技術特征：

技術總結
一種半導體元件的制造方法。該制造方法包括在一個材料層上方形成心軸以及沿心軸的側壁上形成間隔構件，形成一圖案化的硬掩模以覆蓋一第一區(qū)域，在一第二區(qū)域上沉積一填充層，而圖案化的硬掩模覆蓋第一區(qū)域。在第二區(qū)域中兩個相鄰的間隔構件之間的一空間由填充層填充。方法還包括部分移除填充層，以在第二區(qū)域的兩個相鄰間隔構件之間的空間中形成一填充塊，移除圖案化的硬掩模，移除心軸并利用間隔構件以及填充塊作為一蝕刻掩模來蝕刻材料層，以分別在第一區(qū)域以及第二區(qū)域中形成材料部件。

技術研發(fā)人員：謝艮軒;洪繼正;賴志明;林緯良;陳俊光;劉如淦
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發(fā)日：2016.11.30
技術公布日：2017.07.07