技術(shù)特征：

1.一種含Bi化合物光電探測器，其特征在于包括襯底、外延層和電極，所述電極與所述外延層連接，所述外延層包括依次形成于所述襯底上的緩沖層、N型接觸層、吸收層和P型接觸層，所述吸收層采用AN_xBi_1-x，其中，0≤x＜1，A＝Ga、In或Al，N型接觸層為AlN摻Si，P型接觸層為AlN摻Mg。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含Bi化合物光電探測器，其特征在于：所述N型接觸層的摻雜濃度大于5×10¹⁸cm^-3，其厚度在200nm至1000nm之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含Bi化合物光電探測器，其特征在于：所述P型接觸層的摻雜濃度大于5×10¹⁸cm^-3，其厚度在200nm至500nm之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含Bi化合物光電探測器，其特征在于：所述吸收層未摻雜，其厚度在200nm至1500nm之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含Bi化合物光電探測器，其特征在于：所述襯底為半絕緣Si或MgO襯底。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含Bi化合物光電探測器，其特征在于：所述緩沖層未摻雜的AlN緩沖層，所述緩沖層的厚度在300nm至1000nm之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含Bi化合物光電探測器，其特征在于：所述電極包括分別與所述P型接觸層和N型接觸層連接的P電極和N電極，所述P電極為Ti/Al/Ni/Au，所述N電極為Ti/Au。

8.權(quán)利要求1至9中任一項所述含Bi化合物光電探測器的制作方法，其特征在于包括：在襯底上直接依次生長緩沖層、N型接觸層、吸收層和P型接觸層，從而形成外延層；以及，對所述外延層進(jìn)行臺面刻蝕，并制備N電極、P電極，形成所述光電探測器。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的含Bi化合物光電探測器的制作方法，其特征在于：所述P電極通過磁控濺射或電子束蒸發(fā)而形成。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的含Bi化合物光電探測器的制作方法，其特征在于：所述N電極通過磁控濺射或電子束蒸發(fā)而形成。