1.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括以下步驟：
在襯底上形成包括真實(shí)掩模圖案和偽掩模圖案的多個(gè)掩模圖案；
去除偽掩模圖案；以及
利用真實(shí)掩模圖案作為掩模對(duì)襯底進(jìn)行蝕刻，以形成第一溝槽、第二溝槽以及由第一溝槽和第二溝槽限定的鰭式圖案；
其中，接觸鰭式圖案的第二溝槽包括平滑圖案、位于第二溝槽的側(cè)表面與平滑圖案之間的第一凹進(jìn)部分和位于平滑圖案與第二溝槽的底表面之間的第二凹進(jìn)部分，所述平滑圖案凸出并且位于第二溝槽的底表面與側(cè)表面之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，第二溝槽的深度大于第一溝槽的深度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，平滑圖案的上表面低于第一溝槽的底表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，平滑圖案的表面的斜率連續(xù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，第一溝槽的寬度小于第二溝槽的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述多個(gè)掩模圖案彼此間隔開(kāi)預(yù)定間距。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成第一溝槽和第二溝槽的步驟包括：
對(duì)襯底進(jìn)行第一蝕刻以形成預(yù)第一溝槽；以及
對(duì)預(yù)第一溝槽的底表面進(jìn)行更深的第二蝕刻，以形成第一溝槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在鰭式圖案上共形地形成包括多晶硅的第一襯墊。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括，在形成第一襯墊之前，在鰭式圖案的表面上共形地形成包括氧化物膜的第二襯墊。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，同時(shí)形成第一溝槽和第二溝槽。
11.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括以下步驟：
在襯底上形成具有預(yù)定間距的掩模圖案，其中掩模圖案包括真實(shí)掩模圖案和偽掩模圖案；
去除偽掩模圖案以形成預(yù)第二溝槽和在預(yù)第二溝槽與真實(shí)掩模圖案之間突出的尖銳圖案；以及
利用真實(shí)掩模圖案作為掩模對(duì)襯底進(jìn)行蝕刻，以形成第一溝槽、通過(guò)增大預(yù)第二溝槽的深度而形成的第二溝槽和通過(guò)增大尖銳圖案的表面的平滑度而形成的平滑圖案。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，尖銳圖案的上表面的高度比平滑圖案的上表面更高或與平滑圖案的上表面相同。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，同時(shí)執(zhí)行蝕刻襯底以形成第一溝槽的步驟以及通過(guò)增大預(yù)第二溝槽的深度而形成第二溝槽的步驟。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，形成第一溝槽和第二溝槽的步驟包括形成由第一溝槽和第二溝槽限定的鰭式圖案，并且
所述方法還包括：形成填充第一溝槽的至少一部分和第二溝槽的至少一部分的器件隔離膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，形成器件隔離膜的步驟包括：
形成完全填充第一溝槽和第二溝槽的器件隔離膜，以及
去除器件隔離膜的一部分以暴露出鰭式圖案的上部。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，包括：在去除器件隔離膜的所述一部分之前，對(duì)器件隔離膜進(jìn)行退火以使鰭式圖案傾斜至一側(cè)。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，形成第一溝槽和第二溝槽的步驟包括：
形成由第一溝槽和第二溝槽限定的鰭式圖案，并且
形成平滑圖案的步驟包括：
形成鰭式圖案與平滑圖案之間的第一凹進(jìn)部分以及第二溝槽的底部與平滑圖案之間的第二凹進(jìn)部分。
18.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括以下步驟：
在襯底上形成掩模圖案；
執(zhí)行蝕刻處理，該蝕刻處理包括以下步驟：
選擇性地去除掩模圖案中的至少一個(gè)，以在不去除其余各個(gè)掩模圖案之間的襯底的情況下在鄰近所述其余各個(gè)掩模圖案的襯底中限定初始溝槽，其中初始溝槽的邊緣限定尖銳圖案；以及
蝕刻所述其余各個(gè)掩模圖案之間的襯底，以限定從襯底突出的鰭式圖案和所述鰭式圖案之間的淺溝槽，其中，蝕刻步驟使尖銳圖案變鈍并且增大初始溝槽的深度，以在鄰近鰭式圖案中的一個(gè)的襯底中限定深溝槽；以及
響應(yīng)于執(zhí)行所述蝕刻處理，在淺溝槽和深溝槽中形成器件隔離圖案。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，響應(yīng)于執(zhí)行所述蝕刻處理，鰭式圖案中的所述一個(gè)的側(cè)壁與深溝槽的底表面之間的襯底部分限定了凸出圖案。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，響應(yīng)于執(zhí)行所述蝕刻處理，鰭式圖案中的所述一個(gè)的側(cè)壁與凸出圖案之間的襯底部分限定了第一凹進(jìn)圖案，并且其中，凸出圖案與深溝槽的底表面之間的襯底部分限定了第二凹進(jìn)圖案。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，蝕刻所述其余各個(gè)掩模圖案之間的襯底的步驟包括：
執(zhí)行第一蝕刻，以在所述其余各個(gè)掩模圖案之間限定初始淺溝槽以及增大初始溝槽的深度以限定具有其邊緣變鈍的尖銳圖案的初始深溝槽；以及
執(zhí)行第二蝕刻，以增大初始淺溝槽和初始深溝槽的對(duì)應(yīng)深度，以分別限定淺溝槽和深溝槽，從而使得深溝槽分別在襯底的各部分中包括第一凹進(jìn)圖案、凸出圖案和第二凹進(jìn)圖案。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，響應(yīng)于執(zhí)行所述蝕刻處理，鰭式圖案之間的淺溝槽沒(méi)有凸出圖案。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，掩模圖案包括襯底的第一區(qū)上的第一掩模圖案，其中，鰭式圖案和淺溝槽分別包括第一鰭式圖案和第一淺溝槽，并且在執(zhí)行蝕刻處理之前還包括以下步驟：
在襯底的鄰近第一區(qū)的第二區(qū)上形成第二掩模圖案，其中，第一掩模圖案和第二掩模圖案間隔開(kāi)，第一掩模圖案與第二掩模圖案之間的間距均勻；
利用第二掩模圖案作為掩模選擇性地蝕刻襯底的第二區(qū)，以在其中限定第二鰭式圖案，第二鰭式圖案之間具有第二淺溝槽；以及
在第二淺溝槽中形成第一器件隔離膜，
其中，第二淺溝槽的深度與第一淺溝槽的深度相同。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中，深溝槽包括襯底的第一區(qū)中的第一深溝槽，并且還包括：
在鄰近第二鰭式圖案中的一個(gè)的襯底的第二區(qū)中形成第二深溝槽，以使得第二鰭式圖案中的所述一個(gè)的側(cè)壁與第二深溝槽的底表面之間的襯底部分限定尖銳圖案；以及
在第二深溝槽中的尖銳圖案上形成第二器件隔離膜，
其中，第二深溝槽的深度大于第一深溝槽的深度，并且
其中，尖銳圖案以遠(yuǎn)離第二深溝槽的底表面的方式突出，并且突出得超過(guò)凸出圖案。
25.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，淺溝槽和深溝槽中的器件隔離圖案包括相同的低k器件隔離膜的部分。