技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括邏輯區(qū)域和鄰近邏輯區(qū)域的存儲(chǔ)區(qū)域。存儲(chǔ)區(qū)域包括第N金屬層的第一第N金屬線、位于第一第N金屬線上方的磁性隧道結(jié)(MTJ)和第(N+1)金屬層的第一第(N+1)金屬通孔，第一第(N+1)金屬通孔設(shè)置在MTJ層上方。N為大于或等于1的整數(shù)。本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。

技術(shù)研發(fā)人員：莊學(xué)理;廖均恒
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.18
技術(shù)公布日：2017.08.11