技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體器件，其包括襯底、多個(gè)絕緣體、介電層以及多個(gè)柵極。襯底包括多個(gè)溝槽及在多個(gè)溝槽之間的半導(dǎo)體鰭片。多個(gè)絕緣體配置在多個(gè)溝槽內(nèi)。介電層覆蓋半導(dǎo)體鰭片以及多個(gè)絕緣體。多個(gè)柵極的長(zhǎng)度方向與半導(dǎo)體鰭片的長(zhǎng)度方向不同。多個(gè)柵極包括至少一第一柵極以及至少一第二柵極，其中半導(dǎo)體鰭片穿過(guò)至少一第一柵極，半導(dǎo)體鰭片未穿透至少一第二柵極。第二柵極包括配置在介電層上的加寬部分，以及配置在加寬部分上的頂部分，其中加寬部分的底部寬度大于頂部分的寬度。

技術(shù)研發(fā)人員：張哲誠(chéng);林志翰;曾鴻輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.15
技術(shù)公布日：2017.08.08