1.一種適用于硬脆易解理單晶氧化鎵晶片的高效低損傷研磨方法，其特征在于，包括以下步驟：
a、粗研磨前退火預(yù)處理：
將所述待加工的單晶氧化鎵切割晶片裝載到陶瓷工裝架上，再把陶瓷工裝架置于退火爐內(nèi)的晶缽內(nèi)，向晶缽內(nèi)加入氧化鎵晶體粉末，直至填滿晶片與陶瓷工裝架和晶缽之間的間隙，并用氧化鎵晶體粉末覆蓋需經(jīng)退火處理的單晶氧化鎵切割晶片，然后通入保護(hù)氣體氮?dú)?，排出退火爐內(nèi)空氣，然后加熱進(jìn)行退火處理；
b、粗研磨：
將步驟a粗研磨前退火預(yù)處理后的單晶氧化鎵晶片取出，置于鑄鐵盤雙面研磨機(jī)的行星輪(1)的圓形預(yù)留腔內(nèi)，行星輪(1)上的輪齒分別與中心輪(2)、外齒圈(3)相嚙合，控制上研磨盤(4)的調(diào)節(jié)氣缸，使上研磨盤(4)下移與待加工單晶氧化鎵晶片(5)上表面均勻接觸，上研磨盤(4)上開設(shè)有抗解理懸浮研磨液添加槽；然后向上研磨盤(4)、下研磨盤(6)和單晶氧化鎵晶片(5)之間持續(xù)通入抗解理懸浮研磨液，增加研磨時(shí)的潤(rùn)滑和切削力；
然后啟動(dòng)鑄鐵盤雙面研磨機(jī)，調(diào)節(jié)控制上研磨盤(4)和下研磨盤(6)反向轉(zhuǎn)動(dòng)，行星輪(1)在中心輪(2)和外齒圈(3)的共同作用下與下研磨盤(6)同向公轉(zhuǎn)，形成研磨切削作用，對(duì)單晶氧化鎵晶片(5)上、下表面同步對(duì)稱研磨；
c、粗研磨后的退火預(yù)處理：
取步驟b粗研磨后的單晶氧化鎵晶片(5),重復(fù)上述步驟a，對(duì)粗研磨后的單晶氧化鎵晶片(5)再次進(jìn)行退火預(yù)處理；
d、貼片：
將步驟c退火預(yù)處理的單晶氧化鎵晶片置于半自動(dòng)貼片機(jī)上的晶片放置槽內(nèi)，對(duì)單晶氧化鎵晶片進(jìn)行加熱；在單晶氧化鎵晶片粘貼面添加液體蠟并甩蠟，甩蠟時(shí)轉(zhuǎn)速為500～1000r/min，使液態(tài)蠟均勻分布于單晶氧化鎵晶片的背面；然后將上蠟后的單晶氧化鎵晶片移至真空吸盤上，通過帶有真空吸盤的機(jī)械臂將單晶氧化鎵晶片貼附于陶瓷盤(7)上；貼片結(jié)束后將陶瓷盤(7)移至冷卻裝置上進(jìn)行冷卻；
e、精研磨：
將所述貼片完成后的陶瓷盤(7)安裝在單面研磨機(jī)的磨頭(8)上，在研磨盤(9)上放置聚氨酯樹脂基粘彈性固結(jié)磨料研磨墊(10)，調(diào)節(jié)與磨頭(8)相連的氣缸結(jié)構(gòu)(11)，然后由電機(jī)帶動(dòng)研磨盤(9)轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)行精研磨；所述的聚氨酯樹脂基粘彈性固結(jié)磨料研磨墊(10)上開設(shè)有去離子水添加槽(12)，精研磨過程中去離子水流量控制在8～15ml/min。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于硬脆易解理單晶氧化鎵晶片的高效低損傷研磨方法，其特征在于，步驟a所述粗研磨前退火預(yù)處理采用三段式退火方法，退火爐內(nèi)的單晶氧化鎵切割晶片先在200～300℃下進(jìn)行3～5h的持續(xù)保溫退火；然后在600～800℃下進(jìn)行6～10h的持續(xù)保溫退火；然后再在1000～1200℃下進(jìn)行的10～16h持續(xù)保溫退火，最后以每小時(shí)20～30℃降溫至室溫，出爐。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于硬脆易解理單晶氧化鎵晶片的高效低損傷研磨方法，其特征在于，步驟b所述所述向行星輪(1)圓形預(yù)留腔內(nèi)放置單晶氧化鎵晶片晶片時(shí)，單晶氧化鎵晶片表面沾水，單晶氧化鎵晶片放在行星輪(1)圓形預(yù)留腔內(nèi)后，再刷一遍抗解理懸浮研磨液或去離子水，保持水潤(rùn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于硬脆易解理單晶氧化鎵晶片的高效低損傷研磨方法，其特征在于，步驟b所述粗研磨，上研磨盤(4)施加的壓力為200～300g/cm2，上研磨盤(4)的轉(zhuǎn)速為13～20r/min，下研磨盤(6)的轉(zhuǎn)速為28～40r/min，外齒圈(3)的轉(zhuǎn)速為8～15r/min、中心輪(2)的轉(zhuǎn)速為4～30r/min，抗解理懸浮研磨液的流量控制在20～30ml/min。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的適用于硬脆易解理單晶氧化鎵晶片的高效低損傷研磨方法，其特征在于，所述的抗解理懸浮研磨液由下列重量百分比的原料制成：
氧化鋁微粉：5～10％；分散觸變劑：3～5％；表面活性劑：5～10％；煤油：45～50％；烷烴：25～30％；pH值調(diào)節(jié)劑：2～3％；消沫劑：0.02％；殺菌劑：0.02％；助清洗劑：0.05％。
6.權(quán)利要求1所述的適用于硬脆易解理單晶氧化鎵晶片的高效低損傷研磨方法，其特征在于，步驟b鑄鐵盤雙面研磨機(jī)的行星輪(1)厚度比單晶氧化鎵晶片厚度薄0.15～0.2mm。
7.權(quán)利要求1所述的適用于硬脆易解理單晶氧化鎵晶片的高效低損傷研磨方法，其特征在于，所述的聚氨酯樹脂基粘彈性固結(jié)磨料研磨墊(10)的粒徑范圍為1.5～3.5μm，氧化鋁微粉為α-Al2O3，純度99.9％以上。
8.權(quán)利要求1所述的適用于硬脆易解理單晶氧化鎵晶片的高效低損傷研磨方法，其特征在于，步驟e精研磨過程中，研磨壓力為150～200g/cm2，研磨盤(9)轉(zhuǎn)速為10～60r/min，陶瓷盤(7)轉(zhuǎn)速為10～40r/min，研磨溫度為30～40℃。