本發(fā)明涉及一種用于使用生成帶電粒子束的帶電粒子束裝置來分析物體的方法。此外，本發(fā)明涉及一種用于執(zhí)行這種方法的帶電粒子束裝置。具體地，帶電粒子束裝置是電子束裝置和/或離子束裝置。
背景技術(shù)：
：帶電粒子束裝置用于分析和檢查物體(下文中也稱作樣本)以便獲得有關(guān)物體在特定條件下的性能和行為的深入了解。這些帶電粒子束裝置之一是電子束裝置，具體地掃描電子顯微鏡(也被稱作sem)。在sem中，使用射束發(fā)生器來生成電子束(下文還稱作一次電子束)。一次電子束的電子被加速至預(yù)定能量且通過射束引導(dǎo)系統(tǒng)(具體地物鏡)聚焦至待分析樣本(即，待分析物體)上。具有可預(yù)定加速電壓的高壓源用于加速目的。使用偏轉(zhuǎn)單元，在待分析樣本的表面上方以光柵型方式引導(dǎo)一次電子束。在這種情況下，一次電子束的電子與待分析樣本的材料相互作用。具體地，相互作用粒子和/或相互作用輻射因相互作用的結(jié)果而出現(xiàn)。舉例而言，由待分析樣本發(fā)射電子(所謂二次電子)，且一次電子束的電子在待分析樣本處反向散射(所謂反向散射電子)。二次電子和反向散射電子被檢測并用于圖像生成。因此獲得待分析樣本的圖像。相互作用輻射包括x射線和/或陰極射線光并且可用輻射檢測器來檢測。在用輻射檢測器測量x射線時(shí)，具體地可執(zhí)行能量色散x射線光譜法(也稱作eds或edx)。edx是用于元素分析或化學(xué)表征的解析型分析方法。還從現(xiàn)有技術(shù)中已知離子束裝置。離子束裝置包括具有離子束發(fā)生器的離子束柱。生成用于處理樣本(例如，用于移除一層樣本或用于將材料沉積在樣本中，其中，通過氣體注入系統(tǒng)提供材料)或者用于成像的離子。此外，從現(xiàn)有技術(shù)中已知使用組合裝置用于處理和/或用于分析樣本，其中，電子和離子都可被引導(dǎo)至待處理及/或待分析樣本上。舉例而言，已知sem如上所述額外配備有離子束柱。sem具體地用于觀察所述處理，而且還用于對經(jīng)處理或未經(jīng)處理的樣本進(jìn)行進(jìn)一步分析。電子還可用于沉積材料。這被稱作電子束致沉積(ebid)。edx通常用作用于在礦物學(xué)領(lǐng)域中分析巖石的解析型分析方法。有可能識別礦物顆粒的組成，這具體地對需準(zhǔn)確確定巖石的礦物學(xué)性質(zhì)的巖石學(xué)家而言是重要信息。edx通常需要用具有至少15kev的著陸能量的sem的電子來照射樣本。著陸能量是電子在撞擊至樣本上時(shí)具有的能量。具有這樣一種能量的電子相當(dāng)深地穿透至樣本中，并且從包括在第一方向上、在第二方向上和在第三方向上的大約2μm的延伸的樣本的體積單元中生成x射線。因此，體積單元包括大約2μm×2μm×2μm的尺寸。相應(yīng)地，體積單元還包括2μm×2μm的體積單元表面。體積單元表面還被稱作edx像素。多數(shù)待分析泥巖包括小于2μm的礦物顆粒。因此，它們小于edx像素。相應(yīng)地，基于從體積單元發(fā)射的x射線生成的edx光譜可以不僅包括關(guān)于單個(gè)所關(guān)注礦物顆粒的信息，而且還包括關(guān)于位于體積單元中的另外的周圍礦物顆粒的信息。因此，由edx光譜提供的信息可能無法被理解或可能導(dǎo)致錯(cuò)誤結(jié)果。期望提供一種用于使用帶電粒子束裝置分析物體的方法以及一種用于執(zhí)行所述方法的帶電粒子束裝置，這使得巖石學(xué)家可準(zhǔn)確地確定巖石的礦物學(xué)性質(zhì)成為可能。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：根據(jù)本發(fā)明，這通過根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法來解決。根據(jù)本發(fā)明的另外一種方法由權(quán)利要求12給出。權(quán)利要求22的特征給出了一種包括用于控制帶電粒子束裝置的程序代碼的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。權(quán)利要求23給出了一種用于執(zhí)行所述方法的帶電粒子束裝置。本發(fā)明的另外的特征從下文描述、下文權(quán)利要求書和/或附圖變得顯而易見。根據(jù)本發(fā)明的方法用于使用帶電粒子束裝置(例如，電子束裝置和/或離子束裝置)來分析物體。帶電粒子束裝置可包括用于生成具有帶電粒子的帶電粒子束的帶電粒子發(fā)生器以及將帶電粒子束聚焦至物體上的物鏡。所述帶電粒子可以是電子和/或離子。此外，帶電粒子束裝置可包括用于檢測相互作用粒子的第一檢測單元以及用于檢測相互作用輻射的第二檢測單元，相互作用粒子和相互作用輻射是在帶電粒子束撞擊在物體上時(shí)生成的。相互作用粒子可以是二次粒子(例如二次電子)或反向散射粒子(例如反向散射電子)。相互作用輻射可以是x射線或陰極射線光。此外，帶電粒子束裝置可包括存儲關(guān)于第一粒子和第二粒子的特性的信息的數(shù)據(jù)庫。第一粒子和/或第二粒子可以是礦物。數(shù)據(jù)庫包括這些礦物的特性，具體地它們的化學(xué)組成。數(shù)據(jù)庫可包括多于上述兩種粒子的特性。在優(yōu)選實(shí)施例中，數(shù)據(jù)庫可包括來自源自全球不同地區(qū)的真實(shí)樣本的數(shù)種礦物的特性。根據(jù)本發(fā)明的方法包括在物體上方引導(dǎo)帶電粒子束并使用第一檢測單元檢測相互作用粒子的步驟。使用第一檢測單元生成第一檢測信號，并且使用第一檢測信號生成物體的圖像。圖像包括具有不同顏色級(例如不同灰度級)的區(qū)域。此外，圖像具有可能小于100nm的圖像分辨率。所述方法還包括使用第二檢測單元檢測相互作用輻射的步驟。如上所述，相互作用輻射可以是x射線或陰極射線光。使用第二檢測單元生成第二檢測信號，并且使用第二檢測信號生成輻射光譜。輻射光譜包括例如依據(jù)x射線能量的信號強(qiáng)度。輻射光譜可用于edx。輻射光譜表示物體的體積單元，并且提供關(guān)于體積單元的總體材料組成的信息。體積單元具有沿著第一軸的第一延伸、沿著第二軸的第二延伸和沿著第三軸的第三延伸。第一軸、第二軸和第三軸可被安排為互相垂直。第一延伸、第二延伸和/或第三延伸可以是2μm。然而，第一延伸、第二延伸和/或第三延伸并不限于這個(gè)值。而是，可選擇任何適當(dāng)值。此外，體積單元具有被以下各項(xiàng)中的兩項(xiàng)跨越的體積單元表面：第一軸、第二軸和第三軸。圖形分辨率小于以下各項(xiàng)中的至少一項(xiàng)：第一延伸、第二延伸和第三延伸。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，圖像分辨率是100nm，而第一延伸、第二延伸和/或第三延伸是2μm。根據(jù)本發(fā)明的方法還包括以下步驟：將所述圖像的對應(yīng)于所述體積單元表面的一部分分割為具有第一顏色級和第二顏色級的區(qū)域。換言之，分別在體積單元的區(qū)域和體積單元表面中，對使用相互作用粒子生成且具有高分辨率的圖像進(jìn)行分割，其方式為使得第一區(qū)段包括具有第一顏色級的區(qū)域并且第二區(qū)段包括具有第二顏色級的區(qū)域。第一顏色級和/或第二顏色級可以是灰度級。根據(jù)本發(fā)明的方法還包括以下步驟：確定體積單元表面的區(qū)域的包括第一顏色級的第一區(qū)域分?jǐn)?shù)并且確定體積單元表面的區(qū)域的包括第二顏色級的第二區(qū)域分?jǐn)?shù)。例如，所述區(qū)域的包括第一顏色級的第一區(qū)域分?jǐn)?shù)是體積單元表面的面積的70％，并且所述區(qū)域的包括第二顏色級的第二區(qū)域分?jǐn)?shù)是體積單元表面的面積的30％。根據(jù)本發(fā)明的方法還包括以下步驟：通過對第一顏色級與存儲在數(shù)據(jù)庫中的信息進(jìn)行比較而識別與第一顏色級相關(guān)聯(lián)的第一粒子并且通過對第二顏色級與存儲在數(shù)據(jù)庫中的信息進(jìn)行比較而識別與第二顏色級相關(guān)聯(lián)的第二粒子。換言之，數(shù)據(jù)庫是包括關(guān)于第一粒子和第二粒子的信息的查找表。信息還包括第一粒子通常在使用相互作用粒子生成的圖像中具有的第一顏色級。此外，信息還包括第二粒子通常在使用相互作用粒子生成的圖像中具有的第二顏色級。因此，通過比較顏色級，可識別可包括在體積單元中的可能粒子(例如，礦物)。根據(jù)本發(fā)明的方法還包括以下步驟：通過使用關(guān)于所識別第一粒子的信息(即，所識別第一粒子的特性)、第一區(qū)域分?jǐn)?shù)、關(guān)于第二粒子的信息(即，所識別第二粒子的特性)和第二區(qū)域分?jǐn)?shù)確定體積單元的組成，其中，體積單元的組成由以第一區(qū)域分?jǐn)?shù)的量的第一粒子與以第二區(qū)域分?jǐn)?shù)的量的第二粒子按比例組成。換言之，第一粒子在體積單元的組成中的比例與第一區(qū)域分?jǐn)?shù)在體積單元表面的整個(gè)面積中的比例相等。此外，第二粒子在體積單元的組成中的比例與第二區(qū)域分?jǐn)?shù)在體積單元表面的整個(gè)面積中的比例相等。根據(jù)本發(fā)明的方法使巖石學(xué)家可準(zhǔn)確確定巖石的礦物學(xué)性質(zhì)變?yōu)榭赡堋Ｋ龇椒▽⒂蓭щ娏Ｗ邮b置提供的圖像的高分辨率與由輻射分析(例如edx)提供的信息進(jìn)行組合。額外地或替代地在本發(fā)明的實(shí)施例中規(guī)定：第一顏色級和第二顏色級中的至少一項(xiàng)是灰度級，如上文已經(jīng)描述的。此外，額外地或替代地在本發(fā)明的實(shí)施例中規(guī)定：第一粒子和第二粒子中的至少一項(xiàng)是礦物。此外，額外地或替代地在本發(fā)明的實(shí)施例中規(guī)定：在分割步驟期間在體積單元表面的圖像的所述部分中確定三個(gè)顏色級，具體地三個(gè)灰度級。具體地，數(shù)據(jù)庫還存儲關(guān)于第三粒子的特性的信息。所述區(qū)域還包括第三顏色級。所述方法進(jìn)一步包括以下步驟：確定所述區(qū)域的包括第三顏色級的第三區(qū)域分?jǐn)?shù)并且通過對所述第三顏色級與存儲在所述數(shù)據(jù)庫中的所述信息進(jìn)行比較而識別與所述第三顏色級相關(guān)聯(lián)的所述第三粒子。此外，還通過使用關(guān)于第三粒子和第三區(qū)域分?jǐn)?shù)的信息來確定體積單元的組成，其中，體積單元的組成還由第三區(qū)域分?jǐn)?shù)數(shù)量的第三粒子按比例組成。換言之，第三粒子在體積單元的組成中的比例與第三區(qū)域分?jǐn)?shù)在體積單元表面的整個(gè)面積中的比例相等。額外地或替代地在本發(fā)明的實(shí)施例中規(guī)定：對應(yīng)于體積單元表面的圖像的部分的區(qū)域僅包括第一顏色級、第二顏色級和第三顏色級。因此，在本實(shí)施例中僅考慮最多三個(gè)顏色級。然而，本發(fā)明并不限于使用最多三個(gè)顏色級。而是，可選擇任何適當(dāng)數(shù)量的顏色級，例如，5至20個(gè)顏色級。額外地或替代地在本發(fā)明的實(shí)施例中規(guī)定：數(shù)據(jù)庫包括關(guān)于多個(gè)粒子的特性的信息，即，關(guān)于多個(gè)第一粒子的特性和關(guān)于多個(gè)第二粒子的特性的信息。此外，所述識別第一粒子的步驟可包括：識別所述多個(gè)第一粒子的與第一顏色級相關(guān)聯(lián)的部分或全部。換言之，通過對第一顏色級與存儲在數(shù)據(jù)庫中的信息進(jìn)行比較，識別與第一顏色級相關(guān)聯(lián)的多個(gè)第一粒子的全部或部分。本發(fā)明的本實(shí)施例基于以下想法。如上所述，數(shù)據(jù)庫可包括數(shù)種礦物的特性，具體地它們的化學(xué)組成。然而，由于數(shù)種礦物僅稍微彼此不同，所以它們在使用相互作用粒子生成的圖像中可能具有相同的顏色級(例如，灰度級)。因此，數(shù)據(jù)庫可包括針對礦物形式的不同粒子的完全相同顏色級。如果在物體的圖像中獲得的顏色級與礦物形式的數(shù)種粒子相關(guān)聯(lián)，則數(shù)據(jù)庫將提供與這個(gè)所獲得顏色級相關(guān)聯(lián)的全部礦物。因此，期望從所述數(shù)種可能第一粒子中識別實(shí)際包括在體積單元中的第一粒子。本發(fā)明的實(shí)施例通過對多個(gè)第一粒子的部分或全部的第一粒子的每個(gè)的特性與關(guān)于體積單元的總體材料組成的信息進(jìn)行比較而識別這個(gè)第一粒子。選擇其特性最接近關(guān)于體積單元的總體材料組成的信息的第一粒子。換言之，從多個(gè)第一粒子的部分或全部中確定單個(gè)第一粒子，其方式為使得所述單個(gè)第一粒子的特性相對于多個(gè)第一粒子的全部最接近關(guān)于體積單元的總體材料組成的信息。因此，從多個(gè)第一粒子的部分或全部中挑選單個(gè)第一粒子。這單個(gè)第一粒子的特性與多個(gè)第一粒子的另外的第一粒子的任何其它特性相比最接近由輻射光譜提供的體積單元的總體材料組成。所述確定體積單元的組成的步驟現(xiàn)在包括：使用單個(gè)第一粒子。替代地或額外地，所述識別第二粒子的步驟可包括：識別所述多個(gè)第二粒子的與第二顏色級相關(guān)聯(lián)的部分或全部。換言之，通過對第二顏色級與存儲在數(shù)據(jù)庫中的信息進(jìn)行比較，識別與第二顏色級相關(guān)聯(lián)的多個(gè)第二粒子的全部或部分。本發(fā)明的本實(shí)施例基于與如上所述完全相同的想法。數(shù)據(jù)庫可包括針對礦物形式的不同粒子的完全相同的顏色級。如果在物體的圖像中獲得的顏色級與礦物形式的數(shù)種粒子相關(guān)聯(lián)，則數(shù)據(jù)庫將提供與這個(gè)所獲得顏色級相關(guān)聯(lián)的全部礦物。因此，期望還從所述數(shù)種可能第二粒子中識別實(shí)際包括在體積單元中的第二粒子。本發(fā)明的實(shí)施例通過對多個(gè)第二粒子的部分或全部的第二粒子的每個(gè)的特性與關(guān)于體積單元的總體材料組成的信息進(jìn)行比較而識別這個(gè)第二粒子。選擇其特性最接近關(guān)于體積單元的總體材料組成的信息的第二粒子。換言之，從多個(gè)第二粒子的部分或全部中確定單個(gè)第二粒子，使得單個(gè)第二粒子的特性相對于多個(gè)第二粒子的全部最接近關(guān)于體積單元的總體材料組成的信息。因此，從多個(gè)第二粒子的部分或全部中挑選單個(gè)第二粒子。這單個(gè)第二粒子的特性與多個(gè)第二粒子的另外的第二粒子的任何其它特性相比最接近由輻射光譜提供的體積單元的總體材料組成。所述確定體積單元的組成的步驟現(xiàn)在包括：使用單個(gè)第二粒子。額外地或替代地在本發(fā)明的實(shí)施例中規(guī)定：分割圖像的對應(yīng)于體積單元表面的部分包括使用灰度級直方圖。圖像的灰度級直方圖是圖像(即，使用相互作用粒子生成的圖像)中的像素的像素強(qiáng)度值的直方圖。直方圖包括具有特定灰度級強(qiáng)度的像素的計(jì)數(shù)。通常，直方圖以峰值形式示出像素的高分布。如果在直方圖中示出兩個(gè)峰值，則所述兩個(gè)峰值被識別為第一顏色級和第二顏色級。如果識別出多于兩個(gè)峰值，則僅選擇最強(qiáng)的兩個(gè)峰值(兩個(gè)色彩)或三個(gè)峰值(三個(gè)色彩)。額外地或替代地在本發(fā)明的另外一個(gè)實(shí)施例中規(guī)定：只有在第一粒子大于體積單元表面的情況下才通過使用輻射光譜來識別第一粒子。因此，第一粒子是大顆粒，使得包括多于兩個(gè)粒子的體積單元的上述問題不會發(fā)生。通過將帶電粒子束引導(dǎo)至第一粒子(即，大顆粒)的中心而生成輻射光譜。如果第二粒子大于體積單元表面，則相同情況適用于第二粒子。此外，額外地或替代地在本發(fā)明的實(shí)施例中規(guī)定：如果體積單元包括有機(jī)材料，則為有機(jī)材料指定給定的化學(xué)組成，例如，按重量計(jì)95％的碳(c)或按重量計(jì)5％的氧(o)的給定化學(xué)組成。有機(jī)材料的這樣一種組成非常常見且準(zhǔn)確。額外地或替代地在本發(fā)明的實(shí)施例中規(guī)定：使用校準(zhǔn)物體來校準(zhǔn)第一檢測單元和/或第二檢測單元。本實(shí)施例基于以下理念。數(shù)據(jù)庫存儲關(guān)于礦物的特性的信息。數(shù)據(jù)庫是包括這個(gè)信息的查找表。具體地，數(shù)據(jù)庫包括來自源自全球不同地區(qū)的真實(shí)樣本的礦物的特性。關(guān)于粒子/礦物的信息獲得一次且存儲在數(shù)據(jù)庫中。具體地，信息包括每種礦物通常在于帶電粒子束裝置中使用相互作用粒子生成的圖像中具有的顏色級。這種顏色級可通過在帶電粒子束裝置中初步分析這些礦物，使用相互作用粒子(諸如二次電子和/或反向散射電子)生成圖像而確定。然而，顏色級依據(jù)帶電粒子束裝置的操作模式。操作模式具體地受帶電粒子在物體上的著陸能量、檢測器效率和檢測信號的放大的影響。相應(yīng)地，具有未知組成的物體的每個(gè)分析可使用完全相同的操作模式執(zhí)行。這通過使用校準(zhǔn)物體來校準(zhǔn)第一檢測單元和/或第二檢測單元而提供。此外，可使用完全相同的著陸能量。對第一檢測單元和/或第二檢測單元的校準(zhǔn)可執(zhí)行兩次，第一次借助于用于為數(shù)據(jù)庫收集信息的帶電粒子束裝置而進(jìn)行，并且第二次借助于用于執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的方法的帶電粒子束裝置。這兩個(gè)帶電粒子束裝置可能不同。根據(jù)本發(fā)明的另外一種方法還用于分析物體。另外一種方法還使用帶電粒子束裝置(例如，電子束裝置和/或離子束裝置)。帶電粒子束裝置可包括用于生成具有帶電粒子的帶電粒子束的帶電粒子發(fā)生器以及將帶電粒子束聚焦至物體上的物鏡。所述帶電粒子可以是電子和/或離子。此外，帶電粒子束裝置可包括用于檢測相互作用粒子的第一檢測單元以及用于檢測相互作用輻射的第二檢測單元，相互作用粒子和相互作用輻射是在帶電粒子束撞擊在物體上時(shí)生成的。相互作用粒子可以是二次粒子(例如二次電子)或反向散射粒子(例如反向散射電子)。相互作用輻射可以是x射線或陰極射線光。此外，帶電粒子束裝置可包括存儲關(guān)于多個(gè)粒子的特性的信息的數(shù)據(jù)庫。所述粒子可以是礦物。所述數(shù)據(jù)庫包括這些礦物的特性，具體地它們的化學(xué)組成。在優(yōu)選實(shí)施例中，數(shù)據(jù)庫可包括來自源自全球不同地區(qū)的真實(shí)樣本的數(shù)種礦物的特性。根據(jù)本發(fā)明的另外一種方法包括在物體上方引導(dǎo)帶電粒子束和使用第一檢測單元檢測相互作用粒子的步驟。使用第一檢測單元生成第一檢測信號，并且使用第一檢測信號生成物體的圖像。圖像包括具有不同顏色級(例如不同灰度級)的區(qū)域。此外，圖像具有可能小于100nm的圖像分辨率。另外一種方法還包括使用第二檢測單元檢測相互作用輻射的步驟。如上所述，相互作用輻射可以是x射線或陰極射線光。使用第二檢測單元生成第二檢測信號，并且使用第二檢測信號生成輻射光譜。輻射光譜包括例如依據(jù)x射線能量的信號強(qiáng)度。輻射光譜可用于edx。輻射光譜表示物體的體積單元，且提供關(guān)于體積單元的總體組成的信息。體積單元具有沿著第一軸的第一延伸、沿著第二軸的第二延伸和沿著第三軸的第三延伸。第一軸、第二軸和第三軸可被安排為互相垂直。第一延伸、第二延伸和/或第三延伸可以是2μm。然而，第一延伸、第二延伸和/或第三延伸并不限于這個(gè)值。而是，可選擇任何適當(dāng)值。此外，體積單元具有被以下各項(xiàng)中的兩項(xiàng)跨越的體積單元表面：第一軸、第二軸和第三軸。圖形分辨率小于以下各項(xiàng)中的至少一項(xiàng)：第一延伸、第二延伸和第三延伸。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，圖像分辨率是100nm，而第一延伸、第二延伸和/或第三延伸是2μm。圖像分辨率還可小于100nm，具體地50nm或更小，10nm或更小或5nm或更小。根據(jù)本發(fā)明的另外一種方法還包括以下步驟：將對應(yīng)于體積單元表面的圖像的一部分分割為具有第一顏色級和第二顏色級的區(qū)域。換言之，分別在體積單元的區(qū)域和體積單元表面中，對使用相互作用粒子生成且具有高分辨率的圖像進(jìn)行分割，其方式為使得第一區(qū)段包括具有第一顏色級的區(qū)域并且第二區(qū)段包括具有第二顏色級的區(qū)域。第一顏色級和/或第二顏色級可以是灰度級。根據(jù)本發(fā)明的另外一種方法還包括以下步驟：確定所述區(qū)域的包括第一顏色級的第一區(qū)域分?jǐn)?shù)并且確定所述區(qū)域的包括第二顏色級的第二區(qū)域分?jǐn)?shù)。例如，所述區(qū)域的包括第一顏色級的第一區(qū)域分?jǐn)?shù)是體積單元表面的面積的70％，并且所述區(qū)域的包括第二顏色級的第二區(qū)域分?jǐn)?shù)是體積單元表面的面積的30％。根據(jù)本發(fā)明的另外一種方法還包括以下步驟：通過對第一顏色級與存儲在數(shù)據(jù)庫中的信息進(jìn)行比較而識別多個(gè)粒子的第一部分，所述第一部分與第一顏色級相關(guān)聯(lián)，并且通過對第二顏色級與存儲在數(shù)據(jù)庫中的信息進(jìn)行比較而識別多個(gè)粒子的第二部分，所述第二部分與第二顏色級相關(guān)聯(lián)。換言之，數(shù)據(jù)庫是包括關(guān)于粒子的信息的查找表。信息還包括粒子通常在使用相互作用粒子生成的圖像中具有的顏色級。因此，通過比較顏色級，可識別可包括在體積單元中的可能粒子(例如，礦物)。為多個(gè)粒子的第一部分指定具有第一顏色級的可能粒子。為多個(gè)粒子的第二部分指定具有第二顏色級的可能粒子。根據(jù)本發(fā)明的另外一種方法還包括以下步驟：通過使用所述多個(gè)粒子的所述第一部分的每個(gè)單個(gè)粒子的特性、所述第一區(qū)域分?jǐn)?shù)、所述多個(gè)粒子的所述第二部分的每個(gè)單個(gè)粒子的特性以及所述第二區(qū)域分?jǐn)?shù)來為所述多個(gè)粒子的所述第一部分的所述單個(gè)粒子與所述多個(gè)粒子的所述第二部分的所述單個(gè)粒子的每個(gè)可能組合確定所述體積單元的可能組成，其中，所述體積單元的所述組成由以所述第一區(qū)域分?jǐn)?shù)的量的所述多個(gè)粒子的所述第一部分的所述單個(gè)粒子與以所述第二區(qū)域分?jǐn)?shù)的量的所述多個(gè)粒子的所述第二部分的所述單個(gè)粒子按比例組成。根據(jù)本發(fā)明的另外一種方法還包括以下步驟：對每個(gè)可能組成與由輻射光譜提供的體積單元的總體材料組成進(jìn)行比較；以及通過從可能組成中選擇最接近由輻射光譜提供的體積單元的總體材料組成的組成而確定體積單元的實(shí)際組成。根據(jù)本發(fā)明的另外一種方法具有如上文關(guān)于根據(jù)本發(fā)明的其它方法所述的相同優(yōu)點(diǎn)。額外地或替代地在根據(jù)本發(fā)明的另外一種方法的實(shí)施例中規(guī)定：第一顏色級和第二顏色級中的至少一項(xiàng)是灰度級，如上文已經(jīng)描述的。此外，額外地或替代地在根據(jù)本發(fā)明的另外一種方法的實(shí)施例中規(guī)定：粒子是礦物。此外，額外地或替代地在根據(jù)本發(fā)明的另外一種方法的實(shí)施例中規(guī)定：在分割步驟期間在圖像的對應(yīng)于體積單元表面的部分中確定了三個(gè)顏色級，具體地三個(gè)灰度級。具體地，數(shù)據(jù)庫還存儲關(guān)于第三粒子的特性的信息。對應(yīng)于體積單元表面的圖像的部分的區(qū)域還包括第三顏色級。方法進(jìn)一步包括確定所述區(qū)域的包括第三顏色級的第三區(qū)域分?jǐn)?shù)的步驟。此外，實(shí)施例包括以下步驟：通過對第三顏色級與存儲在數(shù)據(jù)庫中的信息進(jìn)行比較而識別多個(gè)粒子的第三部分，第三部分與第三顏色級相關(guān)聯(lián)。所述確定體積單元的可能組成的步驟還通過使用多個(gè)粒子的第三部分的單個(gè)粒子的特性以及第三區(qū)域分?jǐn)?shù)考慮與多個(gè)粒子的第三部分的每個(gè)單個(gè)粒子的每個(gè)可能組合。額外地或替代地在根據(jù)本發(fā)明的另外一種方法的實(shí)施例中規(guī)定：圖像的對應(yīng)于體積單元表面的一部分的區(qū)域僅包括第一顏色級、第二顏色級和第三顏色級。因此，僅考慮最多三個(gè)顏色級。然而，本發(fā)明并不限于本實(shí)施例。而是，可選擇任何適當(dāng)數(shù)量的顏色級，例如，4至20個(gè)。額外地或替代地在根據(jù)本發(fā)明的另外一種方法的實(shí)施例中規(guī)定：分割圖像的對應(yīng)于體積單元表面的一部分包括如上已述的使用灰度級直方圖。額外地或替代地在根據(jù)本發(fā)明的另外一種方法的另外一個(gè)實(shí)施例中規(guī)定：只有在體積單元僅包括這個(gè)粒子和在所述粒子大于體積單元的情況下才通過使用輻射光譜來識別所述粒子。因此，粒子是大顆粒，使得包括多于兩個(gè)粒子的體積單元的上述問題不會發(fā)生。通過將帶電粒子束引導(dǎo)至第一粒子(即，大顆粒)的中心而生成輻射光譜。此外，額外地或替代地在根據(jù)本發(fā)明的另外一種方法的實(shí)施例中規(guī)定：如果體積單元包括有機(jī)材料，則為有機(jī)材料指定給定的化學(xué)組成，例如，按重量計(jì)95％的碳(c)或按重量計(jì)5％的氧(o)的給定化學(xué)組成。有機(jī)材料的這樣一種組成非常常見且準(zhǔn)確。額外地或替代地在根據(jù)本發(fā)明的另外一種方法的實(shí)施例中規(guī)定：使用校準(zhǔn)物體來校準(zhǔn)第一檢測單元和/或第二檢測單元。本實(shí)施例基于如上文已經(jīng)描述的理念。本發(fā)明還涉及一種包括程序代碼的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，所述程序代碼可加載或被加載至處理器中，并且在被執(zhí)行時(shí)以使得包括上文所述或下文進(jìn)一步所述的步驟的至少一個(gè)或上文所述或下文進(jìn)一步所述的步驟的至少兩個(gè)的組合的方法被執(zhí)行的方式來控制帶電粒子束裝置。方法還涉及一種用于分析物體的帶電粒子束裝置。帶電粒子束裝置包括用于生成包括帶電粒子的帶電粒子束的至少一個(gè)帶電粒子發(fā)生器。所述帶電粒子可以是電子和/或離子。帶電粒子束裝置還具有用于將帶電粒子束聚焦至物體上的至少一個(gè)物鏡。此外，帶電粒子束裝置包括用于檢測相互作用粒子的至少一個(gè)第一檢測單元以及用于檢測相互作用輻射的至少一個(gè)第二檢測單元，相互作用粒子和相互作用輻射是在帶電粒子束撞擊在物體上時(shí)生成的。相互作用粒子可以是二次粒子和/或反向散射粒子，具體地二次電子和反向散射電子。相互作用輻射可以是x射線和/或陰極射線光。此外，帶電粒子束裝置包括存儲關(guān)于粒子(例如第一粒子和第二粒子)的特性的信息的數(shù)據(jù)庫。如上所述，粒子可以是礦物。所述數(shù)據(jù)庫包括這些礦物的特性，具體地它們的化學(xué)組成。數(shù)據(jù)庫可包括多于上述兩種粒子的特性。在優(yōu)選實(shí)施例中，數(shù)據(jù)庫包括來自源自全球不同地區(qū)的真實(shí)樣本的數(shù)種礦物的特性。此外，帶電粒子束裝置包括如上所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品被加載到其中的至少一個(gè)處理器。在根據(jù)本發(fā)明的帶電粒子束裝置的實(shí)施例中，額外地或替代地提供第一檢測器包括第一檢測單元，并且第二檢測器包括第二檢測單元。因此，兩個(gè)檢測器單元被安排在不同檢測器中。在替代實(shí)施例中，單個(gè)檢測器包括第一檢測單元和第二檢測單元。在根據(jù)本發(fā)明的帶電粒子束裝置的實(shí)施例中，額外地或替代地提供帶電粒子發(fā)生器是用于生成包括第一帶電粒子的第一帶電粒子束的第一帶電粒子發(fā)生器。物鏡是用于將第一帶電粒子束聚焦至物體上的第一物鏡。帶電粒子束裝置進(jìn)一步包括用于生成包括第二帶電粒子的第二帶電粒子束的第二帶電粒子束發(fā)生器以及用于將第二帶電粒子束聚焦至物體上的第二物鏡。在根據(jù)本發(fā)明的帶電粒子束裝置的實(shí)施例中，額外地或替代地提供帶電粒子束裝置是以下各項(xiàng)中的至少一項(xiàng)：電子束裝置或離子束裝置。具體地，帶電粒子束裝置可以是電子束裝置和離子束裝置兩者。本發(fā)明還涉及解決現(xiàn)有技術(shù)的上述問題的另外一種方法。另外一種方法基于多數(shù)數(shù)字成像應(yīng)用期望高分辨率的事實(shí)。增大空間分辨率的一個(gè)可能解決方案是減小圖像中的像素的大小。然而，這并非針對其中由具有相互作用體積的物體(諸如上文進(jìn)一步討論的物體)規(guī)定分辨率的應(yīng)用的可行解決方案。因此，本發(fā)明還基于使用信號處理技術(shù)來從原始低分辨率圖像重構(gòu)高分辨率圖像的理念。這通過過采樣圖像來執(zhí)行，以便重構(gòu)更高分辨率圖像，這披露于carmi(卡麥)等人的“resolutionenhancementinmri(mri中的分辨率增強(qiáng))”，magneticresonanceimaging(磁共振成象)24，(2006)133至154頁。附圖說明下文參考附圖更詳細(xì)地說明本文中描述的本發(fā)明的實(shí)施例，其中：圖1示出了帶電粒子束裝置的第一實(shí)施例的示意圖；圖1a示出了帶電粒子束裝置的第二實(shí)施例的示意圖；圖2示出了帶電粒子束裝置的第三實(shí)施例的示意圖；圖3示出了帶電粒子束裝置的第四實(shí)施例的示意圖；圖4示出了根據(jù)圖3的帶電粒子束裝置的另外的示意圖；圖5示出了獲得礦物的特性的方法的實(shí)施例的流程圖；圖6示出了校準(zhǔn)帶電粒子束裝置和準(zhǔn)備待分析物體的方法的實(shí)施例的流程圖；圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的實(shí)施例的流程圖；圖7a示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的實(shí)施例的另外的流程圖；圖8示出了物體的圖像，其中，使用帶電粒子束裝置來生成圖像；圖9示出了物體的輻射光譜，其中，輻射光譜用于進(jìn)行edx；圖10示出了待分析物體的體積單元；圖11示出了待分析物體的數(shù)個(gè)體積單元；圖12示出了包括峰值的灰度級直方圖的示意圖；以及圖13示出了待分析物體的圖像的分割部分的示意圖。具體實(shí)施方式圖1示出了sem100的示意圖。sem100具有作為陰極的電子源101形式的射束發(fā)生器、引出電極102和陽極103，所述陽極103被安排在sem100的射束引導(dǎo)管104的一端上。電子源101是例如熱場發(fā)射器。然而，本發(fā)明并不限于這樣一種電子源。而是，可使用任何電子源。從電子源101出射的電子形成了一次電子束。電子由于電子源101與陽極103之間的電勢差而被加速至陽極電勢。這個(gè)示例性實(shí)施例中的陽極電勢在相對于物體腔室120的接地電勢的0.2kv與30kv之間，例如5kv至15kv，具體地8kv，但替代地，它還可以是接地電勢。兩個(gè)聚光透鏡被安排在射束引導(dǎo)管104處，即，第一聚光透鏡105和第二聚光透鏡106，如從電子源101朝向物鏡107觀看，第一聚光透鏡105位于前方，且接著是第二聚光透鏡106。然而，本發(fā)明并不限于使用兩個(gè)聚光透鏡。而是，另外一個(gè)實(shí)施例可僅包括單個(gè)聚光透鏡。第一光闌單元108被安排在陽極103與第一聚光透鏡105之間。第一光圈單元108與陽極103和射束引導(dǎo)管104一起處于高壓電勢，即陽極103的電勢或接地電勢。第一光圈單元108可具有數(shù)個(gè)第一光圈開口108a。所述第一光圈開口108a之一示于圖1中。例如，第一光圈單元108具有兩個(gè)第一光圈開口108a。數(shù)個(gè)第一光圈開口108a的每個(gè)可具有不同開口直徑?？墒褂眠m配機(jī)構(gòu)將所選擇的第一光圈開口108a被安排在sem100的光軸oa處。然而，本發(fā)明并不限于本實(shí)施例。而是，在替代實(shí)施例中，第一光圈單元108可僅具有單個(gè)第一光圈開口108a。這個(gè)替代實(shí)施例未使用適配機(jī)構(gòu)。這個(gè)替代實(shí)施例的第一光圈單元108圍繞光軸oa固定安排。固定第二光圈單元109被安排在第一聚光透鏡105與第二聚光透鏡106之間。替代地，第二光圈單元109是可移動的。物鏡107具有極片110，在極片中已經(jīng)制作了孔隙。射束引導(dǎo)管104被安排并且被引導(dǎo)穿過這個(gè)孔隙。此外，線圈111被安排在極片110中。靜電減速裝置位于射束引導(dǎo)管104的下游。它具有被安排在射束引導(dǎo)管104面向物體114的一端處的單個(gè)電極112和管形電極113。因此，管形電極113與射束引導(dǎo)管104一起處于陽極103的電勢，而單個(gè)電極112和物體114處于比陽極103低的電勢。在這種情況下，這是物體腔室120的接地電勢。因此，一次電子束的電子可被減速至分析物體114所需的期望能量。此外，sem100具有掃描裝置115，一次電子束可經(jīng)由所述掃描裝置115偏轉(zhuǎn)且跨物體114掃描。在這個(gè)過程中，一次電子束的電子與物體114相互作用。作為這種相互作用的結(jié)果，將產(chǎn)生被檢測到的相互作用粒子和/或相互作用輻射。評估以這種方式獲得的檢測信號。作為相互作用粒子，具體地電子從物體114的表面發(fā)射(所謂的二次電子)或一次電子束的電子被反向散射(所謂的反向散射電子)。為了檢測二次電子和/或反向散射電子，具有第一檢測器116和第二檢測器117的檢測器系統(tǒng)被安排在射束引導(dǎo)管104中。在射束引導(dǎo)管104中，第一檢測器116沿著光軸oa被安排在源側(cè)，而第二檢測器117沿著光軸oa被安排在物體側(cè)。此外，第一檢測器116和第二檢測器117被安排為朝向sem100的光軸oa彼此偏離。第一檢測器116和第二檢測器117兩者各具有一次電子束可穿過的通孔，且它們大致處于陽極103和射束引導(dǎo)管104的電勢。sem100的光軸oa穿過對應(yīng)通孔。第二檢測器117主要用于檢測二次電子。從物體114發(fā)射的二次電子具有低動能和任意移動方向。然而，二次電子由于由管形電極113在物鏡107的方向上生成的強(qiáng)引出場而加速。二次電子幾乎平行于光軸oa進(jìn)入物鏡107。二次電子的束團(tuán)的直徑在物鏡107中是小的。然而，物鏡107影響二次電子的束且生成具有相對于光軸oa的相對陡角的二次電子的短聚焦，使得二次電子在聚焦后彼此發(fā)散，并且可撞擊在第二檢測器117上。反向散射在物體114上的電子(即，反向散射電子)在從物體114離開時(shí)與二次電子相比具有相對較高動能。僅由第二檢測器117在極小程度上檢測反向散射電子。高動能和反向散射電子束在于物體114處反向散射時(shí)相對于光軸oa的角度導(dǎo)致反向散射電子的束腰，即具有最小直徑的束區(qū)域，束腰被安排在第二檢測器117附近。因此，反向散射電子的大部分穿過第二檢測器117的開口。相應(yīng)地，反向散射電子主要由第一檢測器116檢測。sem100的另外一個(gè)實(shí)施例的第一檢測器116可具有反向場網(wǎng)格116a，其是具有相反電勢的場網(wǎng)格。反向場網(wǎng)格116a可被安排在第一檢測器116面向物體114的一側(cè)上。反向場網(wǎng)格116a可包括相對于射束引導(dǎo)管104的電勢的負(fù)電勢，使得主要或僅具有高能量的反向散射電子可穿過反向場網(wǎng)格116a且撞擊在第一檢測器116上。額外地或替代地，第二檢測器117可具有另外一個(gè)反向場網(wǎng)格，其類似于第一檢測器116的上述反向場網(wǎng)格116a設(shè)計(jì)且具有類似功能。由第一檢測器116和第二檢測器117生成的檢測信號用于生成物體114的表面的圖像。明確指出第一光圈單元108和第二光圈單元109的光圈開口以及第一檢測器116和第二檢測器117的通孔以夸大方式表示。第一檢測器116和第二檢測器117的通孔具有垂直于光軸oa的介于1mm與5mm之間的最大長度。例如，它們具有圓形設(shè)計(jì)且具有在垂直于光軸oa的1mm至3mm的范圍中的直徑。在此處示出的示例性實(shí)施例中，第二光圈單元109是具有供一次電子束穿過的第二光圈開口118的圓形光圈，第二光圈開口118具有在25μm至50μm的范圍中，例如35μm的延伸。第二光圈單元109可以是壓力級光圈。另外一個(gè)示例性實(shí)施例的第二光圈單元109可具有數(shù)個(gè)開口，其可相對于一次電子束機(jī)械移動或可使用電和/或磁偏轉(zhuǎn)裝置被一次電子束穿過。如上所述，第二光圈單元109還可以是壓力級單元。它將具有超高真空(10-7至10-12hpa)的其中安排有電子源101的第一區(qū)域與具有高真空(10-3至10-7hpa)的第二區(qū)域分開。第二區(qū)域是通向物體腔室120的射束引導(dǎo)管104的中間壓力區(qū)域。除上文所述的檢測器系統(tǒng)外，sem100具有被安排在物體腔室120中的輻射檢測器500。例如，輻射檢測器500定位在射束引導(dǎo)管104與物體114之間。此外，輻射檢測器500定位在物體114的一側(cè)上。輻射檢測器500可以是ccd檢測器。物體腔室120在第一壓力范圍或第二壓力范圍中運(yùn)行，其中，第一壓力范圍僅包括低于或等于10-3hpa的壓力，并且其中，第二壓力范圍僅包括等于或高于10-3hpa的壓力。壓力傳感器600被安排在物體腔室120中用于測量物體腔室120中的壓力。連接至壓力傳感器600且被安排在物體腔室120處的泵系統(tǒng)601在物體腔室120中提供壓力范圍，第一壓力范圍或第二壓力范圍。sem100可進(jìn)一步具有被安排在物體腔室120中的第三檢測器121。如從電子源101在沿著光軸oa的物體114的方向上所見，第三檢測器121被安排在物體114的下游。一次電子束可透射穿過物體114。一次電子束的電子與物體114的材料相互作用。將使用第三檢測器121檢測透射穿過物體114的電子。第一檢測器116、第二檢測器117和輻射檢測器500連接至控制單元700。控制單元700包括處理器701，包括程序代碼的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品被加載至所述處理器701中，所述程序代碼在被執(zhí)行時(shí)以使得根據(jù)本發(fā)明的方法被執(zhí)行的方式來控制sem100。下文將對此進(jìn)行進(jìn)一步說明。圖1a示出了另外的sem100的示意圖。圖1a的實(shí)施例基于圖1的實(shí)施例。相同參考符號表示指示完全相同的組件。與圖1的sem100相比，圖1a的sem100包括物體腔室122。限壓光圈602被安排在射束引導(dǎo)管104與物體腔室122的物體區(qū)域123之間。根據(jù)圖1a的sem100具體地適于在第二壓力范圍中操作的sem100。圖2是根據(jù)本發(fā)明的帶電粒子束裝置的另外一個(gè)實(shí)施例的示意圖。帶電粒子束裝置的本實(shí)施例用參考符號200來表示，且包括用于校正例如色像差和球面像差的校正鏡。下文將對此進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)說明。帶電粒子束裝置200包括體現(xiàn)為電子束柱的粒子束柱201，且原則上對應(yīng)于經(jīng)校正sem的電子束柱。然而，根據(jù)本發(fā)明的帶電粒子束裝置200并不限于具有校正鏡的sem。而是，可使用包括校正單元的任何帶電粒子束裝置。粒子束柱201包括作為陰極的電子源202形式的射束發(fā)生器、引出電極203和陽極204。舉例而言，電子源202可以是熱場發(fā)射器。從電子源202出射的電子因電子源202與陽極204之間的電勢差而由陽極204加速。相應(yīng)地，沿著第一光軸oa1提供電子束形式的一次粒子束。使用第一靜電透鏡205、第二靜電透鏡206和第三靜電透鏡207沿著束路徑(其在一次粒子束已從電子源202出射之后大致是第一光軸oa1)引導(dǎo)一次粒子束。使用至少一個(gè)束對準(zhǔn)裝置沿著束路徑對準(zhǔn)一次粒子束。本實(shí)施例的束對準(zhǔn)裝置包括槍對準(zhǔn)單元，其包括沿著第一光軸oa1被安排的兩個(gè)磁偏轉(zhuǎn)單元208。此外，粒子束裝置200包括靜電束偏轉(zhuǎn)單元。第一靜電束偏轉(zhuǎn)單元209被安排第二靜電透鏡206與第三靜電透鏡207之間。第一靜電束偏轉(zhuǎn)單元209還被安排在磁偏轉(zhuǎn)單元208的下游。第一磁偏轉(zhuǎn)單元形式的第一多極單元209a被安排在第一靜電束偏轉(zhuǎn)單元209的一側(cè)上。此外，第二磁偏轉(zhuǎn)單元形式的第二多極單元209b被安排在第一靜電束偏轉(zhuǎn)單元209的另一側(cè)上。第一靜電束偏轉(zhuǎn)單元209、第一多極單元209a和第二多極單元209b用于相對于第三靜電透鏡207的軸和射束偏轉(zhuǎn)裝置210的入射窗調(diào)整一次粒子束。第一靜電束偏轉(zhuǎn)單元209、第一多極單元209a和第二多極單元209b可一起充當(dāng)wien濾波器。另外一個(gè)磁偏轉(zhuǎn)裝置232被安排在射束偏轉(zhuǎn)裝置210的入口處。射束偏轉(zhuǎn)裝置210用作粒子-光束分離器，其以特定方式偏轉(zhuǎn)一次粒子束。射束偏轉(zhuǎn)裝置210包括數(shù)個(gè)磁性扇區(qū)，即第一磁性扇區(qū)211a、第二磁性扇區(qū)211b、第三磁性扇區(qū)211c、第四磁性扇區(qū)211d、第五磁性扇區(qū)211e、第六磁性扇區(qū)211f和第七磁性扇區(qū)211g。一次粒子束沿著第一光軸oa1進(jìn)入射束偏轉(zhuǎn)裝置210，且由射束偏轉(zhuǎn)裝置210在第二光軸oa2的方向上偏轉(zhuǎn)。所述束偏轉(zhuǎn)由處于30°至120°的角度的第一磁性扇區(qū)211a、第二磁性扇區(qū)211b和第三磁性扇區(qū)211c提供。第二光軸oa2被安排為與第一光軸oa1完全相同的角度。射束偏轉(zhuǎn)裝置210還在第三光軸oa3的方向上偏轉(zhuǎn)沿著第二光軸oa2引導(dǎo)的一次粒子束。射束偏轉(zhuǎn)由第三磁性扇區(qū)211c、第四磁性扇區(qū)211d和第五磁性扇區(qū)211e來提供。在圖2中所示的實(shí)施例中，至第二光軸oa2和至第三光軸oa3的偏轉(zhuǎn)將通過按90°角偏轉(zhuǎn)一次粒子束而完成。因此，第三光軸oa3同軸于第一光軸oa1延伸。然而，根據(jù)本發(fā)明的帶電粒子束裝置200并不限于90°偏轉(zhuǎn)角。而是，可結(jié)合射束偏轉(zhuǎn)裝置210使用任何適當(dāng)偏轉(zhuǎn)角(例如70°或110°)，使得第一光軸oa1不同軸于第三光軸oa3延伸。有關(guān)射束偏轉(zhuǎn)裝置210的進(jìn)一步細(xì)節(jié)，參考wo2002/067286a2，該專利文件通過引用并入本文中。在被第一磁性扇區(qū)211a、第二磁性扇區(qū)211b和第三磁性扇區(qū)211c偏轉(zhuǎn)后，沿著第二光軸oa2引導(dǎo)一次粒子束。一次粒子束被引導(dǎo)至靜電反射鏡214，且在其至靜電反射鏡214的途中穿過第四靜電透鏡215、磁偏轉(zhuǎn)單元形式的第三多極單元216a、第二靜電束偏轉(zhuǎn)單元216、第三靜電束偏轉(zhuǎn)單元217和磁偏轉(zhuǎn)單元形式的第四多極單元216b。靜電反射鏡214包括第一反射鏡電極213a、第二反射鏡電極213b和第三反射鏡電極213c。被靜電反射鏡214反射回來的一次粒子束的電子沿著第二光軸oa2運(yùn)行，并且再次進(jìn)入射束偏轉(zhuǎn)裝置210。它們被第三磁性扇區(qū)211c、第四磁性扇區(qū)211d和第五磁性扇區(qū)211e偏轉(zhuǎn)朝向第三光軸oa3。一次粒子束的電子離開射束偏轉(zhuǎn)裝置210，沿著第三光軸oa3被引導(dǎo)至待檢查物體225。在其至物體225的途中，一次粒子束穿過第五靜電透鏡218、射束引導(dǎo)管220、第五多極單元218a、第六多極單元218b和物鏡221。第五靜電透鏡218是靜電浸沒透鏡。一次粒子束由第五靜電透鏡218減速或加速至射束引導(dǎo)管220的電勢。一次粒子束由物鏡221聚焦在物體225所定位的聚焦平面中。物體225被安排在可移動樣本臺224上?？梢苿訕颖九_224被安排在帶電粒子束裝置200的物體腔室226。物鏡221可實(shí)施為磁透鏡222與第六靜電透鏡223的組合。射束引導(dǎo)管220的一端可以是靜電透鏡的一個(gè)電極。一次粒子束的粒子在從射束引導(dǎo)管220離開后被減速至被安排在樣本臺224上的物體225的電勢。物鏡221并不限于磁透鏡222與第六靜電透鏡223的組合。而是，物鏡221可實(shí)施為任何適當(dāng)形式。具體地，物鏡221還可僅為單純磁透鏡或僅為單純靜電透鏡。聚焦在物體225上的一次粒子束與物體225相互作用。生成相互作用粒子和相互作用輻射。具體地，由物體225發(fā)射二次電子，且從物體225返回反向散射電子。二次電子和反向散射電子再次被加速且沿著第三光軸oa3被引導(dǎo)至射束引導(dǎo)管220中。具體地，二次電子和反向散射電子在一次粒子束的相反方向上在一次粒子束的束路徑上行進(jìn)。帶電粒子束裝置200包括沿著束路徑被安排于射束偏轉(zhuǎn)裝置210與物鏡221之間的第一檢測器219。通過第一檢測器219檢測在按相對于第三光軸oa3的大角度定向的方向上引導(dǎo)的二次電子。然而，在第一檢測器219處在具有相對于第三光軸oa3的小軸向距離的方向上引導(dǎo)的反向散射電子和二次電子(即在第一檢測器219的位置處具有至第三光軸oa3的小距離的反向散射電子和二次電子)進(jìn)入射束偏轉(zhuǎn)裝置210，且被第五磁性扇區(qū)211e、第六磁性扇區(qū)211f和第七磁性扇區(qū)211g沿著檢測束路徑227偏轉(zhuǎn)至分析單元231的第二檢測器228?？偲D(zhuǎn)角可以是例如90°或110°。第一檢測器219主要基于所發(fā)射的二次電子生成檢測信號。分析單元231的第二檢測器228主要基于反向散射電子生成檢測信號。由第一檢測器219和第二檢測器228生成的檢測信號被傳輸至控制單元700且用于獲得關(guān)于聚焦一次粒子束與物體225的相互作用區(qū)域的性質(zhì)的信息。如果使用掃描裝置229在物體225上方掃描聚焦一次粒子束并且如果控制單元700獲取并且存儲由第一檢測器219和第二檢測器228生成的檢測信號，則可通過控制單元700或監(jiān)視器(未示出)獲取并且顯示物體225的經(jīng)掃描區(qū)域的圖像。濾波器電極230可被安排在分析單元231的第二檢測器228的前方。由于二次電子與反向散射電子之間的動能差，濾波器電極230可用于將二次電子與反向散射電子分開。除第一檢測器219和第二檢測器228外，帶電粒子束裝置200還具有被安排在物體腔室226中的輻射檢測器500。輻射檢測器500定位在物體225的一側(cè)上且被引導(dǎo)至物體225。輻射檢測器500可以是ccd檢測器，且檢測由一次粒子束與物體225的相互作用產(chǎn)生的相互作用輻射，具體地x射線和/或陰極射線光。物體腔室226在第一壓力范圍或第二壓力范圍中運(yùn)行，其中，第一壓力范圍僅包括低于或等于10-3hpa的壓力，并且其中，第二壓力范圍僅包括等于或高于10-3hpa的壓力。壓力傳感器600被安排在物體腔室226中用于測量物體腔室226中的壓力。連接至壓力傳感器600且被安排在物體腔室226處的泵系統(tǒng)601在物體腔室226中提供壓力范圍，第一壓力范圍或第二壓力范圍。第一檢測器219、分析單元231的第二檢測器228和輻射檢測器500連接至控制單元700?？刂茊卧?00包括處理器701，包括程序代碼的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品被加載至所述處理器中，所述程序代碼在被執(zhí)行時(shí)以使得根據(jù)本發(fā)明的方法被執(zhí)行的方式來控制帶電粒子束裝置200。下文將對此進(jìn)行進(jìn)一步說明。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的帶電粒子束裝置300的另一實(shí)施例的示意圖。帶電粒子束裝置300具有離子束柱形式的第一粒子束柱301和電子束柱形式的第二粒子束柱302。第一粒子束柱301和第二粒子束柱302被安排在物體腔室303上，在所述物體腔室中安排有待分析和/或處理物體304。明確指出，本文中描述的系統(tǒng)并不限于離子束柱形式的第一粒子束柱301和電子束柱形式的第二粒子束柱302。實(shí)際上，本文中描述的系統(tǒng)還將第一粒子束柱301提供為電子束柱形式并且將第二粒子束柱302提供為離子束柱形式。本文中描述的系統(tǒng)的另外一個(gè)實(shí)施例將第一粒子束柱301和第二粒子束柱302兩者各自提供為離子束柱形式。圖4示出了圖3中所示的帶電粒子束裝置300的詳圖。為清晰起見，未圖示物體腔室303。離子束柱形式的第一粒子束柱301具有第一光軸305。此外，電子束柱形式的第二粒子束柱302具有第二光軸306。接下來將描述電子束柱形式的第二粒子束柱302。第二粒子束柱302具有第二射束發(fā)生器307、第一電極308、第二電極309和第三電極310。舉例而言，第二射束發(fā)生器307是熱場發(fā)射器。第一電極308具有抑制電極的功能，而第二電極309具有引出電極的功能。第三電極310是陽極，并且同時(shí)形成射束引導(dǎo)管311的一端。電子束形式的第二粒子束312由第二射束發(fā)生器307生成。從第二射束發(fā)生器307出射的電子因第二射束發(fā)生器307與第三電極310之間的電勢差而被加速至陽極電勢，例如，在從1kv至30kv的范圍中。電子束形式的第二粒子束312穿過射束引導(dǎo)管311,且被聚焦至待分析和/或處理物體304上。這將在下文進(jìn)一步更詳細(xì)描述。射束引導(dǎo)管311穿過準(zhǔn)直器安排313，其具有第一環(huán)形線圈314和偏轉(zhuǎn)線圈315。從第二射束發(fā)生器307在物體304的方向上看，準(zhǔn)直器安排313之后是針孔光闌316和檢測器317，其中中心開口318沿著射束引導(dǎo)管311中的第二光軸306安排。射束引導(dǎo)管311接著延伸穿過第二物鏡319中的孔。第二物鏡319用于將第二粒子束312聚焦至物體304上。為此目的，第二物鏡319具有磁透鏡320和靜電透鏡321。磁透鏡320具備第二環(huán)形線圈322、內(nèi)極片323和外極片324。靜電透鏡321包括射束引導(dǎo)管311的一端325和端接電極326。射束引導(dǎo)管311的一端325和端接電極326同時(shí)形成靜電減速裝置。射束引導(dǎo)管311的一端325與射束引導(dǎo)管311一起處于陽極電勢上，而端接電極326和物體304處于低于陽極電勢的電勢上。這允許第二粒子束312的電子被減速至檢查物體304所需的期望能量。第二粒子束柱302此外具有光柵裝置327，通過所述光柵裝置327，第二粒子束312可被偏轉(zhuǎn)且以光柵形式在物體304上方掃描。為了成像目的，被安排在射束引導(dǎo)管311中的檢測器317檢測由第二粒子束312與物體304之間的相互作用產(chǎn)生的二次電子和/或反向散射電子。由檢測器317生成的信號被傳輸至控制單元700。相互作用輻射(例如，x射線或陰極射線光)可通過使用輻射檢測器500(例如ccd檢測器)檢測，所述輻射檢測器500被安排在物體腔室303中(見圖3)。輻射檢測器500定位在物體304的一側(cè)上且被引導(dǎo)至物體304。物體304被安排在如圖3中所示的樣本臺形式的物體固持器328上，物體304通過所述物體固持器328被安排，從而使得它可沿著被安排為互相垂直的三個(gè)軸(具體地x軸、y軸和z軸)移動。此外，樣本臺可繞被安排為互相垂直的兩個(gè)旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)。因此可將物體304移動至期望位置。物體固持器328繞兩個(gè)旋轉(zhuǎn)軸之一的旋轉(zhuǎn)可用于傾斜物體固持器328，使得物體304的表面可垂直于第二粒子束312或第一粒子束329定向，下文將對此進(jìn)行進(jìn)一步說明。替代地，物體304的表面可以使得一方面物體304的表面和另一方面第一粒子束329或第二粒子束312處于例如在0°至90°的范圍中的角度的方式被定向。如上所述，參考符號301表示離子束柱形式的第一粒子束柱。第一粒子束柱301具有離子源形式的第一射束發(fā)生器330。第一射束發(fā)生器330用于生成離子束形式的第一粒子束329。此外，第一粒子束柱301具備引出電極331和準(zhǔn)直器332。在沿著第一光軸305的物體304的方向上，準(zhǔn)直器332之后是可變光圈333。第一粒子束329通過聚焦透鏡形式的第一物鏡334聚焦至物體304上。提供光柵電極335從而以光柵形式在物體304上方掃描第一粒子束329。當(dāng)?shù)谝涣Ｗ邮?29沖擊物體304時(shí)，第一粒子束329與物體304的材料相互作用。在所述過程中，相互作用輻射生成并且使用輻射檢測器500檢測。生成相互作用粒子，具體地二次電子和/或二次離子。這些使用檢測器317檢測。物體腔室303在第一壓力范圍或第二壓力范圍中運(yùn)行，其中，第一壓力范圍僅包括低于或等于10-3hpa的壓力，并且其中，第二壓力范圍僅包括等于或高于10-3hpa的壓力。壓力傳感器600安排在物體腔室303中用于測量物體腔室303中的壓力(見圖3)。連接至壓力傳感器600且安排在物體腔室303處的泵系統(tǒng)601在物體腔室303中提供壓力范圍，第一壓力范圍或第二壓力范圍。第一粒子束329還可用于處理物體304。例如，可使用第一粒子束329將材料沉積在物體304的表面上，其中，材料使用氣體注入系統(tǒng)(gis)提供。額外地或替代地，可使用第一粒子束329將結(jié)構(gòu)蝕刻至物體304中。此外，第二粒子束312可用于例如通過電子束致沉積處理物體304。檢測器317和輻射檢測器500連接至控制單元700，如圖3和圖4中所示?？刂茊卧?00包括處理器701，包括程序代碼的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品被加載至所述處理器中，所述程序代碼在被執(zhí)行時(shí)以使得根據(jù)本發(fā)明的方法被執(zhí)行的方式來控制帶電粒子束裝置300。下文將對此進(jìn)行進(jìn)一步說明?，F(xiàn)將說明根據(jù)本發(fā)明的方法的實(shí)施例，所述方法使用根據(jù)圖1的sem100執(zhí)行。注意，所述方法還可用其它帶電粒子束裝置(具體地圖1a的sem100、圖2的帶電粒子束裝置200和圖3和圖4的帶電粒子束裝置300)執(zhí)行。如圖1、圖1a、圖2至圖4中所示，控制單元700還包括數(shù)據(jù)庫702。數(shù)據(jù)庫702是包括關(guān)于礦物形式的粒子的信息的查找表在優(yōu)選實(shí)施例中，數(shù)據(jù)庫702包括來自源自全球不同地區(qū)的真實(shí)樣本的礦物的特性。關(guān)于粒子的信息獲得一次且存儲在數(shù)據(jù)庫702中。獲得這種信息的實(shí)施例示于圖5中。校準(zhǔn)帶電粒子束裝置，例如圖1的sem100。因此，確定sem100的特定操作模式。具體地，選擇撞擊在物體114上的一次電子的著陸能量(例如，15kev)。此外，在方法步驟sa1中通過將一次電子束引導(dǎo)至作為物體114的已知標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)物體和通過檢測相互作用粒子和相互作用輻射而校準(zhǔn)第一檢測器116、第二檢測器117、第三檢測器121和輻射檢測器500。選擇第一檢測器116、第二檢測器117、第三檢測器121和輻射檢測器500的控制參數(shù)(諸如信號放大或檢測器電壓)，其方式為使得以特定方式獲得已知標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)物體的圖像和輻射光譜。在校準(zhǔn)之后，在方法步驟sa2中獲得來自全球不同地區(qū)的礦物形式的樣本的特性。具體地，信息包括每種礦物通常在由相互作用粒子生成的圖像中具有的灰度級。這種灰度級可通過在sem100中初步分析這些粒子，使用相互作用粒子(諸如二次電子和/或反向散射電子)生成圖像而確定。此外，生成灰度級直方圖。特定粒子的圖像的灰度級直方圖是圖像中的像素的像素強(qiáng)度值的直方圖。直方圖包括具有特定灰度級強(qiáng)度的像素的計(jì)數(shù)。通常，直方圖以峰值形式示出像素的高分布。峰值的中心被確定且用作這個(gè)特定粒子的灰度級，并且在方法步驟sa3中存儲在數(shù)據(jù)庫702中。替代地，可使用適于在直方圖中確定特定粒子的灰度級的任何其它方法，具體地像高斯模型的統(tǒng)計(jì)方法。圖6示出了準(zhǔn)備sem100用于分析和準(zhǔn)備待分析物體的根據(jù)本發(fā)明的方法的實(shí)施例的方法步驟。由于用于獲得存儲在數(shù)據(jù)庫702中的信息的帶電粒子束裝置與用于分析未知物體的帶電粒子束裝置可能并不完全相同，所以優(yōu)選的是在方法步驟sb1中校準(zhǔn)用于分析的帶電粒子束裝置。如果使用sem100執(zhí)行分析，則校準(zhǔn)sem100。通過選擇用于獲得上述特性的一次電子的完全相同的著陸能量(即，15kev)來校準(zhǔn)sem100。此外，通過將一次電子束引導(dǎo)至作為物體114的已知標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)物體和通過檢測相互作用粒子和相互作用輻射而校準(zhǔn)第一檢測器116、第二檢測器117、第三檢測器121和輻射檢測器500。選擇第一檢測器116、第二檢測器117、第三檢測器121和輻射檢測器500的控制參數(shù)(諸如信號放大或檢測器電壓)，其方式為使得以用于獲得特性的特定方式獲得已知標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)物體的圖像和輻射光譜。在方法步驟sb2中準(zhǔn)備待分析物體。例如，使用圖3和圖4的帶電粒子束裝置300拋光待分析物體的表面。此外，待分析物體可涂布導(dǎo)電材料(諸如碳或金屬)以最小化待分析物體的表面上的電荷積聚。所述方法的實(shí)施例的流程圖示于圖7中。在方法步驟s1中通過使用掃描裝置115在物體114上方引導(dǎo)一次電子束形式的帶電粒子束。在另外一個(gè)方法步驟s2中，通過使用第一檢測器116檢測反向散射電子形式的相互作用粒子和/或使用第二檢測器117檢測二次電子。第一檢測器116和第二檢測器117生成可用于生成物體114的圖像的第一檢測信號。物體114的所生成圖像800示于圖8中的示意圖中。圖像800的分辨率可小于100nm。根據(jù)本發(fā)明的方法的實(shí)施例現(xiàn)在在方法步驟s3中識別粒子(例如礦物)的大顆粒。大顆粒是例如大于2μm。礦物的大顆?？删哂?μm×2μm×2μm的體積。在圖像800中識別第一大顆粒801和第二大顆粒802(見圖8)。可使用輻射光譜通過執(zhí)行edx識別第一大顆粒801和第二大顆粒802的組成?？蓪⒁淮坞娮邮问降膸щ娏Ｗ邮龑?dǎo)至第一大顆粒801的中心，且隨后引導(dǎo)至第二大顆粒802。使用輻射檢測器500檢測相互作用輻射。如上所述，相互作用輻射可以是x射線或陰極射線光。在根據(jù)本發(fā)明的方法的本實(shí)施例，檢測x射線。輻射檢測器500生成第二檢測信號。生成第一大顆粒801的輻射光譜和第二大顆粒802的輻射光譜。每個(gè)輻射光譜包括例如依據(jù)x射線的能量的信號強(qiáng)度。這樣一種輻射光譜的示意圖示于圖9中。輻射光譜可用于edx。隨后，在已執(zhí)行方法步驟s3后，得知大顆粒在圖像800中的位置和它們的組成。此外，在方法步驟s4中使用圖像800識別有機(jī)顆粒。例如，識別有機(jī)顆粒803。為有機(jī)顆粒803指定給定化學(xué)組成，例如按重量計(jì)95％的碳和按重量計(jì)5％的氧的給定化學(xué)組成。有機(jī)材料的這種組成非常常見且準(zhǔn)確。隨后，在已執(zhí)行方法步驟s4后，得知有機(jī)顆粒在圖像800中的位置和它們的組成。此外，在方法步驟s5中使用圖像800識別孔隙。例如，識別孔隙804。因此，在已執(zhí)行方法步驟s5后，得知孔隙在圖像800中的位置。方法步驟s6現(xiàn)在包括在物體114上方引導(dǎo)一次電子束形式的帶電粒子束。每2μm停止帶電粒子束一次，且使用輻射檢測器500檢測相互作用輻射。如上所述，相互作用輻射可以是x射線或陰極射線光。在根據(jù)本發(fā)明的方法的本實(shí)施例，檢測x射線。輻射檢測器500生成第二檢測信號。此外，在帶電粒子束每次停止時(shí)使用第二檢測信號生成輻射光譜。輻射光譜包括例如依據(jù)x射線能量的信號強(qiáng)度。每個(gè)輻射光譜表示物體114的體積單元502，如圖10中所示。體積單元502具有沿著x軸形式的第一軸的第一延伸、沿著y軸形式的第二軸的第二延伸和沿著z軸形式的第三軸的第三延伸。第一軸、第二軸和第三軸可被安排為互相垂直。第一延伸、第二延伸和/或第三延伸可以是2μm。然而，第一延伸、第二延伸和/或第三延伸并不限于這個(gè)值。而是，可選擇任何適當(dāng)值。體積單元502具有被第一軸和第二軸跨越的體積單元表面503。圖像800的圖像分辨率小于以下各項(xiàng)中的至少一項(xiàng)：第一延伸、第二延伸和第三延伸。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，圖像分辨率是100nm，而第一延伸、第二延伸和第三延伸是2μm。如圖像800中所示的物體114包括在圖11中示意示出的數(shù)個(gè)體積單元502。圖11中所示的實(shí)施例的物體114包括n×n體積單元502的陣列，其面向?yàn)樗鼈兊捏w積單元表面503在帶電粒子束b的方向上。帶電粒子束b實(shí)質(zhì)上垂直于圖表的平面撞擊在物體114上。用相互作用粒子生成的圖像800覆蓋全部體積單元502。在方法步驟s7中，現(xiàn)在例如由使用者選擇圖像800中的區(qū)域805，因?yàn)閼?yīng)了解這個(gè)區(qū)域805包括體積單元502，每個(gè)體積單元均可包括數(shù)種礦物。選擇并且考慮所述體積單元502之一。這個(gè)被考慮體積單元502的輻射光譜(即，基于從被考慮體積單元502發(fā)射的x射線生成的edx光譜)不僅可包括關(guān)于單種礦物的信息，而且可包括關(guān)于位于被考慮體積單元502中的另外的周圍礦物的信息。因此，由edx光譜提供的信息可能無法被理解或可能導(dǎo)致錯(cuò)誤結(jié)果。相應(yīng)地，在方法步驟s8中執(zhí)行校正。校正的流程圖示于圖7a中。在方法步驟s81中識別被考慮體積單元502的輻射光譜。如上所述，輻射光譜是基于從被考慮體積單元502發(fā)射的x射線生成的edx光譜。例如，輻射光譜揭示被考慮體積單元502包括按重量計(jì)7％的c、按重量計(jì)45％的o、按重量計(jì)14％的si、按重量計(jì)5.3％的s、按重量計(jì)24％的ca和按重量計(jì)4.7％的fe的信息。目標(biāo)是識別位于被考慮體積單元502中的礦物。根據(jù)本發(fā)明的方法的實(shí)施例還包括在步驟s82中將對應(yīng)于被考慮體積單元502的體積單元表面503的圖像800的部分分割為色彩區(qū)段(例如，灰色區(qū)段)的步驟。分別針對體積單元502和體積單元表面503，將使用相互作用粒子生成，且具有較高分辨率的圖像800的部分分割，其方式為使得圖像800的部分包括具有三個(gè)顏色級的區(qū)域，即，第一顏色級、第二顏色級和第三顏色級。第一顏色級、第二顏色級和/或第三顏色級可以是灰度級。通過使用被考慮體積單元502的體積單元表面503的灰度級直方圖確定灰度級。如上所述，物體114的圖像800的灰度級直方圖是圖像(即，使用相互作用粒子生成的圖像)中的像素的像素強(qiáng)度值的直方圖。直方圖包括具有特定灰度級強(qiáng)度的像素的計(jì)數(shù)。直方圖以峰值形式示出像素的高分布。如果在直方圖中示出三個(gè)峰值，則所述三個(gè)峰值被識別第一灰度級形式的第一顏色級(第一峰值)、第二灰度級形式的第二顏色級(第二峰值)和第三灰度級形式的第三顏色級(第三峰值)。圖12示意地示出包括三個(gè)峰值的灰度級直方圖的一個(gè)實(shí)例，即強(qiáng)度128處的峰值p1、強(qiáng)度171處的峰值p2和強(qiáng)度255處的峰值p3。如果在灰度級直方圖中示出多于三個(gè)峰值，則僅選擇最強(qiáng)的三個(gè)峰。通過識別峰值p1至p3的開始和結(jié)束而執(zhí)行分割。這可通過簡單將兩個(gè)相鄰峰值的距離分為兩半或例如通過使用統(tǒng)計(jì)方法(諸如被稱作gmm的高斯混合模型)而完成。因此，在圖12中所示的實(shí)施例中，生成被稱作被考慮體積單元502的圖像800的部分中的三個(gè)區(qū)段，即，區(qū)段i、區(qū)段ii和區(qū)段iii。示出被考慮體積單元502的體積單元表面503的圖像800的部分示于圖13中。區(qū)段i具有第一顏色級(例如，第一灰度級)。區(qū)段ii具有第二顏色級(例如，第二灰度級)，且區(qū)段iii具有第三顏色級(例如，第三灰度級)。根據(jù)本發(fā)明的方法的實(shí)施例還包括以下步驟：在方法步驟s83中確定體積單元表面503的區(qū)域的包括第一灰度級的第一區(qū)域分?jǐn)?shù)，確定體積單元表面503的區(qū)域的包括第三灰度級的第二區(qū)域分?jǐn)?shù)，確定體積單元表面503的區(qū)域的包括第三灰度級的第三區(qū)域分?jǐn)?shù)。這可通過使用對應(yīng)于體積單元表面503的圖像800的部分測量區(qū)域分?jǐn)?shù)來完成。舉例而言，假設(shè)體積單元表面503的區(qū)域的包括區(qū)段i的第一灰度級的第一區(qū)域分?jǐn)?shù)是體積單元表面503的面積的30％，體積單元表面503的區(qū)域的包括區(qū)段ii的第二灰度級的第二區(qū)域分?jǐn)?shù)是體積單元表面503的面積的60％，并且體積單元表面503的區(qū)域的包括區(qū)段iii的第三灰度級的第三區(qū)域分?jǐn)?shù)是體積單元表面503的面積的10％。根據(jù)本發(fā)明的方法的實(shí)施例還包括以下步驟：在方法步驟s84中通過對每個(gè)灰度級與存儲在數(shù)據(jù)庫702中的信息進(jìn)行比較而識別與灰度級相關(guān)聯(lián)的粒子。如上所述，數(shù)據(jù)庫702是包括關(guān)于礦物形式的離子的信息的查找表。信息還包括礦物形式的每個(gè)粒子通常在使用相互作用粒子生成的圖像中具有的灰度級。因此，通過比較灰度級，可識別可位于被考慮體積單元502中的礦物形式的可能粒子。相應(yīng)地，通過對第一灰度級與存儲于數(shù)據(jù)庫702中的信息進(jìn)行比較而識別第一礦物形式的第一粒子。相同地，通過對第二灰度級與存儲于數(shù)據(jù)庫702中的信息進(jìn)行比較而識別第二礦物形式的第二粒子。通過對第三灰度級與存儲于數(shù)據(jù)庫702中的信息進(jìn)行比較而識別第三礦物形式的第三粒子。然而，由于數(shù)種礦物僅稍微彼此不同，所以它們可能在使用相互作用粒子生成的圖像中具有相同的灰度級。因此，數(shù)據(jù)庫702可包括針對礦物形式的不同粒子的完全相同的灰度級。如果在物體114的圖像800中獲得的灰度級與礦物形式的數(shù)種粒子相關(guān)聯(lián)，則數(shù)據(jù)庫702將提供與這個(gè)所獲得灰度級相關(guān)聯(lián)的全部礦物。使用者可針對每個(gè)所獲得灰度級選擇一些礦物，其根據(jù)使用者的假設(shè)可位于體積單元502中。例如，方法步驟s84揭示以下可能礦物：-具有第一灰度級的可能礦物：伊利石、石英和鈉長石(下文中稱作礦物1)。-具有第二灰度級的可能礦物：黑云母、針葉云母、方解石、鮞綠泥石和白云母(下文中稱作礦物2)。-具有第三灰度級的可能礦物是金紅石、黃鐵礦和閃鋅礦(下文中稱作礦物3)。根據(jù)本發(fā)明的方法的實(shí)施例還包括在方法步驟s85中確定被考慮體積單元502的組成的步驟。這個(gè)步驟使用關(guān)于礦物1形式的所識別第一粒子的信息、第一區(qū)域分?jǐn)?shù)、關(guān)于礦物2形式的第二粒子的信息、第二區(qū)域分?jǐn)?shù)、關(guān)于礦物3形式的第三粒子的信息和第三區(qū)域分?jǐn)?shù)。所考慮的體積單元502的組成由以第一區(qū)域分?jǐn)?shù)的量的第一粒子(采用礦物1的形式)、以第二區(qū)域分?jǐn)?shù)的量的第二粒子(采用礦物2的形式)與以第三區(qū)域分?jǐn)?shù)的量的第三粒子(采用礦物3的形式)按比例組成。換言之，第一粒子在被考慮體積單元502的組成中的比例與第一區(qū)域分?jǐn)?shù)在體積單元表面503的整個(gè)面積中的比例相等。此外，第二粒子在被考慮體積單元502的組成中的比例與第二區(qū)域分?jǐn)?shù)在體積單元表面503的整個(gè)面積中的比例相等。此外，第三粒子在被考慮體積單元502的組成中的比例與第三區(qū)域分?jǐn)?shù)在體積單元表面503的整個(gè)面積中的比例相等。然而，礦物1可以是如上所述的數(shù)種可能礦物之一。此外，礦物2可以是如上所述的數(shù)種可能礦物之一。此外，礦物3可以是如上所述的數(shù)種可能礦物之一。因此，需找到以下解決方案：組成礦物1×0.3礦物2×0.6礦物3×0.1應(yīng)等于由如上所述的被考慮體積單元502的輻射光譜提供的組成，即按重量計(jì)7％的c、按重量計(jì)45％的o、按重量計(jì)14％的si、按重量計(jì)5.3％的s、按重量計(jì)24％的ca和按重量計(jì)4.7％的fe。礦物1可以是以下之一：伊利石、石英和鈉長石。因此，礦物1是3種礦物中的一種。礦物2可以是以下之一：黑云母、針葉云母、方解石、鮞綠泥石和白云母。因此，礦物2是5種礦物中的一種。礦物3可以是以下之一：金紅石、黃鐵礦和閃鋅礦。因此，礦物3是3種礦物中的一種。因此，3×5×3種礦物組合是可能的(45個(gè)組合)，其可提供用輻射光譜提供的組成。相應(yīng)地，這45種組合的每個(gè)現(xiàn)在通過數(shù)字計(jì)算確定并且與用輻射光譜提供的組成比較。選擇最接近由輻射光譜提供的組成的所確定組成。所述比較步驟使用例如最小二乘法。舉例而言，45種可能組合之一是作為礦物1的石英、作為礦物2的方解石和作為礦物3的黃鐵礦的組合。石英由按重量計(jì)53.3％的o和按重量計(jì)46.7％的si組成。方解石由按重量計(jì)12％的c、按重量計(jì)48％的o和按重量計(jì)40％的ca組成。黃鐵礦由按重量計(jì)53.4％的s和按重量計(jì)46.6％的fe組成。因此，使用這個(gè)所確定組合，被考慮體積單元502包括組成(按重量計(jì)53.3％的o；按重量計(jì)46.7％的si)×0.3(按重量計(jì)12％的c、按重量計(jì)48％的o和按重量計(jì)40％的ca)×0.6(按重量計(jì)53.4％的s和按重量計(jì)46.6％的fe)×0.1這基于按重量計(jì)7.2％的c、按重量計(jì)44.8％的o、按重量計(jì)14％的si、按重量計(jì)5.34％的s、按重量計(jì)24％的ca、按重量計(jì)4.7％的fe的這種組合產(chǎn)生了被考慮體積單元502的確定組成。這非常接近用輻射光譜提供的組成，如表1中所示。表1：所確定組成組成輻射光譜按重量計(jì)7.2％的c按重量計(jì)7％的c按重量計(jì)44.8％的o按重量計(jì)45％的o按重量計(jì)14％的si按重量計(jì)14％的si按重量計(jì)5.34％的s按重量計(jì)5.3％的s按重量計(jì)24％的ca按重量計(jì)24％的ca按重量計(jì)4.7％的fe按重量計(jì)4.7％的fe如果表1中提及的所確定組成最接近由全部組成的輻射光譜基于可能組合提供的組成，則選擇表1中提及的所確定組成。相應(yīng)地，被考慮體積單元502包括30％的石英、60％的方解石和10％的黃鐵礦。在根據(jù)本發(fā)明的方法的另外一個(gè)實(shí)施例中，針對區(qū)域805的每個(gè)剩余體積單元502執(zhí)行分割步驟。根據(jù)本發(fā)明的方法使巖石學(xué)家可準(zhǔn)確確定巖石的礦物學(xué)性質(zhì)變?yōu)榭赡?。所述方法將由帶電粒子束裝置提供的圖像的高分辨率與由輻射分析(例如edx)提供的信息進(jìn)行組合。本文中討論的各種實(shí)施例可以結(jié)合本文中描述的系統(tǒng)的適當(dāng)組合彼此組合。此外，在一些實(shí)例中，流程圖和/或所描述流程處理中的步驟順序可適當(dāng)?shù)匦薷?。此外，本文中描述的系統(tǒng)的各種方面可使用軟件、硬件、軟件和硬件的組合和/或具有所描述特征和執(zhí)行所描述功能的其它計(jì)算機(jī)實(shí)施模塊或裝置實(shí)施。系統(tǒng)可進(jìn)一步包括用于提供與使用者和/或與其它計(jì)算機(jī)的適當(dāng)界面的顯示器和/或其它計(jì)算機(jī)組件。本文中描述的系統(tǒng)的方面的軟件實(shí)施方案可包括可執(zhí)行碼，其存儲在計(jì)算機(jī)可讀媒體中并且由一個(gè)或更多個(gè)處理器執(zhí)行。計(jì)算機(jī)可讀媒體可包括易失性存儲器和/或非易失性存儲器，并且可包括例如計(jì)算機(jī)、硬盤驅(qū)動器、rom、ram、閃存、便攜式計(jì)算機(jī)存儲媒體，諸如cd-rom、dvd-rom、so卡、閃存驅(qū)動器或具有例如通用串行總線(usb)接口的其它驅(qū)動器和/或上方可存儲且由處理器執(zhí)行可執(zhí)行碼的任何其它適當(dāng)有形或非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體或計(jì)算機(jī)存儲器。本文中描述的系統(tǒng)可結(jié)合任何適當(dāng)操作系統(tǒng)使用。本領(lǐng)域技術(shù)人員將從本說明書的閱讀和/或?qū)嵺`本文中揭露的本發(fā)明的努力中了解本發(fā)明的其它實(shí)施例。說明書和實(shí)例旨在僅被認(rèn)為是示例性的，其中本發(fā)明的真實(shí)范圍和精神由下文權(quán)利要求書指示。參考符號列表100sem101電子源102引出電極103陽極104射束引導(dǎo)管105第一聚光透鏡106第二聚光透鏡107物鏡108第一光圈單元108a第一光圈開口109第二光圈單元110極片111線圈112單個(gè)電極113管形電極114物體115掃描裝置116第一檢測器116a反向場網(wǎng)格117第二檢測器118第二光圈開口120物體腔室121第三檢測器122另外的sem的物體腔室123物體區(qū)域200具有校正器單元的帶電粒子束裝置201粒子束柱202電子源203引出電極204陽極205第一靜電透鏡206第二靜電透鏡207第三靜電透鏡208磁偏轉(zhuǎn)單元209第一靜電束偏轉(zhuǎn)單元209a第一多極單元209b第二多極單元210射束偏轉(zhuǎn)裝置211a第一磁性扇區(qū)211b第二磁性扇區(qū)211c第三磁性扇區(qū)211d第四磁性扇區(qū)211e第五磁性扇區(qū)211f第六磁性扇區(qū)211g第七磁性扇區(qū)213a第一反射鏡電極213b第二反射鏡電極213c第三反射鏡電極214靜電反射鏡215第四靜電透鏡216第二靜電束偏轉(zhuǎn)單元216a第三多極單元216b第四多極單元217第三靜電束偏轉(zhuǎn)單元218第五靜電透鏡218a第五多極單元218b第六多極單元219第一檢測器220射束引導(dǎo)管221物鏡222磁透鏡223第六靜電透鏡224樣本臺225物體226物體腔室227檢測束路徑228第二檢測器229掃描裝置230濾波器電極231分析單元232另外的磁偏轉(zhuǎn)裝置300帶電粒子束裝置301第一粒子束柱302第二粒子束柱303物體腔室304物體305第一光軸306第二光軸307第二射束發(fā)生器308第一電極309第二電極310第三電極311射束引導(dǎo)管312第二粒子束313準(zhǔn)直器安排314第一環(huán)形線圈315偏轉(zhuǎn)線圈316針孔光闌317檢測器318中心開口319第二物鏡320磁透鏡321靜電透鏡322第二環(huán)形線圈323內(nèi)極片324外極片325末端326端接電極327光柵裝置328物體固持器329第一粒子束330第一射束發(fā)生器331引出電極332準(zhǔn)直器333可變光圈334第一物鏡335光柵電極500輻射檢測器502體積單元503體積單元表面504第一體積單元600壓力傳感器601泵系統(tǒng)602限壓光圈700控制單元701處理器702數(shù)據(jù)庫800圖像801第一大顆粒802第二大顆粒803有機(jī)顆粒804孔隙805區(qū)域b帶電粒子束oa光軸oa1第一光軸oa2第二光軸oa3第三光軸p1-p3峰值sa1-sa2方法步驟sb1-sb2方法步驟s1-s8方法步驟s81-s85方法步驟當(dāng)前第1頁12