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OLED顯示面板的制作方法

文檔序號:12275076閱讀:485來源:國知局
OLED顯示面板的制作方法與工藝

本發(fā)明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種OLED顯示面板。



背景技術:

靜電是一種客觀存在的自然現(xiàn)象,產(chǎn)生的方式有多種,如接觸、摩擦、電器間感應等。靜電具有長時間積聚、高電壓、低電量、小電流和作用時間短的特點。人體自身的動作或與其它物體的接觸、分離、摩擦或感應等因素,可以產(chǎn)生幾千伏甚至上萬伏的靜電。摩擦起電和人體靜電是電子工業(yè)中的兩大危害,常常造成電子電器產(chǎn)品運行不穩(wěn)定,甚至損壞。

在顯示面板中同樣存在靜電防護的問題?,F(xiàn)有技術中通常的靜電防護做法一是信號線通過一組或幾組背對背相連的二極管的形式分別與電源(VDD)、接地端(VSS)相連,將靜電釋放;二是信號線通過一個非常大的電阻與VDD/VSS相連,將靜電釋放;

目前市場上的顯示面板中,有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Display,OLED)顯示面板具有自發(fā)光、驅動電壓低、發(fā)光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬,可實現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點,被業(yè)界公認為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示面板。

OLED通常包括:陽極、陰極、及夾在陽極與陰極之間的有機發(fā)光層。OLED是電流驅動器件,當有電流流過有機發(fā)光二極管時,有機發(fā)光二極管發(fā)光,且發(fā)光亮度由流過有機發(fā)光二極管自身的電流決定。

OLED顯示面板包括呈陣列式排布的多個正常發(fā)光像素、及包圍該呈陣列式排布的多個正常發(fā)光像素的至少一圈的虛擬像素(Dummy Pixel),虛擬像素中OLED的陰極與正常發(fā)光像素中OLED的陰極相連,虛擬像素中OLED的陽極與正常發(fā)光像素中OLED的陽極一樣,與對應的驅動薄膜晶體管相連。若采用現(xiàn)有的靜電防護做法,額外的專用于靜電防護的電子元件會增加顯示面板的邊框厚度,影響顯示面板的開口率。



技術實現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的在于提供一種OLED顯示面板,無需設置專門用于靜電防護的電子元件便能夠有效地進行靜電防護,減小靜電損傷,有助于OLED顯示面板的窄邊框化,提升開口率。

為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種OLED顯示面板,包括呈陣列式排布的多個正常發(fā)光像素、包圍該呈陣列式排布的多個正常發(fā)光像素的至少一圈的虛擬像素、及設于所述虛擬像素遠離正常發(fā)光像素一側的電源走線;所述虛擬像素劃分為虛擬TFT區(qū)、及虛擬開口區(qū),所述虛擬開口區(qū)內(nèi)設置虛擬OLED,所述虛擬OLED包括自下至上依次層疊設置的陽極、有機發(fā)光層、及陰極;所述正常發(fā)光像素劃分為正常TFT區(qū)、及正常開口區(qū),所述正常開口區(qū)內(nèi)設置正常OLED,所述正常OLED包括自下至上依次層疊設置的陽極、有機發(fā)光層、及陰極;

所述虛擬像素內(nèi)虛擬OLED的陰極連接電源走線,陽極連接正常發(fā)光像素內(nèi)正常OLED的陰極;所述正常發(fā)光像素內(nèi)正常OLED的陰極連接接地端。

所述電源走線的材料為ITO。

所述正常OLED的陽極、及虛擬OLED的陽極的材料均為ITO。

虛擬OLED與正常OLED均設置在第一絕緣層上。

虛擬OLED、正常OLED、及電源走線之間通過第二絕緣層進行絕緣。

所述虛擬像素內(nèi)虛擬OLED的陰極經(jīng)由設于第二絕緣層內(nèi)的第一過孔接觸電源走線形成連接。

所述虛擬像素內(nèi)虛擬OLED的陽極經(jīng)由設于第二絕緣層內(nèi)的第二過孔連接正常發(fā)光像素內(nèi)正常OLED的陰極。

所述第一絕緣層覆蓋在絕緣保護層上,所述電源走線設于所述絕緣保護層上,絕緣保護層覆蓋在柵極絕緣層上。

本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的一種OLED顯示面板,利用OLED正向導通、反向截止的特性,將虛擬像素內(nèi)虛擬OLED的陰極連接電源走線,陽極連接正常發(fā)光像素內(nèi)正常OLED的陰極,使虛擬OLED成為反向連接的二極管,作為靜電防護器起到靜電防護功能,能夠減小顯示面板所受到的靜電損傷,且虛擬OLED位于虛擬像素的開口區(qū)內(nèi),充分利用了虛擬像素區(qū)域,無需設置專門用于靜電防護的電子元件,有助于OLED顯示面板的窄邊框化,提升開口率。

為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術內(nèi)容,請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖,然而附圖僅提供參考與說明用,并非用來對本發(fā)明加以限制。

附圖說明

下面結合附圖,通過對本發(fā)明的具體實施方式詳細描述,將使本發(fā)明的技術方案及其它有益效果顯而易見。

附圖中,

圖1為本發(fā)明的OLED顯示面板的俯視平面圖;

圖2為對應于圖1中A處的放大圖;

圖3為對應于圖2中B-B處的剖面圖;

圖4為對應于圖2中C-C處的剖面圖;

圖5為本發(fā)明的OLED顯示面板中虛擬像素內(nèi)虛擬OLED的等效電路圖;

圖6為本發(fā)明的OLED顯示面板中正常發(fā)光像素內(nèi)正常OLED的等效電路圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術手段及其效果,以下結合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。

請同時參閱圖1至圖4,本發(fā)明提供一種OLED顯示面板。

如圖1及圖2所示,本發(fā)明的OLED顯示面板包括呈陣列式排布的多個正常發(fā)光像素P1、包圍該呈陣列式排布的多個正常發(fā)光像素P1的至少一圈的虛擬像素P2、及設于所述虛擬像素P2遠離正常發(fā)光像素P1一側的電源走線VDD。

如圖2所示,所述虛擬像素P2劃分為虛擬TFT區(qū)P21、及虛擬開口區(qū)P22,所述虛擬開口區(qū)P22內(nèi)設置虛擬OLED D2,所述虛擬OLED D2包括自下至上依次層疊設置的陽極221、有機發(fā)光層222、及陰極223;所述正常發(fā)光像素P1劃分為正常TFT區(qū)P11、及正常開口區(qū)P12,所述正常開口區(qū)P12內(nèi)設置正常OLED D1,所述正常OLED D1包括自下至上依次層疊設置的陽極121、有機發(fā)光層122、及陰極123。

結合圖2、圖3、與圖4,所述虛擬像素P2內(nèi)虛擬OLED D2的陰極223連接電源走線VDD,陽極221連接正常發(fā)光像素P1內(nèi)正常OLED D1的陰極123;所述正常發(fā)光像素P1內(nèi)正常OLED D1的陰極123連接接地端(未圖示)。

圖5、圖6分別為虛擬像素P2內(nèi)虛擬OLED D2的等效電路圖、及正常發(fā)光像素P1內(nèi)正常OLED D1的等效電路圖,其中正常OLED D1的陽極121像現(xiàn)有技術一樣連接驅動晶體管(未示出),陰極123像現(xiàn)有技術一樣連接接地端VSS,能夠正常發(fā)光顯示;而虛擬像素P2內(nèi)虛擬OLED D2的陽極221連接正常發(fā)光像素P1內(nèi)正常OLED D1的陰極123,相當于連接了接地端VSS,陰極223連接電源走線VDD,這樣虛擬OLED D2就成為了反向連接的二極管。由于OLED具有正向導通、反向截止的特性,虛擬OLED D2經(jīng)反向連接后無法正常發(fā)光,形成靜電防護器,起到靜電防護功能,能夠減小顯示面板所受到的靜電損傷,且虛擬OLED D2位于虛擬像素P2的開口區(qū)P22內(nèi),充分利用了虛擬像素區(qū)域,無需設置專門用于靜電防護的電子元件,有助于OLED顯示面板的窄邊框化,提升開口率。

進一步地,所述有機發(fā)光層122及222又具體包括:空穴注入層、設于空穴注入層上的空穴傳輸層、設于空穴傳輸層上的發(fā)光層、設于發(fā)光層上的電子傳輸層、設于電子傳輸層上的電子注入層。

所述虛擬像素P2的虛擬TFT區(qū)P21內(nèi)、正常發(fā)光像素P1的正常TFT區(qū)P11內(nèi)設置有驅動晶體管、開關晶體管等元件,與現(xiàn)有技術無異,此處不展開敘述。

具體地,所述電源走線VDD、正常OLED D1的陽極121、及虛擬OLED D2的陽極221均由氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)透明導電薄膜經(jīng)圖案化處理形成。

結合圖3與圖4,虛擬OLED D2與正常OLED D1均設置在第一絕緣層30上;虛擬OLED D2、正常OLED D1、及電源走線VDD之間通過第二絕緣層40進行絕緣。所述第一絕緣層30與第二絕緣層40的材料可為氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、或二者的組合。

進一步地,結合圖2、圖3、與圖4,所述虛擬像素P2內(nèi)虛擬OLED D2的陰極223經(jīng)由設于第二絕緣層40內(nèi)的第一過孔H1接觸電源走線VDD形成連接,所述虛擬像素P2內(nèi)虛擬OLED D2的陽極221經(jīng)由設于第二絕緣層40內(nèi)的第二過孔H2連接正常發(fā)光像素P1內(nèi)正常OLEDD1的陰極123。

更進一步地,所述第一絕緣層30覆蓋在絕緣保護層20上,所述電源走線VDD設于所述絕緣保護層20上,絕緣保護層20覆蓋在柵極絕緣層10上。與現(xiàn)有技術一樣,所述柵極絕緣層10下設置有第一金屬層M1,用于形成柵極線、薄膜晶體管的柵極等;所述絕緣保護層20下設置有第二金屬層M2,用于形成數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管的源極、漏極等,此處不展開敘述。

綜上所述,本發(fā)明的OLED顯示面板,利用OLED正向導通、反向截止的特性,將虛擬像素內(nèi)虛擬OLED的陰極連接電源走線,陽極連接正常發(fā)光像素內(nèi)正常OLED的陰極,使虛擬OLED成為反向連接的二極管,作為靜電防護器起到靜電防護功能,能夠減小顯示面板所受到的靜電損傷,且虛擬OLED位于虛擬像素的開口區(qū)內(nèi),充分利用了虛擬像素區(qū)域,無需設置專門用于靜電防護的電子元件,有助于OLED顯示面板的窄邊框化,提升開口率。

以上所述,對于本領域的普通技術人員來說,可以根據(jù)本發(fā)明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形,而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明權利要求的保護范圍。

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