1.“三明治”型超快光電探測金屬超結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于包括以下步驟：
第一步：將第一層石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移到表面生長一層二氧化硅的硅基片上；
第二步：在第一層石墨烯薄膜上勻一層負(fù)光刻膠；
第三步：采用電子束曝光系統(tǒng)對第一層石墨烯薄膜上的負(fù)光刻膠進(jìn)行曝光，并進(jìn)行顯影、定影處理，在負(fù)光刻膠層上得到由若干間隔距離為納米量級的方形凹槽組成的槽陣列；
第四步：利用電子束熱蒸發(fā)技術(shù)向方形凹槽內(nèi)沉積金屬Ag；
第五步：采用剝離工藝將負(fù)光刻膠去除，則在石墨烯薄膜上得到由若干間隔距離為納米量級的金屬Ag組成的金屬Ag陣列結(jié)構(gòu)；
第六步：利用磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)向第一層石墨烯薄膜上沉積電介質(zhì)層TiO，電介質(zhì)層TiO將金屬Ag陣列結(jié)構(gòu)覆蓋；
第七步：在電介質(zhì)層和第一層石墨烯薄膜上位于電介質(zhì)層兩側(cè)的位置勻一層正光刻膠；
第八步：采用套刻工藝對正光刻膠曝光，顯影、定影，將第一層石墨烯薄膜上電介質(zhì)層TiO兩側(cè)的正光刻膠去除；
第九步：利用納米團(tuán)生長工藝在第一層石墨烯薄膜上生長一層金屬Au作為電極薄膜，該電極薄膜位于電介質(zhì)層TiO的兩側(cè)；
第十步：利用剝離工藝將正光刻膠去除；
第十一步：將第二層石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移至電介質(zhì)層TiO上，最終得到石墨烯薄膜-貴金屬超材料結(jié)構(gòu)-石墨烯薄膜的“三明治”型金屬超結(jié)構(gòu)。