技術總結
本發(fā)明公開了一種基于雙層蓋帽層結構的Ⅲ族氮化物HEMT器件及其制作方法。所述HEMT器件包括外延層以及與外延層配合的源極、漏極和柵極，所述外延層包括異質結構，所述異質結構包括第一半導體和形成于第一半導體上的第二半導體，所述第二半導體上依次形成有第一、第二蓋帽層，所述第一蓋帽層能夠通過電離施主產生電荷以補償所述第二半導體的表面受主能級，所述第二蓋帽層能夠減少或防止所述外延層表面產生自然氧化層及懸掛鍵。本發(fā)明通過在HEMT器件結構中設置雙層蓋帽層結構，可以有效抑制器件的電流崩塌以及大幅提高器件的閾值穩(wěn)定性，實現(xiàn)高性能Ⅲ族氮化物HEMT器件，同時工藝過程簡單，成本低廉，無二次外延的要求，與現(xiàn)有的器件制造工藝兼容。

技術研發(fā)人員：李維毅;張寶順;蔡勇;張志利;付凱;于國浩;孫世闖;宋亮
受保護的技術使用者：蘇州能屋電子科技有限公司
文檔號碼：201611043281
技術研發(fā)日：2016.11.24
技術公布日：2017.01.11