背景技術：
用于對基板表面進行平坦化或拋光的組合物和方法是本領域中公知的。拋光組合物(也稱為拋光漿料)典型地含有在液體載劑中的研磨材料并通過使表面與用拋光組合物飽和的拋光墊接觸而施加至所述表面。典型的研磨材料包括二氧化硅、鈰氧化物、鋁氧化物、鋯氧化物、及錫氧化物。拋光組合物典型地與拋光墊(例如拋光布或圓盤)結合使用。代替被懸浮于拋光組合物中，或者，除了被懸浮于拋光組合物中之外，研磨材料可被引入拋光墊中。
作為用于隔離半導體器件的元件的方法，大量注意力被引向淺溝槽隔離(sti)工藝，其中在硅基板上形成硅氮化物層，經(jīng)由蝕刻或光刻法形成淺溝槽，且沉積介電層(例如，氧化物)以填充所述溝槽。由于以此方式形成的溝槽或線路的深度的變化，因此，典型地必須在基板頂部上沉積過量的介電材料以確保完全填充所有溝槽。然后，典型地通過化學-機械平坦化工藝移除過量的介電材料以使硅氮化物層暴露。當硅氮化物層被暴露時，暴露于化學-機械拋光組合物的基板的最大區(qū)域包含硅氮化物，其必須隨后被拋光以實現(xiàn)高度平坦和均勻的表面。
通常，過去的實踐已強調(diào)對氧化物拋光優(yōu)先于對硅氮化物拋光的選擇性。因此，硅氮化物層已在化學-機械平坦化工藝期間充當停止層，因為在硅氮化物層暴露時總的拋光速率降低。
近來，還已強調(diào)了對氧化物拋光優(yōu)先于對多晶硅拋光的選擇性。例如，添加一系列brijtm和聚環(huán)氧乙烷表面活性劑、以及pluronictml-64(具有15的hlb的環(huán)氧乙烷-環(huán)氧丙烷-環(huán)氧乙烷三嵌段共聚物)被聲稱提高氧化物相對于多晶硅的拋光選擇性(參見lee等人，“effectsofnonionicsurfactantsonoxide-to-polysiliconselectivityduringchemicalmechanicalpolishing”，j.electrochem.soc.，149(8):g477-g481(2002))。此外，美國專利6,626,968公開了通過使用選自如下的具有親水和疏水官能團的聚合物添加劑可改善硅氧化物相對于多晶硅的拋光選擇性：聚乙烯基甲基醚、聚乙二醇、聚氧乙烯23月桂基醚、聚丙酸、聚丙烯酸、和聚醚二醇雙(醚)。
典型地，使用常規(guī)的拋光介質(zhì)和含有研磨劑的拋光組合物拋光sti基板。然而，已觀察到利用常規(guī)的拋光介質(zhì)和含有研磨劑的拋光組合物拋光sti基板導致基板表面的過度拋光或者在sti特征中形成凹坑及其它形貌缺陷(例如基板表面上的微刮痕)。該過度拋光及在sti特征中形成凹坑的現(xiàn)象稱為凹陷(dishing)。凹陷是不合乎期望的，因為基板特征的凹陷可通過造成晶體管和晶體管部件(組件)彼此隔離失敗，由此導致短路而不利地影響器件制造。另外，基板的過度拋光還可導致氧化物損失并使下伏氧化物暴露于來自拋光或化學活性的損害，這不利地影響器件的品質(zhì)和性能。
因此，在本領域中仍然需要可提供硅氧化物、硅氮化物和多晶硅的合乎期望的選擇性且具有合適的移除速率、低的缺陷率(defectivity)、和合適的凹陷性能的拋光組合物和方法。
技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明提供包含以下物質(zhì)的化學-機械拋光組合物：(a)濕法鈰土研磨劑、(b)式(i)的離子型聚合物、(c)多羥基芳族化合物、(d)聚乙烯醇及(e)水，在所述式(i)中，x1及x2獨立地選自氫、-oh及-cooh，且其中，x1及x2中的至少一者為-cooh，z1及z2獨立地為o或s，r1、r2、r3及r4獨立地選自氫、c1-c6烷基及c7-c10芳基，且n為約3至約500的整數(shù)，其中，該拋光組合物具有約1至約4.5的ph
本發(fā)明還提供化學-機械拋光基板的方法，該方法包括：(i)使基板與拋光墊及化學-機械拋光組合物接觸；(ii)相對于基板移動拋光墊及化學-機械拋光組合物；以及(iii)磨除基板的至少一部分以拋光基板，其中，該化學-機械拋光組合物包含：(a)濕法鈰土研磨劑、(b)式(i)的離子型聚合物、(c)多羥基芳族化合物、(d)聚乙烯醇及(e)水，在所述式(i)中，x1及x2獨立地選自氫、-oh及-cooh，z1及z2獨立地為o或s，r1、r2、r3及r4獨立地選自氫、c1-c6烷基及c7-c10芳基，且n為約3至約500的整數(shù)，其中，該拋光組合物具有約1至約4.5的ph
具體實施方式
本發(fā)明提供化學-機械拋光組合物，其包含以下物質(zhì)、基本上由以下物質(zhì)組成、或由以下物質(zhì)組成：(a)濕法鈰土研磨劑、(b)式(i)的離子型聚合物、(c)多羥基芳族化合物、(d)聚乙烯醇及(e)水，在所述式(i)中，x1及x2獨立地選自氫、-oh及-cooh，且其中，x1及x2中的至少一者為-cooh，z1及z2獨立地為o或s，r1、r2、r3及r4獨立地選自氫、c1-c6烷基及c7-c10芳基，且n為約3至約500的整數(shù)，其中，該拋光組合物具有約1至約4.5的ph
該化學-機械拋光組合物包含鈰土研磨劑。如本領域普通技術人員所知的，鈰土(ceria)是稀土金屬鈰的氧化物，且也被稱為鈰的氧化物(cericoxide)、鈰氧化物(ceriumoxide)(例如氧化鈰(iv))、或二氧化鈰。氧化鈰(iv)(ceo2)可通過煅燒草酸鈰或氫氧化鈰形成。鈰還形成鈰(iii)氧化物，例如，ce2o3。該鈰土研磨劑可為這些或其它鈰土氧化物中的任意一種或多種。
該鈰土研磨劑可為任何適宜的類型。如本文中所使用的，“濕法”鈰土是指通過沉淀、縮合-聚合、或類似工藝制得的鈰土(與例如熱解(fumed)或火成(pyrogenic)的鈰土不同)。已典型地發(fā)現(xiàn)，包含濕法鈰土研磨劑的本發(fā)明拋光組合物當根據(jù)本發(fā)明的方法用于拋光基板時，展現(xiàn)出較低的缺陷。不希望受特定理論的束縛，相信濕法鈰土包含球形鈰土顆粒和/或較小的聚集鈰土顆粒，從而當用于本發(fā)明方法中時，導致較低的基板缺陷率。示例性的濕法鈰土為可從rhodia商購獲得的hc-60tm鈰土。
鈰土顆?？删哂腥魏芜m宜的平均尺寸(即，平均顆粒直徑)。若平均鈰土粒度過小，則拋光組合物可能不會展現(xiàn)出足夠的移除速率。與此相反，若平均鈰土粒度過大，則拋光組合物可展現(xiàn)出不期望的拋光性能，例如，差的基板缺陷率。因此，鈰土顆粒可具有約10納米或更大的平均粒度，例如，約15納米或更大、約20納米或更大、約25納米或更大、約30納米或更大、約35納米或更大、約40納米或更大、約45納米或更大、或約50納米或更大?？蛇x擇地，或者此外，鈰土可具有約1,000納米或更小的平均粒度，例如，約750納米或更小、約500納米或更小、約250納米或更小、約150納米或更小、約100納米或更小、約75納米或更小、或約50納米或更小。因此，鈰土可具有由上述端點中的任意兩個所界定的平均粒度。舉例而言，鈰土可具有約10納米至約1,000納米、約10納米至約750納米、約15納米至約500納米、約20納米至約250納米、約20納米至約150納米、約25納米至約150納米、約25納米至約100納米、或約50納米至約150納米、或約50納米至約100納米的平均粒度。對于非球形的鈰土顆粒，顆粒的尺寸為包圍該顆粒的最小球體的直徑。鈰土的粒度可使用任何適宜的技術(例如使用激光衍射技術)量測。適宜的粒度量測儀器是從例如malverninstruments(malvern,uk)得到的。
鈰土顆粒優(yōu)選在本發(fā)明拋光組合物中是膠體穩(wěn)定的。術語膠體是指鈰土顆粒在液體載劑(例如水)中的懸浮液。膠體穩(wěn)定性是指該懸浮液隨時間的保持性。在本發(fā)明的上下文中，如果當將研磨劑置于100毫升量筒中并使其無攪動地靜置2小時的時間時，量筒底部50毫升中的顆粒濃度([b]，以g/ml表示)與量筒頂部50毫升中的顆粒濃度([t]，以g/ml表示)之間的差除以研磨劑組合物中顆粒的初始濃度([c]，以g/ml表示)小于或等于0.5(即，{[b]–[t]}/[c]≤0.5)，則認為研磨劑是膠體穩(wěn)定的。更優(yōu)選地，[b]-[t]/[c]的值小于或等于0.3，且最優(yōu)選小于或等于0.1。
該拋光組合物可包含任何適宜量的鈰土研磨劑。若本發(fā)明的拋光組合物包含過少的鈰土研磨劑，則該組合物可能不會展現(xiàn)出足夠的移除速率。與此相反，若該拋光組合物包含過多的鈰土研磨劑，則該拋光組合物可能展現(xiàn)出不期望的拋光性能和/或可能不具有成本效益和/或可能缺乏穩(wěn)定性。該拋光組合物可包含約10重量％或更少的鈰土，例如，約9重量％或更少、約8重量％或更少、約7重量％或更少、約6重量％或更少、約5重量％或更少、約4重量％或更少、約3重量％或更少、約2重量％或更少、約1重量％或更少、約0.9重量％或更少、約0.8重量％或更少、約0.7重量％或更少、約0.6重量％或更少的鈰土、或約0.5重量％或更少的鈰土。可選擇地，或者此外，該拋光組合物可包含約0.1重量％或更高，例如，約0.2重量％或更高、約0.3重量％或更高、約0.4重量％或更高、約0.5重量％或更高、或約1重量％或更高的鈰土。因此，該拋光組合物可包含由上述端點中的任意兩個所界定的量的鈰土。舉例而言，該拋光組合物可包含約0.1重量％至約10重量％的鈰土、約0.1重量％至約9重量％、約0.1重量％至約8重量％、約0.1重量％至約7重量％、約0.1重量％至約6重量％、約0.1重量％至約5重量％的鈰土、約0.1重量％至約4重量％、約0.1重量％至約3重量％的鈰土、約0.1重量％至約2重量％的鈰土、約0.1重量％至約1重量％的鈰土、約0.2重量％至約2重量％的鈰土、約0.2重量％至約1重量％的鈰土、或約0.3重量％至約0.5重量％的鈰土。在一個實施方式中，該拋光組合物在使用點(point-of-use)處包含約0.2重量％至約0.6重量％的鈰土(例如，約0.4重量％的鈰土)。在另一個實施方式中，該拋光組合物包含約2.4重量％的鈰土作為濃縮物。
該化學-機械拋光組合物包含如本文所述的式i的離子型聚合物。
在某些實施方式中，該離子型聚合物具有式i，其中x1及x2皆為-cooh。在某些實施方式中，該離子型聚合物具有式i，其中z1及z2皆為o，且r1、r2、r3及r4為氫。在某些優(yōu)選實施方式中，該離子型聚合物具有式i，其中x1及x2皆為-cooh，z1及z2皆為o，且r1、r2、r3及r4為氫。
該離子型聚合物可具有任何適宜的分子量。該離子型聚合物可具有約250克/摩爾或更大的平均分子量，例如，約300克/摩爾或更大、約400克/摩爾或更大、約500克/摩爾或更大、約600克/摩爾或更大、約750克/摩爾或更大、約1,000克/摩爾或更大、約1,500克/摩爾或更大、約2,000克/摩爾或更大、約2,500克/摩爾或更大、約3,000克/摩爾或更大、約3,500克/摩爾或更大、約4,000克/摩爾或更大、約4,500克/摩爾或更大、約5,000克/摩爾或更大、約5,500克/摩爾或更大、約6,000克/摩爾或更大、約6,500克/摩爾或更大、約7,000克/摩爾或更大、或約7,500克/摩爾或更大。可選擇地，或者此外，該離子型聚合物可具有約15,000克/摩爾或更小的平均分子量，例如，約14,000克/摩爾或更小、約13,000克/摩爾或更小、約12,000克/摩爾或更小、約11,000克/摩爾或更小、約10,000克/摩爾或更小、約9,000克/摩爾或更小、約8,000克/摩爾或更小、約7,500克/摩爾或更小、約7,000克/摩爾或更小、約6,500克/摩爾或更小、約6,000克/摩爾或更小、約5,500克/摩爾或更小、約5,000克/摩爾或更小、約4,500克/摩爾或更小、約4,000克/摩爾或更小、約3,500克/摩爾或更小、約3,000克/摩爾或更小、約2,500克/摩爾或更小、或約2,000克/摩爾或更小。因此，該離子型聚合物可具有由上述端點中的任意兩個所界定的平均分子量。舉例而言，該離子型聚合物可具有約250克/摩爾至約15,000克/摩爾、約250克/摩爾至約14,000克/摩爾、約250克/摩爾至約13,000克/摩爾、約250克/摩爾至約12,000克/摩爾、約250克/摩爾至約11,000克/摩爾、約250克/摩爾至約10,000克/摩爾、約400克/摩爾至約10,000克/摩爾、約400克/摩爾至約8,000克/摩爾、約400克/摩爾至約6,000克/摩爾、約400克/摩爾至約4,000克/摩爾、約400克/摩爾至約2,000克/摩爾等的平均分子量。
該拋光組合物在使用點處包含任何適宜量的離子型聚合物。該拋光組合物可包含約0.001重量％或更高的離子型聚合物，例如，約0.005重量％或更高、約0.01重量％或更高、約0.025重量％或更高、約0.05重量％或更高、約0.075重量％或更高、或約0.1重量％或更高的離子型聚合物。可選擇地，或者此外，該拋光組合物可包含約1重量％或更少的離子型聚合物，例如，約0.9重量％或更少、約0.8重量％或更少、約0.7重量％或更少、約0.6重量％或更少、約0.5重量％或更少、約0.4重量％或更少、或約0.3重量％或更少的離子型聚合物。因此，該拋光組合物可包含由上述端點中的任意兩個所界定的量的離子型聚合物。舉例而言，該拋光組合物可包含約0.001重量％至約1重量％、約0.01重量％至約0.9重量％、約0.025重量％至約0.8重量％、約0.05重量％至約0.7重量％、或約0.1重量％至約0.5重量％的離子型聚合物及其類似物。
該化學-機械拋光組合物包含一種或多種聚乙烯醇。該聚乙烯醇可為任何適宜的聚乙烯醇且可為直鏈或支鏈的聚乙烯醇。適宜的支鏈聚乙烯醇的非限制性實例是nichigog-聚合物，例如，從nippongohsei,japan得到的oks-1009和oks-1083產(chǎn)品。
該聚乙烯醇可具有任何適宜的水解度。水解度是指存在于聚乙烯醇上的自由(free)羥基相比于自由羥基和乙?；u基的總和的量。優(yōu)選地，該聚乙烯醇具有約90％或更高的水解度，例如，約92％或更高、約94％或更高、約96％或更高、約98％或更高、或約99％或更高的水解度。
該聚乙烯醇可具有任何適宜的分子量。該聚乙烯醇可具有約250克/摩爾或更大的平均分子量，例如，約300克/摩爾或更大、約400克/摩爾或更大、約500克/摩爾或更大、約600克/摩爾或更大、約750克/摩爾或更大、約1,000克/摩爾或更大、約2,000克/摩爾或更大、約3,000克/摩爾或更大、約4,000克/摩爾或更大、約5,000克/摩爾或更大、約7,500克/摩爾或更大、約10,000克/摩爾或更大、約15,000克/摩爾或更大、約20,000克/摩爾或更大、約25,000克/摩爾或更大、約30,000克/摩爾或更大、約50,000克/摩爾或更大、或約75,000克/摩爾或更大?？蛇x擇地，或者此外，該聚乙烯醇可具有約250,000克/摩爾或更小的平均分子量，例如，約200,000克/摩爾或更小、約180,000克/摩爾或更小、約150,000克/摩爾或更小、約100,000克/摩爾或更小、約90,000克/摩爾或更小、約85,000克/摩爾或更小、約80,000克/摩爾或更小、約75,000克/摩爾或更小、約50,000克/摩爾或更小、約45,000克/摩爾或更小、約40,000克/摩爾或更小、約35,000克/摩爾或更小、約30,000克/摩爾或更小、約25,000克/摩爾或更小、約20,000克/摩爾或更小、約15,000克/摩爾或更小、約12,500克/摩爾或更小、或約10,000克/摩爾或更小。因此，該聚乙烯醇可具有由上述端點中的任意兩個所界定的平均分子量。舉例而言，該聚乙烯醇可具有約250克/摩爾至約250,000克/摩爾、250克/摩爾至約200,000克/摩爾、250克/摩爾至約180,000克/摩爾、250克/摩爾至約150,000克/摩爾、250克/摩爾至約100,000克/摩爾、約250克/摩爾至約75,000克/摩爾、約250克/摩爾至約50,000克/摩爾、約250克/摩爾至約25,000克/摩爾、約250克/摩爾至約10,000克/摩爾、約10,000克/摩爾至約100,000克/摩爾、約10,000克/摩爾至約75,000克/摩爾、約10,000克/摩爾至約50,000克/摩爾、約10,000克/摩爾至約40,000克/摩爾、約50,000克/摩爾至約100,000克/摩爾、約75,000克/摩爾至約100,000克/摩爾、約25,000克/摩爾至約200,000克/摩爾、或約50,000克/摩爾至約180,000克/摩爾等的平均分子量。
該拋光組合物在使用點處包含任何適宜量的聚乙烯醇。該拋光組合物可包含約0.001重量％或更高，例如，約0.005重量％或更高、約0.01重量％或更高、約0.025重量％或更高、約0.05重量％或更高、約0.075重量％或更高、或約0.1重量％或更高的聚乙烯醇?？蛇x擇地，或者此外，該拋光組合物可包含約1重量％或更少，例如，約0.9重量％或更少、約0.8重量％或更少、約0.7重量％或更少、約0.6重量％或更少、約0.5重量％或更少、約0.4重量％或更少、或約0.3重量％或更少的聚乙烯醇。因此，該拋光組合物可包含由上述端點中的任意兩個所界定的量的離子型聚合物。舉例而言，該拋光組合物可包含約0.001重量％至約1重量％、約0.01重量％至約0.9重量％、約0.025重量％至約0.8重量％、約0.05重量％至約0.7重量％、或約0.1重量％至約0.5重量％的聚乙烯醇及其類似物。
該化學-機械拋光組合物包含多羥基芳族化合物。該多羥基芳族化合物可為任何適宜的多羥基芳族化合物。術語多羥基芳族化合物是指具有兩個或更多個鍵結至芳基或雜芳基環(huán)的羥基的芳基化合物或雜芳基化合物。適宜的多羥基芳族化合物的非限制性實例包括1,2-二羥基苯、1,3-二羥基苯、1,4-二羥基苯、1,3,5-三羥基苯、1,2,4-三羥基苯、2,6-二羥基吡啶、2,3-二羥基吡啶及2,4-二羥基吡啶。在優(yōu)選實施方式中，多羥基芳族化合物選自1,3-二羥基苯和1,3,5-三羥基苯。
該拋光組合物在使用點處包含任何適宜量的多羥基芳族化合物。該拋光組合物可包含約0.001重量％或更多，例如，約0.005重量％或更多、約0.01重量％或更多、約0.025重量％或更多、約0.05重量％或更多、約0.075重量％或更多、或約0.1重量％或更多的多羥基芳族化合物。可選擇地，或者此外，該拋光組合物可包含約1重量％或更少，例如，約0.9重量％或更少、約0.8重量％或更少、約0.7重量％或更少、約0.6重量％或更少、約0.5重量％或更少、約0.4重量％或更少、或約0.3重量％或更少的多羥基芳族化合物。因此，該拋光組合物可包含由上述端點中的任意兩個所界定的量的多羥基芳族化合物。例如，該拋光組合物可包含約0.001重量％至約1重量％、約0.01重量％至約0.9重量％、約0.025重量％至約0.8重量％、約0.05重量％至約0.7重量％、或約0.1重量％至約0.5重量％的多羥基芳族化合物及其類似物。
該化學-機械拋光組合物可包含一種或多種能夠調(diào)節(jié)(即，調(diào)整)拋光組合物的ph值的化合物(即，ph調(diào)節(jié)化合物)。拋光組合物的ph值可使用能夠調(diào)節(jié)拋光組合物的ph值的任何適宜的化合物來進行調(diào)節(jié)。該ph調(diào)節(jié)化合物合乎期望地是水溶性的且與該拋光組合物的其它組分相容。典型地，該化學-機械拋光組合物在使用點處具有約1至約7的ph值。優(yōu)選地，該化學-機械拋光組合物在使用點處具有約1至約4.5的ph值。
在性質(zhì)方面，式(i)的離子型聚合物為酸性的。因此，本發(fā)明拋光組合物可配制成提供緩沖能力。典型地，該拋光組合物的緩沖可通過如下實現(xiàn)：添加一種或多種堿性化合物以將該拋光組合物的ph值調(diào)節(jié)至在離子型聚合物的一種或多種pka值范圍內(nèi)的值?？墒褂萌魏芜m宜的堿性化合物來調(diào)節(jié)ph值以提供緩沖能力。適宜的堿性化合物的非限制性實例包括氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銨、及有機胺(例如三乙醇胺)。
在其它實施方式中，合乎期望的是，可添加能夠調(diào)節(jié)ph值且單獨地能夠緩沖該拋光組合物的酸性ph的另一化合物。因此，在這些實施方式中的任一者中，合乎期望的是，拋光組合物的ph值小于7.0(例如，6.5+/-0.5、6.0+/-0.5、5.5+/-0.5、5.0+/-0.5、4.5+/-0.5、4.0+/-0.5、3.5+/-0.5、3.0+/-0.5、2.5+/-0.5、2.0+/-0.5、1.5+/-0.5、或1.0+/-0.5)。典型地，在這些實施方式中的任一者中，該拋光組合物的ph值在使用點處為約1至約4.5。因此，能夠調(diào)節(jié)該拋光組合物的ph值的化合物典型地具有至少一個在25℃下量測時具有約3至約7的pka值的可離子化的基團。
能夠調(diào)節(jié)并緩沖ph值的化合物可選自：銨鹽、堿金屬鹽、羧酸、堿金屬氫氧化物、堿金屬碳酸鹽、堿金屬碳酸氫鹽、硼酸鹽、及其混合物。
該化學-機械拋光組合物任選地進一步包含一種或多種添加劑。示例性的添加劑包括調(diào)理劑(conditioner)、酸(例如，磺酸)、絡合劑(例如，陰離子型聚合物絡合劑)、螯合劑、殺生物劑、防垢劑、分散劑等。
殺生物劑當存在時可為任何適宜的殺生物劑且可以任何適宜的量存在于拋光組合物中。適宜的殺生物劑為異噻唑啉酮殺生物劑。該拋光組合物中所用的殺生物劑的量典型地為約1ppm至約50ppm，優(yōu)選約10ppm至約20ppm。
理解，該拋光組合物的作為酸、堿、或鹽(例如，有機羧酸、堿、和/或堿金屬碳酸鹽等)的任意組分當溶解于該拋光組合物的水中時，可作為陽離子及陰離子以解離的形式存在。本文所列舉的拋光組合物中所存在的這樣的化合物的量應理解為是指在該拋光組合物的制備中所用的未解離的化合物的重量。
該拋光組合物可通過任何適宜的技術來生產(chǎn)，其中的許多是本領域技術人員已知的。該拋光組合物可以分批或連續(xù)工藝制備。一般而言，拋光組合物通過將該拋光組合物的組分組合來制備。本文所用的術語“組分”包括單獨的成分(例如，鈰土研磨劑、離子型聚合物、多羥基芳族化合物、聚乙烯醇、任選的ph調(diào)節(jié)劑、和/或任何任選的添加劑)以及成分(例如，鈰土研磨劑、離子型聚合物、多羥基芳族化合物、聚乙烯醇等)的任意組合。
舉例而言，該拋光組合物可通過如下制備：(i)提供全部或部分液體載劑；(ii)使用用于制備這樣的分散體的任何適宜的方式來分散鈰土研磨劑、離子型聚合物、多羥基芳族化合物、聚乙烯醇、任選的ph調(diào)節(jié)劑和/或任何任選的添加劑；(iii)在合適時，調(diào)節(jié)分散體的ph值；以及(iv)任選地添加適宜量的任何其它任選的組分和/或添加劑至混合物中。
可選擇地，該拋光組合物可通過如下制備：(i)以鈰氧化物漿料的形式提供一種或多種組分(例如，液體載劑、多羥基芳族化合物、聚乙烯醇、任選的ph調(diào)節(jié)劑和/或任何任選的添加劑)；(ii)以添加劑溶液的形式提供一種或多種組分(例如，液體載劑、離子型聚合物、多羥基芳族化合物、聚乙烯醇、任選的ph調(diào)節(jié)劑和/或任何任選的添加劑)；(iii)將該鈰氧化物漿料與該添加劑溶液組合以形成混合物；(iv)任選地添加適宜量的任何其它任選的添加劑至該混合物中；以及(v)在合適時，調(diào)節(jié)混合物的ph值。
該拋光組合物可作為包含以下物質(zhì)的單包裝體系供應：鈰土研磨劑、離子型聚合物、多羥基芳族化合物、聚乙烯醇、任選的ph調(diào)節(jié)劑和/或任何任選的添加劑、以及水。可選擇地，本發(fā)明的拋光組合物作為雙包裝體系供應，所述雙包裝體系包含鈰氧化物漿料及添加劑溶液，其中該鈰土氧化物漿料基本上由下列成分組成、或由下列成分組成：鈰土研磨劑和/或任何任選的添加劑、以及水，且其中該添加劑溶液基本上由下列成分組成、或由下列成分組成：離子型聚合物、多羥基芳族化合物、聚乙烯醇、任選的ph調(diào)節(jié)劑和/或任何任選的添加劑。該雙包裝體系允許通過改變兩個包裝(即，鈰氧化物漿料及添加劑溶液)的共混比率來調(diào)節(jié)基板的整體平坦特性及拋光速度。
可采用各種方法來利用這樣的雙包裝拋光體系。舉例而言，該鈰氧化物漿料及添加劑溶液可通過在供應管道的出口處接合并連接的不同管道遞送至拋光臺。該鈰氧化物漿料及添加劑溶液可在拋光之前不久或在即將拋光之前混合，或可同時供應至該拋光臺上。此外，當混合這兩個包裝時，可在需要時添加去離子水以調(diào)節(jié)該拋光組合物以及所得基板的拋光特性。
類似地，可與本發(fā)明結合使用三包裝體系、四包裝體系或更多包裝體系，其中多個容器各自含有本發(fā)明化學-機械拋光組合物的不同組分、一種或多種任選的組分、和/或一種或多種呈不同濃度的相同組分。
為了在使用點處或其附近混合兩個或更多個儲存裝置中所含的組分以產(chǎn)生拋光組合物，所述儲存裝置典型地提供有一條或多條從各儲存裝置引導至拋光組合物的使用點(例如，平臺、拋光墊、或基板表面)的流動管線(flowline)。如本文中所使用的，術語“使用點”是指拋光組合物在其處被施加至基板表面(例如，拋光墊或基板表面本身)的點。術語“流動管線”意指從單獨的儲存容器到儲存于其中的組分的使用點的流動路徑。流動管線可各自直接通向使用點，或者，可將流動管線中的兩條或更多條在任何點處組合成通向使用點的單一流動管線。此外，任意流動管線(例如，單獨的流動管線或組合的流動管線)可首先通向一個或多個其它裝置(例如，泵送裝置、量測裝置、混合裝置等)，然后到達組分的使用點。
該拋光組合物的組分可獨立遞送至使用點(例如，將組分遞送至基板表面，所述組分在拋光過程期間在所述基板表面上混合)，或者，所述組分的一種或多種可在遞送至使用點之前(例如，在遞送至使用點之前不久或即將遞送至使用點之前)組合。若組分在以混合形式添加到該平臺上之前約5分鐘或更短(例如，在以混合形式添加到該平臺上之前約4分鐘或更短、約3分鐘或更短、約2分鐘或更短、約1分鐘或更短、約45秒或更短、約30秒或更短、約10秒或更短)或在使用點處遞送所述組分的同時進行組合(例如，所述組分在分配器處組合)，則所述組分是“在即將遞送至使用點之前”組合。若組分在距使用點5米內(nèi)(例如，在距使用點1米內(nèi)、或甚至在距使用點10厘米內(nèi)(例如，在距使用點1厘米內(nèi)))組合，則所述組分也是“在即將遞送至使用點之前”組合。
當該拋光組合物的組分中的兩種或更多種在到達使用點之前組合時，所述組分可在流動管線中組合并遞送至該使用點而無需使用混合裝置?？蛇x擇地，一條或多條流動管線可通向混合裝置以促進所述組分中的兩種或更多種的組合?？墒褂萌魏芜m宜的混合裝置。舉例而言，該混合裝置可為供所述組分中的兩種或更多種流動通過其的噴嘴或噴射器(例如，高壓噴嘴或噴射器)?？蛇x擇地，該混合裝置可為容器型混合裝置，其包含：一個或多個入口，通過該一個或多個入口將該拋光漿料的兩種或更多種組分引入至該混合器；以及至少一個出口，使經(jīng)混合的組分通過該至少一個出口離開混合器以便直接或經(jīng)由設備的其它構件(例如，經(jīng)由一條或多條流動管線)遞送至使用點。此外，該混合裝置可包含超過一個腔室，各腔室具有至少一個入口及至少一個出口，其中，兩種或更多種組分在各腔室中組合。若使用容器型混合裝置，則該混合裝置優(yōu)選包含混合機構以進一步促進組分的組合?；旌蠙C構是本領域中普遍知曉的且包括攪拌器、共混器、攪動器、葉片式折流板(paddledbaffle)、氣體分布器系統(tǒng)(gasspargersystem)、振動器等。
該拋光組合物還可作為濃縮物提供，該濃縮物意欲在使用前用適當量的水進行稀釋。在這樣的實施方式中，該拋光組合物濃縮物包含拋光組合物組分，其量使得當用適當量的水稀釋該濃縮物時，該拋光組合物的各組分將以在上文針對各組分所列舉的適當范圍內(nèi)的量存在于該拋光組合物中。舉例而言，鈰土研磨劑、離子型聚合物、多羥基芳族化合物、聚乙烯醇、任選的ph調(diào)節(jié)劑和/或任何任選的添加劑可各自以上文針對各組分所列舉的濃度的約2倍(例如，約3倍、約4倍、或約5倍)的量存在于該濃縮物中，以便當該濃縮物用等體積的水(例如，分別地，2等體積的水、3等體積的水、或4等體積的水)稀釋時，各組分將以在以上針對各組分所列舉的范圍內(nèi)的量存在于該拋光組合物中。此外，如本領域普通技術人員將理解的，該濃縮物可含有適當分數(shù)的存在于最終拋光組合物中的水，以確保鈰土研磨劑、離子型聚合物、多羥基芳族化合物、聚乙烯醇、任選的ph調(diào)節(jié)劑和/或任何任選的添加劑至少部分或全部地溶于該濃縮物中。
本發(fā)明還提供化學-機械拋光基板的方法，其包括：(i)使基板與拋光墊及本文所述的化學-機械拋光組合物接觸，(ii)使該拋光墊相對于該基板移動，同時其間具有該化學-機械拋光組合物，及(iii)研磨該基板的至少一部分以拋光該基板。
該化學-機械拋光組合物可用于拋光任何適宜的基板且尤其可用于拋光包含至少一個由低介電材料構成的層(典型地，表面層)的基板。適宜的基板包括半導體工業(yè)中所用的晶片。晶片典型地包含例如金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬復合物、金屬合金、低介電材料、或其組合，或者，由例如金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬復合物、金屬合金、低介電材料、或其組合組成。本發(fā)明的方法尤其可用于拋光包含硅氧化物、硅氮化物、和/或多晶硅(例如上述材料中的任意一種、兩種、或尤其是全部三種)的基板。
在一些實施方式中，該基板包含多晶硅與硅氧化物和/或硅氮化物的組合。多晶硅可為任何適宜的多晶硅，其中的許多是本領域中已知的。多晶硅可具有任何適宜的相，且可為非晶的、結晶的、或其組合。硅氧化物類似地可為任何適宜的硅氧化物，其中的許多是本領域中已知的。硅氧化物的適宜類型包括但不限于硼磷硅玻璃(bpsg)、peteos、熱氧化物(thermaloxide)、未經(jīng)摻雜的硅酸鹽玻璃、以及hdp氧化物。
當根據(jù)本發(fā)明的方法拋光包含硅氧化物的基板時，本發(fā)明的化學-機械拋光組合物合乎期望地展現(xiàn)出高的移除速率。舉例而言，當根據(jù)本發(fā)明的實施方式拋光包含高密度等離子體(hdp)氧化物和/或等離子體增強的原硅酸四乙酯(peteos)和/或原硅酸四乙酯(teos)的硅晶片時，該拋光組合物合乎期望地展現(xiàn)出約500埃/分鐘或更高、700埃/分鐘或更高、約1,000埃/分鐘或更高、約1,250埃/分鐘或更高、約1,500埃/分鐘或更高、約1,750埃/分鐘或更高、約2,000埃/分鐘或更高、約2,500埃/分鐘或更高、約3,000埃/分鐘或更高、約3,500埃/分鐘或更高的硅氧化物移除速率。在一個實施方式中，硅氧化物的移除速率可為約4,000埃/分鐘或更高、約4,500埃/分鐘或更高、或約5,000埃/分鐘或更高。
當根據(jù)本發(fā)明的方法拋光包含硅氮化物的基板時，本發(fā)明的化學-機械拋光組合物合乎期望地展現(xiàn)出低的移除速率。舉例而言，當根據(jù)本發(fā)明的實施方式拋光包含硅氮化物的硅晶片時，該拋光組合物合乎期望地展現(xiàn)出約250埃/分鐘或更低的硅氮化物移除速率，例如，約200埃/分鐘或更低、約150埃/分鐘或更低、約100埃/分鐘或更低、約75埃/分鐘或更低、約50埃/分鐘或更低、或甚至約25埃/分鐘或更低。
當根據(jù)本發(fā)明的方法拋光包含多晶硅的基板時，本發(fā)明的化學-機械拋光組合物合乎期望地展現(xiàn)出低的移除速率。舉例而言，當根據(jù)本發(fā)明的實施方式拋光包含多晶硅的硅晶片時，該拋光組合物合乎期望地展現(xiàn)出約1,000埃/分鐘或更低、約750埃/分鐘或更低、約500埃/分鐘或更低、約250埃/分鐘或更低、約100埃/分鐘或更低、約50埃/分鐘或更低、約25埃/分鐘或更低、約10埃/分鐘或更低、或甚至約5埃/分鐘或更低的多晶硅移除速率。
當用于拋光包含硅氧化物及硅氮化物的基板時，特別是，當用于淺溝槽隔離(sti)工藝中時，本發(fā)明的化學-機械拋光組合物合乎期望地展現(xiàn)出減小的凹陷。在sti工藝中，典型地在暴露出硅氮化物層之后繼續(xù)進行拋光，以確保從硅氮化物表面完全移除硅氧化物。在該過度拋光過程期間，可繼續(xù)移除保留在溝槽中的硅氧化物，以使保留在溝槽中的硅氧化物的表面低于硅氮化物的表面，這導致稱為凹陷的現(xiàn)象。不希望受任何特定理論的限制，相信，多羥基芳族化合物選擇性地結合至溝槽中所存在的硅氧化物的表面，由此抑制硅氧化物的進一步移除。
利用本發(fā)明拋光組合物拋光的基板(尤其是包含硅氧化物和/或硅氮化物和/或多晶硅的硅)合乎期望地具有如下凹陷：約
當拋光基板時，本發(fā)明的拋光組合物合乎期望地展現(xiàn)出低的顆粒缺陷，如通過合適的技術所測定的。在優(yōu)選實施方式中，本發(fā)明的化學-機械拋光組合物包含促進低缺陷率的濕法鈰土。利用本發(fā)明拋光組合物拋光的基板上的顆粒缺陷可通過任何適宜的技術測定。舉例而言，可使用激光光散射技術(例如，暗場法向光束復合(dcn)和暗場傾斜光束復合(dco))來測定經(jīng)拋光的基板上的顆粒缺陷。用于評估顆粒缺陷率的適宜的儀器可從例如kla-tencor得到(例如，在120納米閾值或160納米閾值下操作的surfscantmsp1儀器)。
利用本發(fā)明拋光組合物拋光的基板(尤其是包含硅氧化物和/或硅氮化物和/或多晶硅的硅)合乎期望地具有約20,000計數(shù)或更小的dcn值，例如，約17,500計數(shù)或更小、約15,000計數(shù)或更小、約12,500計數(shù)或更小、約3,500計數(shù)或更小、約3,000計數(shù)或更小、約2,500計數(shù)或更小、約2,000計數(shù)或更小、約1,500計數(shù)或更小、或約1,000計數(shù)或更小。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的實施方式拋光的基板具有約750計數(shù)或更小、約500計數(shù)、約250計數(shù)、約125計數(shù)、或甚至約100計數(shù)或更小的dcn值?？蛇x擇地，或者此外，用本發(fā)明的化學-機械拋光組合物拋光的基板合乎期望地展現(xiàn)出少的刮痕，如通過合適的技術所測定的。舉例而言，根據(jù)本發(fā)明的實施方式拋光的硅晶片合乎期望地具有約250條或更少的刮痕、或約125條或更少的刮痕，如通過本領域中已知的任何合適的方法所測定的。
本發(fā)明的化學-機械拋光組合物可被調(diào)整以在對具體的薄層材料具有選擇性的合乎期望的拋光范圍處提供有效的拋光，而同時使表面不平整性、缺陷、腐蝕、侵蝕和停止層的移除最小(少)化。在一定程度上，可通過改變拋光組合物的組分的相對濃度來控制選擇性。當合乎期望時，本發(fā)明的化學-機械拋光組合物可用于以約5:1或更高(例如，約10:1或更高、約15:1或更高、約25:1或更高、約50:1或更高、約100:1或更高、或約150:1或甚至更高)的二氧化硅(silicondioxide，硅二氧化物)對硅氮化物的拋光選擇性來拋光基板。當合乎期望時，本發(fā)明的化學-機械拋光組合物可用于以約5:1或更高(例如，約10:1或更高、約15:1或更高、約25:1或更高、約50:1或更高、約100:1或更高、或約150:1或甚至更高)的二氧化硅對多晶硅的拋光選擇性來拋光基板。此外，本發(fā)明的化學-機械拋光組合物可用于以約2:1或更高(例如，約4:1或更高、或約6:1或更高)的硅氮化物對多晶硅的拋光選擇性來拋光基板。一些配制物可展現(xiàn)出甚至更高的二氧化硅對多晶硅的選擇性，例如，約20:1或更高、或甚至約30:1或更高。在優(yōu)選實施方式中，本發(fā)明的化學-機械拋光組合物同時提供二氧化硅相對于硅氮化物的選擇性拋光以及二氧化硅相對于多晶硅的選擇性拋光。
本發(fā)明的化學-機械拋光組合物和方法特別適合于與化學-機械拋光設備結合使用。典型地，該設備包含：平臺，其在使用時處于運動中并且具有由軌道、線性或圓周運動產(chǎn)生的速度；拋光墊，其與該平臺接觸且在運動時隨該平臺移動；以及載體，其固持待通過使該基板與該拋光墊的表面接觸并且使該基板相對于該拋光墊的表面移動而拋光的基板。該基板的拋光通過如下發(fā)生：將該基板放置成與該拋光墊和本發(fā)明的拋光組合物接觸，且隨后使該拋光墊相對于該基板移動，以便研磨該基板的至少一部分以拋光該基板。
可使用任何合適的拋光墊(例如，拋光表面)以所述化學-機械拋光組合物對基板進行拋光。合適的拋光墊包括，例如，編織及非編織的拋光墊。此外，合適的拋光墊可包含具有不同密度、硬度、厚度、可壓縮性、壓縮回彈能力和壓縮模量的任何合適的聚合物。合適的聚合物包括，例如，聚氯乙烯、聚氟乙烯、尼龍、碳氟化合物、聚碳酸酯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚醚、聚乙烯、聚酰胺、聚氨酯、聚苯乙烯、聚丙烯、其共形成產(chǎn)物、及其混合物。軟質(zhì)聚氨酯拋光墊與本發(fā)明拋光方法結合是特別有用的。典型的墊包括但不限于surfintm000、surfintmssw1、spm3100(可從例如eminesstechnologies商購獲得)、politextm和fujibopolypastm27。特別優(yōu)選的拋光墊為可從cabotmicroelectronics商購獲得的epictmd100墊。另一優(yōu)選拋光墊為可從dow,inc.得到的ic1010墊。
合乎期望地，該化學-機械拋光設備進一步包含原位拋光終點檢測系統(tǒng)，其中的許多是本領域中已知的。通過分析從正被拋光的基板表面反射的光或其它輻射來檢查和監(jiān)控拋光過程的技術是本領域中已知的。這樣的方法描述于例如美國專利5,196,353、美國專利5,433,651、美國專利5,609,511、美國專利5,643,046、美國專利5,658,183、美國專利5,730,642、美國專利5,838,447、美國專利5,872,633、美國專利5,893,796、美國專利5,949,927和美國專利5,964,643中。合乎期望地，對于正被拋光的基板的拋光過程的進度的檢查或監(jiān)控使得能夠確定拋光終點，即，確定何時終止對于特定基板的拋光過程。
以下實施例進一步說明本發(fā)明，但當然無論如何不應解釋為限制其范圍。
實施例1
該實施例表明了，在經(jīng)圖案化的硅氮化物基板的拋光中，具有多羥基芳族化合物的本發(fā)明組合物在凹陷方面具有優(yōu)勢。所述圖案化(淺溝槽隔離(sti))晶片是從sylibwafers獲得的，并且，在運行該實驗之前，通過如下進行準備：首先用本體(bulk)氧化物漿料進行拋光，以移除約0.2μm的硅氧化物覆蓋物(overburden)。用于晶片準備的適合的本體(bulk)氧化物漿料的實例是從cabotmicroelectronicscorp得到的semi-sperse25(ss-25)。
用五種不同的拋光組合物(即，拋光組合物a至e)對五個包含覆蓋于在硅基板上的0.16硅氮化物特征上的0.2μm硅氧化物的單獨的經(jīng)圖案化的基板(從sylibwafers獲得)進行拋光。每種拋光組合物均含有在水中的0.2重量％濕法鈰土、0.06重量％聚乙烯醇、0.06重量％聚乙二醇雙羧酸(polyethyleneglycolbiscarboxylicacid)及0.0075％殺生物劑且ph為3.6。拋光組合物1a(對照)不含任何多羥基芳族化合物。拋光組合物1b(發(fā)明)進一步包含1,3,5-三羥基苯(即，多羥基芳族化合物)。拋光組合物1c(發(fā)明)進一步包含1,3-二羥基苯(即，多羥基芳族化合物)。拋光組合物1d(對比)進一步包含3,5-吡啶二甲醇。拋光組合物1e(對比)進一步包含1,3-苯二甲醇。
在拋光后，測定有源氧化物(activeoxide)的移除速率(arr)、溝槽氧化物的移除速率(trr)、有源氧化物的移除速率對溝槽氧化物的移除速率的比值(arr/trr)、以及凹陷。結果闡述于表1中。
表1圖案氧化物的移除速率及凹陷
如由表1中所闡釋的結果明晰的，當用于拋光包含在覆蓋有硅氧化物的基板上的100μm硅氮化物特征的經(jīng)圖案化的基板時，如與不包含多羥基芳族化合物的拋光組合物1a、1d及1e相比的，包含多羥基芳族化合物的拋光組合物1b及1c展現(xiàn)出減小的凹陷。具體地說，如與拋光組合物1a相比的，包含1.3-二羥基苯的拋光組合物c展現(xiàn)出在凹陷方面的大約92％的降低。
實施例2
該實施例表明了，在采用延長的過度拋光(extendedoverpolish)的經(jīng)圖案化的硅氮化物基板的拋光中，包含多羥基芳族化合物的本發(fā)明組合物在凹陷方面具有優(yōu)勢。
用兩種不同的拋光組合物(即，拋光組合物2a及2b)對六個如實施例1中所述制備的單獨的sti圖案化基板進行拋光。每種拋光組合物均含有在水中的0.2重量％濕法鈰土、0.06重量％聚乙烯醇、0.06重量％聚乙二醇雙羧酸及0.0075％殺生物劑且ph為3.6。拋光組合物2a(對比)不含多羥基芳族化合物。拋光組合物2b(發(fā)明)進一步包含1,3,5-三羥基苯(即，多羥基芳族化合物)。使用每種漿料(2a及2b)，在40％、60％及100％這三個過度拋光條件下，對三個不同的圖案化晶片進行拋光。
在拋光后，在每個過度拋光條件下，針對每個圖案晶片量測在100μm特征處的凹陷。結果闡述于表2中。
表2.采用過度拋光(op)的圖案性能
如由表2中所示的數(shù)據(jù)明晰的，如與組合物2a相比的，包含多羥基芳族化合物的拋光組合物2b在所有過度拋光條件下皆顯示出顯著減小的凹陷。例如，在100％的op下，本發(fā)明組合物2b所展現(xiàn)出的凹陷不到采用對比組合物2a所觀測到的凹陷的一半。
實施例3
該實施例表明了，關于在圖案晶片上的高的氮化物上停止能力(stoponnitridecapability)，包含多羥基芳族化合物的本發(fā)明組合物具有優(yōu)勢。
利用兩種不同的拋光組合物(即，拋光組合物3a及3b)對六個如實施例1中所述制備的具有100μm硅氮化物特征的單獨的sti圖案化基板進行拋光。每種拋光組合物均含有在水中的0.2重量％濕法鈰土、0.06重量％聚乙烯醇、0.06重量％聚乙二醇雙羧酸及0.0075％殺生物劑且ph為3.6。拋光組合物3a(對照)不含任何多羥基芳族化合物。拋光組合物3b(發(fā)明)進一步包含1,3,5-三羥基苯(即，多羥基芳族化合物)。使用拋光組合物3a(對照)及3b(發(fā)明)，對三個不同的圖案化晶片進行拋光，達到40％、70％及100％的過度拋光。
在拋光后，針對每個圖案量測在100μm特征處的氮化物損失。結果闡述于表3中。
表3.采用過度拋光(op)的圖案硅氮化物(sin)的損失
nd＝未測得，即，sin損失小于
如由表3中所示的數(shù)據(jù)明晰的，如與組合物3a相比的，包含多羥基芳族化合物的拋光組合物3b在所有的過度拋光條件下皆顯示出顯著減小的sin損失。例如，在100％的op下，如與組合物3a相比的，本發(fā)明組合物3b展現(xiàn)出小于15％的sin損失。
將本文中引用的所有參考文獻(包括出版物、專利申請和專利)特此通過參考引入，其參考程度如同每一篇參考文獻被單獨地和具體地說明以通過參考引入且在本文中被全部地闡述一樣。
在描述本發(fā)明的范圍中(尤其是在下列權利要求的范圍中)使用術語“一個(種)(a,an)”和“所述(該，the)”和“至少一個(種)”以及類似指示物將被解釋為涵蓋單數(shù)和復數(shù)兩者，除非在本文中另外說明或與上下文明顯矛盾。術語“至少一個(種)”+一個或多個項目的列表(例如，“a和b中的至少一個(種)”)的使用應解釋為意指選自所列示的項目的一個項目(a或b)或者所列示的項目中的兩個或更多個的任意組合(a和b)，除非在本文中另外說明或與上下文明顯矛盾。術語“包含”、“具有”、“包括”和“含有”將被解釋為開放式術語(即，意味著“包括，但不限于”)，除非另外說明。本文中數(shù)值范圍的列舉僅僅意圖用作單獨提及落在該范圍內(nèi)的每個獨立值的簡寫方法，除非在本文中另外說明，且在說明書中引入每個獨立的值，就如同其在本文中被單獨地列舉一樣。本文中描述的所有方法可以任何合適的順序進行，除非在本文中另外說明或與上下文明顯矛盾。本文中提供的任何和所有實施方式、或示例性語言(如，“例如”)的使用僅用來更好地說明本發(fā)明，而不是對本發(fā)明的范圍加以限制，除非另外說明。本說明書中沒有語言應被解釋為將任何非要求保護的要素指明為對于本發(fā)明的實踐所必需的。
本文中描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，包括本發(fā)明人已知的用于實施本發(fā)明的最佳模式。在閱讀上述描述后，那些優(yōu)選實施方式的變型對于本領域普通技術人員可變得明晰。本發(fā)明人希望熟練技術人員在適當時采用這樣的變型，且本發(fā)明人意圖讓本發(fā)明用不同于本文中具體描述的方式進行實踐。因此，本發(fā)明包括如由適用的法律所允許的附于此的權利要求書中所敘述的主題的所有變型和等同物。此外，上述要素的以其所有可能的變型的任何組合被本發(fā)明所涵蓋，除非在本文中另外說明或者以另外的方式與上下文明顯矛盾。