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一種有機發(fā)光顯示面板及其制作方法與流程

文檔序號:12275086閱讀:來源:國知局

技術特征:

1.一種有機發(fā)光顯示面板,包括形成在基板上的多種不同發(fā)光顏色的像素區(qū)域;每一所述像素區(qū)域包括遠離所述基板方向設置的第一電極、第一輔助發(fā)光層、發(fā)光材料層、第二輔助發(fā)光層以及第二電極;所述第二輔助發(fā)光層至少包含第一子輔助發(fā)光層;所述第一電極和所述第二電極之間形成微腔結構;其特征在于:

至少一種發(fā)光顏色的所述第二輔助發(fā)光層還包含有第二子輔助發(fā)光層;

所述第一子輔助發(fā)光層和/或所述第二子輔助發(fā)光層的形成材料至少包括第一電子型材料;

所述第二子輔助發(fā)光層設置在所述發(fā)光材料層與所述第一子輔助發(fā)光層之間,且所述第二子輔助發(fā)光層中摻雜有N型雜質(zhì)離子。

2.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述第一子輔助發(fā)光層中摻雜有N型雜質(zhì)離子。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述N型雜質(zhì)離子為第Ⅱ主族元素離子、第Ⅲ主族元素離子或稀土元素離子。

4.根據(jù)權利要求3所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述N型雜質(zhì)離子為鐿離子。

5.根據(jù)權利要求1或2所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述N型雜質(zhì)離子的摻雜百分比范圍為1%-5%。

6.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述第一子輔助發(fā)光層的材料與未摻雜有N型雜質(zhì)離子的所述第二子輔助發(fā)光層的材料相同。

7.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述像素區(qū)域對應的所述微腔結構的腔長與所述像素區(qū)域對應的發(fā)光顏色波長正相關;所述微腔結構的腔長為所述第一電極和所述第二電極之間的距離。

8.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述像素區(qū)域包括紅色發(fā)光顏色像素區(qū)域、綠色發(fā)光顏色像素區(qū)域和藍色發(fā)光顏色像素區(qū)域;

至少所述紅色發(fā)光顏色像素區(qū)域和所述綠色發(fā)光顏色像素區(qū)域中的所述發(fā)光材料層與所述第一子輔助發(fā)光層之間設置有第二子輔助發(fā)光層。

9.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述紅色發(fā)光顏色像素區(qū)域和所述綠色發(fā)光顏色像素區(qū)域的發(fā)光材料層包括磷光材料;所述藍色發(fā)光顏色像素區(qū)域的發(fā)光材料層包括熒光材料。

10.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,每一所述像素區(qū)域的所述發(fā)光材料層的厚度相同。

11.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述像素區(qū)域對應的所述發(fā)光材料層的厚度和/或所述像素區(qū)域對應的所述第二子輔助發(fā)光層的厚度與所述像素區(qū)域對應的發(fā)光顏色波長正相關。

12.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,每一所述像素區(qū)域的所述第一輔助發(fā)光層的厚度小于或等于30nm。

13.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述有機發(fā)光顯示面板的激子復合中心位置位于所述發(fā)光材料層內(nèi)。

14.根據(jù)權利要求13所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述像素區(qū)域對應的發(fā)光顏色波長的峰值為λn;所述像素區(qū)域對應的所述微腔結構的增強峰對應波長為λl;λn和λl的差值小于預設值;所述像素區(qū)域對應的所述微腔結構的增強峰對應波長λl符合如下公式:

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其中,Φ1為光在所述第二電極表面產(chǎn)生的相移;Φ2為光在所述第一電極表面產(chǎn)生的相移;ni為所述第二電極和所述第一電極之間對應膜層i的折射率;di為所述第二電極和所述第一電極之間對應膜層i的厚度,膜層i包括所述、第一輔助發(fā)光層、第二子輔助發(fā)光層或第一子輔助發(fā)光層,且∑di為所述像素區(qū)域對應的所述微腔結構的腔長;m為正整數(shù)。

15.根據(jù)權利要求14所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述第二電極為所述有機發(fā)光顯示面板的出光側,經(jīng)過所述像素區(qū)域對應的所述微腔結構調(diào)整后所述發(fā)光材料層發(fā)出的波長為λn的發(fā)光強度滿足如下公式:

<mrow> <mi>I</mi> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>&lambda;</mi> <mi>n</mi> </msub> <mo>)</mo> </mrow> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <mrow> <mo>(</mo> <mrow> <mn>1</mn> <mo>-</mo> <msub> <mi>R</mi> <mn>2</mn> </msub> </mrow> <mo>)</mo> </mrow> <mrow> <mo>&lsqb;</mo> <mrow> <mn>1</mn> <mo>+</mo> <msub> <mi>R</mi> <mn>1</mn> </msub> <mo>+</mo> <mn>2</mn> <msqrt> <msub> <mi>R</mi> <mn>1</mn> </msub> </msqrt> <mi>cos</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mfrac> <mrow> <mn>4</mn> <msub> <mi>&pi;x</mi> <mi>i</mi> </msub> </mrow> <msub> <mi>&lambda;</mi> <mi>n</mi> </msub> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> <mo>&rsqb;</mo> </mrow> </mrow> <mrow> <mn>1</mn> <mo>+</mo> <msub> <mi>R</mi> <mn>1</mn> </msub> <msub> <mi>R</mi> <mn>2</mn> </msub> <mo>-</mo> <mn>2</mn> <msqrt> <mrow> <msub> <mi>R</mi> <mn>1</mn> </msub> <msub> <mi>R</mi> <mn>2</mn> </msub> </mrow> </msqrt> <mi>cos</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mfrac> <mrow> <mn>4</mn> <mi>&pi;</mi> <mi>L</mi> </mrow> <msub> <mi>&lambda;</mi> <mi>n</mi> </msub> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> </mfrac> <msub> <mi>I</mi> <mn>0</mn> </msub> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>&lambda;</mi> <mi>n</mi> </msub> <mo>)</mo> </mrow> <mo>;</mo> </mrow>

其中,R1為所述第一電極的反射率;R2為所述第二電極的反射率;xi為激子復合中心位置與所述第一電極之間的距離;L為所述像素區(qū)域對應的所述微腔結構的有效腔長,所述微腔結構的有效腔長是指光在微腔結構中的光學路徑長度;I0n)為所述像素區(qū)域對應的所述發(fā)光材料層發(fā)出的波長為λn的本征發(fā)光強度;I(λn)為經(jīng)過所述像素區(qū)域對應的所述微腔結構調(diào)整后所述發(fā)光材料層發(fā)出的波長為λn的發(fā)光強度。

16.根據(jù)權利要求14所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述第一電極為所述有機發(fā)光顯示面板的出光側,經(jīng)過所述像素區(qū)域對應的所述微腔結構調(diào)整后所述發(fā)光材料層發(fā)出的波長為λn的發(fā)光強度滿足如下公式:

<mrow> <mi>I</mi> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>&lambda;</mi> <mi>n</mi> </msub> <mo>)</mo> </mrow> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <mrow> <mo>(</mo> <mrow> <mn>1</mn> <mo>-</mo> <msub> <mi>R</mi> <mn>2</mn> </msub> </mrow> <mo>)</mo> </mrow> <mrow> <mo>&lsqb;</mo> <mrow> <mn>1</mn> <mo>+</mo> <msub> <mi>R</mi> <mn>1</mn> </msub> <mo>+</mo> <mn>2</mn> <msqrt> <msub> <mi>R</mi> <mn>1</mn> </msub> </msqrt> <mi>cos</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mfrac> <mrow> <mn>4</mn> <msub> <mi>&pi;x</mi> <mi>i</mi> </msub> </mrow> <msub> <mi>&lambda;</mi> <mi>n</mi> </msub> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> <mo>&rsqb;</mo> </mrow> </mrow> <mrow> <mn>1</mn> <mo>+</mo> <msub> <mi>R</mi> <mn>1</mn> </msub> <msub> <mi>R</mi> <mn>2</mn> </msub> <mo>-</mo> <mn>2</mn> <msqrt> <mrow> <msub> <mi>R</mi> <mn>1</mn> </msub> <msub> <mi>R</mi> <mn>2</mn> </msub> </mrow> </msqrt> <mi>cos</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mfrac> <mrow> <mn>4</mn> <mi>&pi;</mi> <mi>L</mi> </mrow> <msub> <mi>&lambda;</mi> <mi>n</mi> </msub> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> </mfrac> <msub> <mi>I</mi> <mn>0</mn> </msub> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>&lambda;</mi> <mi>n</mi> </msub> <mo>)</mo> </mrow> <mo>;</mo> </mrow>

其中,R1為所述第二電極的反射率;R2為所述第一電極的反射率;xi為激子復合中心位置與所述第二電極之間的距離;L為所述像素區(qū)域對應的所述微腔結構的有效腔長,所述微腔結構的有效腔長是指光在微腔結構中的光學路徑長度;I0n)為所述像素區(qū)域對應的所述發(fā)光材料層發(fā)出的波長為λn的本征發(fā)光強度;I(λn)為經(jīng)過所述像素區(qū)域對應的所述微腔結構調(diào)整后所述發(fā)光材料層發(fā)出的波長為λn的發(fā)光強度。

17.根據(jù)權利要求14所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述第一電極包括至少一反射電極和至少一透明導電電極。

18.根據(jù)權利要求14所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述第二電極的透過率為30%-50%。

19.根據(jù)權利要求14所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述第二電極遠離所述基板的一側還設置有光耦合有機層;所述光耦合有機層的折射率大于所述第二電極的折射率;

所述第二電極與所述光耦合有機層的總透過率大于或等于60%。

20.根據(jù)權利要求14所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述第二電極的材料包括鎂、銀、鐿和稀土金屬中的至少一種。

21.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述像素區(qū)域包括紅色發(fā)光顏色像素區(qū)域、綠色發(fā)光顏色像素區(qū)域和藍色發(fā)光顏色像素區(qū)域;

所述紅色發(fā)光顏色像素區(qū)域的發(fā)光材料層和/或所述藍色發(fā)光顏色像素區(qū)域的發(fā)光材料層采用一種或兩種主體材料;所述綠色發(fā)光顏色像素區(qū)域的發(fā)光材料層采用至少兩種主體材料。

22.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述第一電子型材料至少包含第一基團;

所述第一基團為至少含有三個連續(xù)苯環(huán)的共軛結構,至少有一個所述三個連續(xù)苯環(huán)上的碳原子被氮原子取代,且所述第一基團為軸對稱結構。

23.根據(jù)權利要求22所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述第一基團的結構通式包括:

24.一種有機發(fā)光顯示面板的制作方法,其特征在于,包括:

在包括多種不同發(fā)光顏色的像素區(qū)域的基板上形成第一電極;

在所述第一電極上形成第一輔助發(fā)光層;

在所述第一輔助發(fā)光層上形成發(fā)光材料層;

在所述發(fā)光材料層上對應至少一種發(fā)光顏色的所述像素區(qū)域的位置形成第二子輔助發(fā)光層;所述第二子輔助發(fā)光層中摻雜有N型雜質(zhì)離子;

在所述第二子輔助發(fā)光層和/或所述發(fā)光材料層上形成第一子輔助發(fā)光層;

在所述第一子輔助發(fā)光層上形成第二電極;

所述第一子輔助發(fā)光層和/或所述第二子輔助發(fā)光層的形成材料至少包括第一電子型材料,所述第二子輔助發(fā)光層的形成方式為將所述第一電子型材料與含有所述N型雜質(zhì)離子所含元素的單質(zhì)材料混合蒸鍍形成。

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