技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種c?Si/a?Si/mc?Si太陽電池結(jié)構(gòu)及其制備方法，該結(jié)構(gòu)包括N型單晶硅片，設(shè)在N型單晶硅片受光面和背光面的本征a?Si層，設(shè)在受光面本征a?Si層上的摻雜P型mc?Si層，設(shè)在背光面本征a?Si層上的摻雜N型mc?Si層，分別設(shè)在摻雜P型mc?Si層和摻雜N型mc?Si層上的ITO透明導(dǎo)電膜層及設(shè)在ITO透明導(dǎo)電膜層上的金屬柵線電極。本發(fā)明的摻雜mc?Si層由本征a?Si層通過瞬間輻照退火形成。瞬間輻照退火技術(shù)把雜質(zhì)摻雜和a?Si晶化兩個過程合并在10～20ms之間同時完成，不僅簡化了制造步驟，還使此種結(jié)構(gòu)電池適用于大規(guī)模生產(chǎn)。更重要的是，本發(fā)明使得本征a?Si層和摻雜mc?Si層并存，發(fā)揮本征a?Si層鈍化優(yōu)勢的同時，使用摻雜mc?Si作為發(fā)射層和背場層材料，有效地減小復(fù)合、降低串聯(lián)電阻，有利于提升電池性能。

技術(shù)研發(fā)人員：李文佳;邵劍波;王振交;李果華;朱益清;王曉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江南大學(xué)
文檔號碼：201611003948
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.15
技術(shù)公布日：2017.01.11