技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件包括：包含第一區(qū)域和第二區(qū)域的基板；在第一區(qū)域中的第一和第二柵電極，在基板上彼此平行地形成并且彼此間隔開第一距離；在第二區(qū)域中的第三和第四柵電極，在基板上彼此平行地形成并且彼此間隔開大于第一距離的第二距離；在第一區(qū)域中形成在基板上在第一和第二柵電極之間的第一凹槽；在第二區(qū)域中形成在基板上在第三和第四柵電極之間的第二凹槽；填充第一凹槽的第一外延源極/漏極；以及填充第二凹槽的第二外延源極/漏極，其中第一外延源極/漏極的上表面的最高部分高于第二外延源極/漏極的上表面的最高部分。

技術(shù)研發(fā)人員：金奇奐;樸起寬;劉庭均;申?yáng)|石;崔炫烈
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.01
技術(shù)公布日：2017.07.21