技術(shù)特征：

1.一種c-Si/a-Si/mc-Si太陽電池結(jié)構(gòu)及其制備方法，其特征在于，該結(jié)構(gòu)包括N型單晶硅片(11)，設(shè)在N型單晶硅片受光面的本征非晶硅層(12)和背光面的本征非晶硅層(13)，設(shè)在N型單晶硅片受光面本征非晶硅層上的摻雜P型多晶硅層(14)，設(shè)在N型單晶硅片背光面本征非晶硅層上的摻雜N型多晶硅層(15)，分別設(shè)在摻雜P型多晶硅層和摻雜N型多晶硅層上的ITO透明導(dǎo)電膜層(16)，設(shè)在ITO透明導(dǎo)電膜層上的金屬柵線電極(17)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的c-Si/a-Si/mc-Si太陽電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述摻雜P型多晶硅層(14)和摻雜N型多晶硅層(15)由本征非晶硅層經(jīng)過摻雜和晶化過程制備而成，所述摻雜和晶化過程為一個(gè)過程，所述摻雜晶化方法為瞬間輻照退火。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的c-Si/a-Si/mc-Si太陽電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述本征非晶硅層(12)和(13)的厚度為2～10nm，所述摻雜P型多晶硅層(14)厚度為50～150nm，表面摻雜濃度為9×10¹⁹～3×10²⁰cm^-3，晶粒尺寸為1～4μm，所述摻雜N型多晶硅層(15)厚度為50～150nm，表面摻雜濃度為8×10¹⁹～6×10²⁰cm^-3，晶粒尺寸為1～4μm。

4.一種c-Si/a-Si/mc-Si結(jié)構(gòu)太陽電池制備方法，其特征在于，該方法主要包括以下步驟：(a)提供完成清洗的N型單晶硅片(21)；(b)在所述硅片受光面沉積厚度為d₁的本征非晶硅層(22)，并在背光面沉積厚度為d₂的本征非晶硅層(23)；(c)在所述受光面本征非晶硅層上沉積硼源層(24)并在所述背光面本征非晶硅層上沉積磷源層(25)；(d)分別對(duì)所述沉積過摻雜源的本征非晶硅層進(jìn)行一定厚度內(nèi)的瞬間輻照退火，形成厚度為d₃的摻雜P型多晶硅層(34)和厚度為d₄的摻雜N型多晶硅層(35)；(e)清洗去除殘留在摻雜P型多晶硅層上的硼源層(36)和摻雜N型多晶硅層上的磷源層(37)；(f)在摻雜P型多晶硅層和摻雜N型多晶硅層上制備ITO透明導(dǎo)電膜層和金屬柵線電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的c-Si/a-Si/mc-Si結(jié)構(gòu)太陽電池制備方法，其特征在于，所述d₁＞d₃，d₂＞d₄。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的c-Si/a-Si/mc-Si結(jié)構(gòu)太陽電池制備方法，其特征在于，步驟(b)中所述雙面本征非晶硅層由PECVD沉積而成，所述PECVD溫度低于400℃，所述本征非晶硅(22)和(23)厚度為52～160nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的c-Si/a-Si/mc-Si結(jié)構(gòu)太陽電池制備方法，其特征在于，步驟(c)中所述硼源與磷源的沉積采用旋涂法或噴淋法，旋涂烘干后摻雜源膜厚為100～300nm，所述烘干溫度低于400℃。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的c-Si/a-Si/mc-Si結(jié)構(gòu)太陽電池制備方法，其特征在于，步驟(d)中通過氙燈進(jìn)行瞬間輻照退火，輻照強(qiáng)度70～150J/cm²，輻照時(shí)間10～20ms，輻照退火氛圍為100％N₂。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的c-Si/a-Si/mc-Si結(jié)構(gòu)太陽電池制備方法，其特征在于，步驟(e)中所述的摻雜源清洗去除分兩步，樣品先浸沒于HNO₃:H₂SO₄(1:1)溶液中進(jìn)行氧化，然后再浸沒于1％的HF進(jìn)行表面疏水處理。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的c-Si/a-Si/mc-Si結(jié)構(gòu)太陽電池制備方法，其特征在于，步驟(f)中所述的ITO透明導(dǎo)電膜層和金屬柵線電極的制備溫度低于400℃。