋁金屬層；最后置于810～850℃下燒結(jié)，其中燒結(jié)過程中一部分鋁元素會擴散到硅材料中，致使在硅材料與鋁金屬層間形成P+層；由P+層與鋁層構(gòu)成的整個背電極達到歐姆電阻。
5.如權(quán)利要求3所述的應(yīng)用，其特征在于所述的制備硅電池的過程具體是將磷元素擴散進入如權(quán)利要求1所述的方法制備而成的多晶硅材料，使得硅材料表面的電阻率達到60～100Ω/□，從而硅材料的上表面形成n+發(fā)射層；利用等離子體增強化學(xué)氣相沉積法(PECVD)在n+發(fā)射層上表面和硅材料下表面各生長一層75～80nm的SiNx:H鈍化層；在硅材料下表面的SiNx:H鈍化層上開有若干通孔，然后用金屬蒸發(fā)鍍膜設(shè)備給硅材料鍍上鋁金屬層，其中由于鋁元素會經(jīng)SiNx:H鈍化層通孔擴散到硅材料中，致使在硅材料與鋁金屬層間形成P+層；由P+層與鋁層構(gòu)成的整個背電極達到歐姆電阻。