技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本揭露提供一種半導(dǎo)體元件，包含鰭、多個(gè)磊晶生長(zhǎng)區(qū)，以及至少二接觸點(diǎn)。鰭自基板向外延伸，且包含半導(dǎo)體材料。磊晶生長(zhǎng)區(qū)沿著鰭的上表面配置，其中在鰭的上表面，磊晶生長(zhǎng)區(qū)與不具有磊晶材料的多個(gè)區(qū)域交替排列。接觸點(diǎn)配置于與鰭電接觸，其中接觸點(diǎn)之間的電阻值至少部分取決于磊晶生長(zhǎng)區(qū)的排列。

技術(shù)研發(fā)人員：胡嘉欣;范學(xué)實(shí);黃煥宗
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.16
技術(shù)公布日：2017.09.19