本發(fā)明實施例涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示面板以及制作方法。

背景技術(shù)：

OLED，即有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode)，又稱為有機(jī)電致發(fā)光器件，是指發(fā)光材料在電場驅(qū)動下，通過載流子注入和復(fù)合導(dǎo)致發(fā)光的現(xiàn)象。OLED發(fā)光原理是在一定電壓驅(qū)動下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子和空穴傳輸層，電子和空穴分別經(jīng)過電子和空穴傳輸層遷移到發(fā)光層，并在發(fā)光層中相遇，形成激子并使發(fā)光分子激發(fā)，經(jīng)過輻射弛豫而發(fā)出可見光。

OLED面板無論在畫質(zhì)、效能及成本上，都較薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)優(yōu)秀很多。然而一般OLED的生命周期易受周圍水氣與氧氣所影響而降低，因此OLED面板需要良好的封裝來隔絕周圍水氣與氧氣。

但是薄膜封裝層與OLED的發(fā)光元件層之間的粘附力較弱，容易發(fā)生剝離，尤其是在柔性O(shè)LED彎折過程中，甚至出現(xiàn)卷曲、開裂的現(xiàn)象，導(dǎo)致阻隔水汽的能力減弱，影響了有機(jī)發(fā)光器件的壽命與性能。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光顯示面板以及制作方法，以實現(xiàn)解決有機(jī)發(fā)光顯示面板中封裝層與發(fā)光元件層容易發(fā)生剝離的問題。

第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，包括：

襯底基板；

發(fā)光元件層，位于所述襯底基板上；所述發(fā)光元件層設(shè)置有多個第一凹槽；

封裝層，位于所述發(fā)光元件層上方，并且所述封裝層充滿所述多個第一凹槽。

第二方面，本發(fā)明實施例還提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法，包括：

在襯底基板上形成發(fā)光元件層；

在所述發(fā)光元件層上形成多個第一凹槽；

在所述發(fā)光元件層上以及所述多個第一凹槽上形成封裝層，并且所述封裝層充滿所述多個第一凹槽。

本發(fā)明通過在發(fā)光元件層設(shè)置有多個第一凹槽，使封蓋在發(fā)光元件層上方的封裝層充滿多個第一凹槽，相當(dāng)于封裝層和發(fā)光元件層之間形成了一個釘扎結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)了二者之間的粘附能力，避免了在彎折過程中封裝層與發(fā)光元件層之間的剝離。

附圖說明

圖1a為本發(fā)明實施例提供的一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1b為沿圖1a中AA’的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a為本發(fā)明實施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2b為沿圖2a中AA’的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3a為本發(fā)明實施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3b為沿圖3a中BB’的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實施例提供的有機(jī)發(fā)光顯示面板中第一凹槽的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明實施例提供的一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法的流程示意圖；

圖10為本發(fā)明實施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法的流程示意圖；

圖11a為步驟S210的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11b為步驟S220的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11c為步驟S230的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為本發(fā)明實施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法的流程示意圖；

圖13a為步驟S310的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13b為步驟S320的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13c為步驟S330的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13d為步驟S340的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13e為步驟S350的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13f為步驟S360的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13g為步驟S370的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖14為本發(fā)明實施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法的流程示意圖；

圖15a為步驟S420的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖15b為步驟S430的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖15c為步驟S440的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖15d為步驟S450的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖15e為步驟S460的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅木唧w實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明實施例提供一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，包括襯底基板、位于襯底基板上的發(fā)光元件層以及位于發(fā)光元件層上方的封裝層。其中，發(fā)光元件層設(shè)置有多個第一凹槽，封裝層充滿多個第一凹槽。

有機(jī)發(fā)光顯示面板的發(fā)光元件層一般都會通過蒸鍍方式形成。發(fā)光元件層可以具有多層結(jié)構(gòu)，除了發(fā)光層以外，還包括用于平衡電子和空穴的電子傳輸層和空穴傳輸層，以及用于增強(qiáng)電子和空穴的注入的電子注入層和空穴注入層。

由于有機(jī)發(fā)光顯示面板中的發(fā)光元件層對水汽和氧氣等外部環(huán)境因素十分敏感，如果將有機(jī)發(fā)光顯示面板中的發(fā)光元件層暴露在有水汽或者氧氣的環(huán)境中，會使得有機(jī)發(fā)光顯示面板性能急劇下降或者完全損壞。為了提高有機(jī)發(fā)光 顯示面板的使用壽命和穩(wěn)定性，需在發(fā)光元件層上覆蓋封裝層進(jìn)行密封。封裝層可以是一層或者多層結(jié)構(gòu)，使用材料可以是有機(jī)膜層或者無機(jī)膜層，亦或者是有機(jī)膜層和無機(jī)膜層的疊層結(jié)構(gòu)。

由于封裝層和發(fā)光元件層之間粘附力較弱，尤其在襯底基板為柔性基板時，當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示面板發(fā)生彎折時，封裝層和發(fā)光元件層之間容易發(fā)生剝離。本發(fā)明通過在發(fā)光元件層中設(shè)置了多個第一凹槽，并且覆蓋在發(fā)光元件層上方的封裝層可以充滿多個第一凹槽，因此相當(dāng)于將封裝層釘扎在發(fā)光元件層中，有效增強(qiáng)了封裝層和發(fā)光元件層之間的粘附能力，避免封裝層和發(fā)光元件層之間的剝離。

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下，所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

圖1a為本發(fā)明實施例提供的一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。圖1b為沿圖1a中AA’的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。結(jié)合圖1a和圖1b所示，所述有機(jī)發(fā)光顯示面板包括襯底基板10、位于襯底基板10上的有機(jī)發(fā)光元件層11、位于發(fā)光元件層11上方的封裝層12。其中，發(fā)光元件層11設(shè)置有多個第一凹槽100。封裝層12充滿多個第一凹槽100。發(fā)光元件層11包括第一電極層111和第二電極層112，以及位于第一電極層111和第二電極層112之間的發(fā)光功能層113。第一電極層111包括多個平行排列的第一子電極1111，第二電極層112包括多個平行排列的第二子電極1121，多個第一子電極1111和多個第二子電極1121絕緣交叉。

圖1a和圖1b所示有機(jī)發(fā)光顯示面板為無源式有機(jī)發(fā)光顯示面板。即第一 子電極和第二子電極的交叉點形成像素，也就是發(fā)光的部位。外部電路向選取的第一子電極與第二子電極施加電流，從而決定哪些像素發(fā)光，哪些不發(fā)光。此外，每個像素的亮度與施加電流的大小成正比。

需要說明的是，圖1a和圖1b中在多個第一凹槽100在襯底基板10上的垂直投影與第一子電極1111以及第二子電極1121在襯底基板10上的垂直投影均不交疊。即在第一子電極1111和第二子電極1121之間的空隙處設(shè)置第一凹槽100。這樣設(shè)置的好處是，可以避免第一凹槽100貫穿第一子電極1111和/或第二子電極1121，對有機(jī)發(fā)光顯示面板的顯示效果造成影響。圖1a和圖1b中，示例性的設(shè)置第一凹槽100的深度等于發(fā)光功能層113的厚度，而并非對本發(fā)明實施例的限定，在其他實施方式中，還可以設(shè)置第一凹槽100的深度小于光功能層113的厚度。

若第一凹槽的深度等于發(fā)光功能層113的厚度，還可以在襯底基板10上也設(shè)置多個凹槽(圖1b中未示出)，襯底基板10上的凹槽深度小于襯底基板10的厚度，且與第一凹槽100對接。這樣設(shè)置還可以使封裝層12伸入該襯底基板的凹槽中，從而與襯底基板10形成釘扎結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明實施中通過發(fā)光元件層中設(shè)置多個而第一凹槽。利用封裝層將第一凹槽充滿，使封裝層和發(fā)光元件層之間形成了釘扎結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)了二者之間的粘附能力，避免了避免封裝層和發(fā)光元件層之間的剝離。

在其他實施方式中，若第一子電極和第二子電極之間的空隙尺寸較小，沒有足夠的空間設(shè)置第一凹槽，那么如圖2a和圖2b所示，多個第一凹槽100在襯底基板10上的垂直投影與第一子電極1111以及第二子電極1121在襯底基板上的垂直投影交疊。

其中，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際應(yīng)用場景的需要，設(shè)置第一凹槽100的深度，且第一凹槽100的深度小于或等于第一電極層、發(fā)光功能層以及第二電極層的厚度之和。示例性的，圖2a和圖2b中，設(shè)置第一凹槽100的深度等于第二電極層112以及發(fā)光功能層的厚度之和。若第一凹槽100的深度等于第一電極層、發(fā)光功能層以及第二電極層的厚度之和，還可以在襯底基板10上也設(shè)置多個凹槽(圖2b中未示出)，襯底基板10上的凹槽深度小于襯底基板10的厚度，且與第一凹槽100對接。這樣設(shè)置還可以使封裝層12與襯底基板10形成釘扎結(jié)構(gòu)。

需要說明的是，圖1a-圖2b中示例性的沿襯底基板10的邊緣設(shè)置多個第一凹槽100，并非對本發(fā)明實施例的限定。例如還可以在每個第一子電極1111和第二子電極1121的交叉位置處設(shè)置第一凹槽100。

圖3a為本發(fā)明實施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。圖3b為沿圖3a中BB’的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3a和圖3b所示，所述有機(jī)發(fā)光顯示面板包括襯底基板10、位于襯底基板10上的有機(jī)發(fā)光元件層11、位于發(fā)光元件層11上方的封裝層12。其中，發(fā)光元件層11設(shè)置有多個第一凹槽100，封裝層12充滿多個第一凹槽100。襯底基板10和發(fā)光元件層11之間還設(shè)置有薄膜晶體管陣列層13。薄膜晶體管陣列層13與發(fā)光元件層11之間設(shè)置有平坦化層14。發(fā)光元件層11包括第一電極層111、像素界定層114、發(fā)光功能層113以及第二電極層112。像素界定層114設(shè)置有多個開口結(jié)構(gòu)1141。有機(jī)發(fā)光顯示面板包括發(fā)光區(qū)和非發(fā)光區(qū)。像素界定層114的開口結(jié)構(gòu)1141用來界定發(fā)光區(qū)和非發(fā)光區(qū)。由于發(fā)光功能層113位于多個開口結(jié)構(gòu)1141中。因此開口結(jié)構(gòu)1141對應(yīng)的區(qū)域為發(fā)光區(qū)，除了開口結(jié)構(gòu)114外的像素界定層114為非發(fā)光區(qū)。 本實施例在像素界定層114對應(yīng)的發(fā)光區(qū)處設(shè)置有多個開口結(jié)構(gòu)114，發(fā)光功能層113位于發(fā)光區(qū)的多個開口結(jié)構(gòu)1141中，,像素界定層114對應(yīng)的非發(fā)光區(qū)處設(shè)置有多個第一凹槽100。第一電極層111包括多個第一子電極1111；每一第一子電極1111與薄膜晶體管陣列層13中的一對應(yīng)薄膜晶體管131電連接。第二電極層112為面狀電極。

圖3a和圖3b所示有機(jī)發(fā)光顯示面板為有源式有機(jī)發(fā)光顯示面板。即第一電極層中的多個第一子電極1111分別與面狀的第二電極層112形成像素，也就是發(fā)光的部位。每個像素均配置有開關(guān)功能的薄膜晶體管，即每一第一子電極與薄膜晶體管陣列層13中的一對應(yīng)薄膜晶體管電連接。與第一子電極1111電連接的薄膜晶體管用于根據(jù)數(shù)據(jù)信號控制每個像素發(fā)光狀態(tài)。

可選的，參見圖3a，多個第一凹槽100在襯底基板10上的正投影位于像素界定層114在襯底基板10上的正投影內(nèi)。

本發(fā)明實施例中，第一凹槽100的深度可以小于或者等于像素界定層114的厚度。圖3b示例性的設(shè)置第一凹槽100的深度等于像素界定層114的厚度。

圖4為本發(fā)明實施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，沿垂直于襯底基板10方向，第一凹槽100貫穿像素界定層114。與圖3b不同的是，平坦化層14設(shè)置有第二凹槽200，第二凹槽200與第一凹槽100對接，第二凹槽200的深度小于或等于平坦化層14的厚度。圖4示例性的設(shè)置第二凹槽200的深度小于平坦化層14的厚度。

圖5為本發(fā)明實施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，與圖4不同的是，沿垂直于襯底基板10方向，第一凹槽100貫穿像素界定層114，第二凹槽200貫穿所述平坦化層14；薄膜晶體管陣列層13設(shè) 置有第三凹槽300，第三凹槽300與第二凹槽200對接，第三凹槽300的深度小于或等于薄膜晶體管陣列層300的厚度。圖5示例性的設(shè)置第三凹槽300的深度等于薄膜晶體管陣列層300的厚度。

若第三凹槽300的深度等于薄膜晶體管陣列層300的厚度，還可以在襯底基板10上也設(shè)置多個凹槽(圖5中未示出)，襯底基板10上的凹槽深度小于襯底基板10的厚度，且與第三凹槽300對接。這樣設(shè)置還可以使封裝層12與襯底基板10形成釘扎結(jié)構(gòu)。

圖6為本發(fā)明實施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示，與上述圖3b-圖5不同的是，第一子電極1111也可以設(shè)置在像素界定層114的開口結(jié)構(gòu)1141中。

可選的，上述各實施例中提供的有機(jī)發(fā)光顯示面板可以是頂發(fā)射與可以是底發(fā)射型。本發(fā)明實施例對有機(jī)發(fā)光顯示面板的出光方向不做限定。頂發(fā)射和底發(fā)射型有機(jī)發(fā)光顯示面板中需設(shè)置第一電極層和第二電極層中的至少一個為透明導(dǎo)電層。在其實施方式中還可以設(shè)置第一電極層和第二電極層均為透明導(dǎo)電層。

可選的，為增加頂發(fā)射或者底發(fā)射型有機(jī)發(fā)光顯示面板的出光效率，可以設(shè)置第一電極層為金屬反射電極，所述第二電極為透明導(dǎo)電層；或者，第一電極層為透明導(dǎo)電層，第二電極為金屬反射電極。

本發(fā)明實施例中的封裝層可以是一層或者多層結(jié)構(gòu)，使用材料可以是有機(jī)層或者無機(jī)層，亦或者是有機(jī)層和無機(jī)層的疊層結(jié)構(gòu)，例如封裝層包括至少一個無機(jī)層和至少一個有機(jī)層。由于無機(jī)層對水汽以及氧氣的阻隔性能較有機(jī)層好，但無機(jī)層的成膜性能、平整度以及均勻性欠佳。有機(jī)層的成膜性好、表面 致密不易形成針孔，但對水汽以及氧氣的阻隔效果欠佳。因此優(yōu)選的，設(shè)置一無機(jī)層與發(fā)光元件層接觸，在無機(jī)層的上方覆蓋有機(jī)層的方式進(jìn)行封裝，使有機(jī)層和無機(jī)層交替堆疊形成互補(bǔ)的水汽和氧氣隔離單元，以提高封裝的氣密性。圖7為本發(fā)明實施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖7所示，沿襯底基板10指向發(fā)光元件層11的方向，封裝層12包括依次設(shè)置的第一無機(jī)層122、第一有機(jī)層123和第二無機(jī)層124。

圖8為本發(fā)明實施例提供的有機(jī)發(fā)光顯示面板中第一凹槽的結(jié)構(gòu)示意圖。可選的，本實施例設(shè)置第一凹槽的側(cè)壁為弧形。有機(jī)發(fā)光顯示面板在彎折過程中，弧形側(cè)壁的設(shè)計可以有效減小第一凹槽位置處產(chǎn)生的應(yīng)力。第一凹槽的側(cè)壁的切線與第一凹槽的底面夾角為a，可選的，夾角a的角度范圍可以為(0°，60°)。

基于同一構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法。圖9為本發(fā)明實施例提供的一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法的流程示意圖，如圖9所示，所述方法包括：

步驟S110、在襯底基板上形成發(fā)光元件層。

步驟S120、在所述發(fā)光元件層上形成多個第一凹槽。

步驟S130、在所述發(fā)光元件層上以及所述多個第一凹槽上形成封裝層，所述封裝層充滿所述多個第一凹槽。

本發(fā)明通過在發(fā)光元件層中設(shè)置了多個第一凹槽，并且覆蓋在發(fā)光元件層上方的封裝層充滿多個第一凹槽，因此相當(dāng)于將封裝層釘扎在發(fā)光元件層中，有效增強(qiáng)了封裝層和發(fā)光元件層之間的粘附能力，避免封裝層和發(fā)光元件層之間的剝離。

圖10為本發(fā)明實施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法的流程示意圖，如圖10所示，所述方法包括：

步驟S210、在所述襯底基板上依次形成包括多個平行排列的第一子電極的第一電極層、發(fā)光功能層，以及包括多個平行排列的第二子電極的第二電極層。

其中，多個第一子電極和多個第二子電極絕緣交叉。

圖11a為步驟S210的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖11a所示，在襯底基板10上依次形成包括多個平行排列的第一子電極1111的第一電極層111、發(fā)光功能層113，以及包括多個平行排列的第二子電極1121的第二電極層112。發(fā)光元件層11包括第一電極層111、發(fā)光功能層113，以及第二電極層112。

步驟S220、在所述發(fā)光元件層上形成多個第一凹槽。

圖11b為步驟S220的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖11b所示，在發(fā)光元件層11上形成多個第一凹槽100。圖11b示例性的在第一子電極1111和第二子電極1121之間的空隙處的發(fā)光功能層113上設(shè)置多個第一凹槽100。多個第一凹槽100在襯底基板10上的垂直投影與第一子電極1111以及第二子電極1121在襯底基板10上的垂直投影均不交疊。在其實施方式中，若第一子電極和第二子電極之間的空隙尺寸較小，沒有足夠的空間設(shè)置第一凹槽，那么還可以在第一子電極1111以及第二子電極1112的交疊處設(shè)置第一凹槽，具體結(jié)構(gòu)圖可參見圖2a和圖2b。

步驟S230、在所述發(fā)光元件層上以及所述多個第一凹槽上形成封裝層，所述封裝層充滿所述多個第一凹槽。

圖11c為步驟S230的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖11c所示，在發(fā)光元件層11上以及多個第一凹槽100上形成封裝層12，封裝層12充滿多個第一凹槽100。

本發(fā)明實施例提供的有機(jī)發(fā)光顯示面板為無源式有機(jī)發(fā)光顯示面板。即第一子電極和第二子電極的交叉點形成像素，也就是發(fā)光的部位。外部電路向選取的第一子電極與第二子電極施加電流，從而決定哪些像素發(fā)光，哪些不發(fā)光。此外，每個像素的亮度與施加電流的大小成正比。

可選的，第一凹槽100的深度可以小于或者等于發(fā)光功能層113的厚度。在圖2b的結(jié)構(gòu)中，第一凹槽100的深度小于或等于第一電極層、發(fā)光功能層以及第二電極層的厚度之和。

圖12為本發(fā)明實施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法的流程示意圖，如圖12所示，所述方法包括：

步驟S310、在所述襯底基板上依次形成薄膜晶體管陣列層和平坦化層。

圖13a為步驟S310的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖13a所示，在襯底基板10上依次形成薄膜晶體管陣列層13和平坦化層14。薄膜晶體管陣列層13包括驅(qū)動有機(jī)發(fā)光顯示面板進(jìn)行發(fā)光顯示的多個薄膜晶體管。由于薄膜晶體管陣列層13在制作過程中用到多次圖形化刻蝕，表面具有較大起伏，因此設(shè)置平坦化層14。

步驟S320、在所述平坦化層上形成第一電極層；所述第一電極層包括多個第一子電極；每一所述第一子電極與所述薄膜晶體管陣列層中的一對應(yīng)薄膜晶體管電連接。

圖13b為步驟S320的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖13b所示，為實現(xiàn)第一電極層111中的各個第一子電極1111與薄膜晶體管陣列層13中對應(yīng)的薄膜晶體管電連接，首先需形成多個通孔，多個通孔分別露出對應(yīng)的薄膜晶體管的源極或漏極。然后在平坦化層14上形成第一電極層111，第一電極層111包括多個第一子電極1111；每一第一子電極1111通過通孔與薄膜晶體管陣列層13中的一對應(yīng)薄 膜晶體管電連接。

步驟S330、在所述平坦化層和所述第一電極層上形成像素界定層；

圖13c為步驟S330的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖13c所示，在平坦化層14和第一電極層111上形成像素界定層141。

步驟S340、在所述像素界定層對應(yīng)的發(fā)光區(qū)處形成多個開口結(jié)構(gòu)，以及在所述像素界定層對應(yīng)的非發(fā)光區(qū)處形成多個第一凹槽，其中，所述多個第一凹槽位于所述多個開口結(jié)構(gòu)之間。

圖13d為步驟S340的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖13d所示，在像素界定層114對應(yīng)的發(fā)光區(qū)處形成多個開口結(jié)構(gòu)1141，以及在像素界定層114對應(yīng)的非發(fā)光區(qū)處形成多個第一凹槽100，其中，多個第一凹槽100位于多個開口結(jié)構(gòu)1141之間。需要說明的是，多個第一凹槽100以及多個開口結(jié)構(gòu)1141可以在同一工藝中同時形成，也可以在不同工藝制程中分別形成多個第一凹槽100以及多個開口結(jié)構(gòu)1141，其中本發(fā)明實施例對多個第一凹槽100以及多個開口結(jié)構(gòu)1141的形成順序不做限定。

步驟S350、在所述多個開口結(jié)構(gòu)中形成發(fā)光功能層。

圖13e為步驟S350的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖13e所示，在多個開口結(jié)構(gòu)1141中形成發(fā)光功能層114。

發(fā)光功能層可以包括多層結(jié)構(gòu)，例如包括依次設(shè)置的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層以及電子注入層。電子注入層和電子傳輸層也可以有效調(diào)節(jié)電子的注入速度和注入量，空穴注入層和空穴傳輸層可以有效調(diào)節(jié)空穴的注入速度和注入量，因此可以提高有機(jī)發(fā)光顯示面板的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。需要說明的是，除了保證有機(jī)發(fā)光顯示面板正常發(fā)光顯示所必需的發(fā)光層 之外，基于產(chǎn)品成本以及發(fā)光亮度和發(fā)光效率的考慮，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)實際產(chǎn)品需求，可選擇性的設(shè)置其他膜層。此外，為了降低制備過程中的掩膜成本還可以只將發(fā)光層設(shè)置在開口結(jié)構(gòu)1141中，其他膜層(空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層以及電子注入層)作為整面的膜層進(jìn)行制備。

步驟S360、在所述發(fā)光功能層上形成第二電極層；所述第二電極層為面狀電極。

圖13f為步驟S360的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖13f所示，在發(fā)光功能層113上形成第二電極層112；第二電極層112為面狀電極。本實施例中的發(fā)光元件層11包括第一電極層111、像素界定層114、發(fā)光功能層113以及第二電極層112。

步驟S370、在所述發(fā)光元件層上以及所述多個第一凹槽上形成封裝層，所述封裝層充滿所述多個第一凹槽。

圖13g為步驟S370的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖13g所示，在發(fā)光元件層11上以及多個第一凹槽100上形成封裝層12，封裝層12充滿多個第一凹槽100。

本發(fā)明實施例提供的有機(jī)發(fā)光顯示面板為有源式有機(jī)發(fā)光顯示面板。即第一電極層中的多個第一子電極1111分別與面狀的第二電極層112形成像素，也就是發(fā)光的部位。每個像素均配置有開關(guān)功能的薄膜晶體管，即每一第一子電極與薄膜晶體管陣列層13中的一對應(yīng)薄膜晶體管電連接。與第一子電極1111電連接的薄膜晶體管用于根據(jù)數(shù)據(jù)信號控制每個像素發(fā)光狀態(tài)。

本發(fā)明實施例中，第一凹槽100的深度可以小于或者等于像素界定層114的厚度。圖13f示例性的設(shè)置第一凹槽100的深度等于像素界定層114的厚度。

圖14為本發(fā)明實施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法的流程示意圖。如圖14所示，所述方法包括：

步驟S410、在所述襯底基板上依次形成薄膜晶體管陣列層和平坦化層。

步驟S410與步驟S310的剖面結(jié)構(gòu)類似，請參見圖13a，本發(fā)明實施例再次不做贅述。

步驟S420、在所述平坦化層上形成像素界定層。

圖15a為步驟S420的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖15a所示，在平坦化層14上形成像素界定層114。

步驟S430、在所述像素界定層對應(yīng)的發(fā)光區(qū)處形成多個開口結(jié)構(gòu)，以及在所述像素界定層對應(yīng)的非發(fā)光區(qū)處形成多個第一凹槽，所述多個第一凹槽位于所述多個開口結(jié)構(gòu)之間。

圖15b為步驟S430的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖15b所示，在像素界定層114對應(yīng)的發(fā)光區(qū)處形成多個開口結(jié)構(gòu)1141，以及在像素界定層114對應(yīng)的非發(fā)光區(qū)處形成多個第一凹槽100，多個第一凹槽100位于多個開口結(jié)構(gòu)1141之間。

步驟S440、在所述多個開口結(jié)構(gòu)中形成第一電極層和發(fā)光功能層；所述第一電極層包括多個第一子電極；每一所述第一子電極與所述薄膜晶體管陣列層中的一對應(yīng)薄膜晶體管電連接。

圖15c為步驟S440的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖15c所示，為實現(xiàn)第一電極層111中的各個第一子電極1111與薄膜晶體管陣列層13中對應(yīng)的薄膜晶體管電連接，首先需形成多個通孔，多個通孔分別露出對應(yīng)的薄膜晶體管的源極或漏極。然后在多個開口結(jié)構(gòu)1141中形成第一電極層111和發(fā)光功能層113。其中，第一電極層111包括多個第一子電極1111；每一第一子電極1111與薄膜晶體管陣列層13中的一對應(yīng)薄膜晶體管電連接。

步驟S450、形成第二電極層；所述第二電極層為面狀電極。

圖15d為步驟S450的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖15d所示，形成第二電極層112，其中第二電極層112為面狀電極。

步驟S460、在所述發(fā)光元件層上以及所述多個第一凹槽上形成封裝層，所述封裝層充滿所述多個第一凹槽。

圖15e為步驟S460的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖15e所示，在發(fā)光元件層11上以及多個第一凹槽100上形成封裝層12，封裝層12充滿多個第一凹槽100。

在上述實施例的基礎(chǔ)上，可選的，在像素界定層對應(yīng)的非發(fā)光區(qū)處形成形成多個第一凹槽的同時，還可以包括：

在平坦化層上形成多個第二凹槽；其中，沿垂直于襯底基板方向，第一凹槽貫穿像素界定層；第二凹槽與第一凹槽對接，第二凹槽的深度小于或等于平坦化層的厚度，使得有機(jī)層可以有效緩解彎折應(yīng)力。需要說明的是，第一凹槽和第二凹槽可以在同一工藝制程中同時形成。在本實施例中，第一凹槽和第二凹槽組成了填充凹槽，并且，該填充凹槽的截面優(yōu)選弧形，以及夾角a角度范圍為(0°，60°)。

可選的，若沿垂直于襯底基板方向，第一凹槽貫穿像素界定層，第二凹槽貫穿平坦化層，在像素界定層對應(yīng)的所述非發(fā)光區(qū)處形成多個第一凹槽和多個第二凹槽的同時，還可以包括：

在薄膜晶體管陣列層形成多個第三凹槽。第三凹槽與第二凹槽對接，第三凹槽的深度小于或等于薄膜晶體管陣列層的厚度。第一凹槽、第二凹槽以及第三凹槽可以在同一工藝制程中同時形成。在本實施例中，第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽組成了填充凹槽，并且，該填充凹槽的截面優(yōu)選弧形，以及夾角a角度范圍為(0°，60°)。

本發(fā)明實施例中的封裝層可以是一層或者多層結(jié)構(gòu)，使用材料可以是有機(jī)層或者無機(jī)層，亦或者是有機(jī)層和無機(jī)層的疊層結(jié)構(gòu)，例如封裝層包括至少一個無機(jī)層和至少一個有機(jī)層。為保證有機(jī)發(fā)光顯示面板的氣密性，設(shè)置發(fā)光元件層與一無機(jī)層接觸。

可選的，在所述發(fā)光元件層上以及所述多個第一凹槽上形成封裝層，所述封裝層充滿所述多個第一凹槽，可以包括：

在所述發(fā)光元件層上以及所述多個第一凹槽上形成第一無機(jī)層；

在所述第一無機(jī)層上形成第一有機(jī)層；

在所述第一有機(jī)層上形成第二無機(jī)層。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實施例及所運用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。