1.一種光吸收增強的開口型硅薄膜球殼陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)在基材表面制備一層金屬材料，在金屬層表面制備緊密排列的單層二氧化硅納米的粒子陣列；
2)在粒子陣列上沉積硅薄膜；
3)在硅薄膜表面制備聚合物層；
4)將金屬層利用酸溶液溶解使得硅膜結(jié)構(gòu)與基材脫離；
5)以聚合物層為基底，選擇性刻蝕二氧化硅納米粒子表面的硅薄膜并部分暴露出二氧化硅粒子陣列；
6)用氫氟酸去除二氧化硅粒子，形成以聚合物層為基底的開口型硅薄膜球殼陣列結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光吸收增強的開口型硅薄膜球殼陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述的步驟1)中基材為非金屬材料，包括玻璃、塑料或者硅片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光吸收增強的開口型硅薄膜球殼陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述的步驟1)中金屬材料是鋁或者鉻，厚度為200～500nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光吸收增強的開口型硅薄膜球殼陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述的步驟1)中緊密排列的單層二氧化硅納米粒子陣列利用單層膜轉(zhuǎn)移法或旋涂法制備。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光吸收增強的開口型硅薄膜球殼陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述的步驟2)中硅薄膜利用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)或磁控濺射方法制備。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光吸收增強的開口型硅薄膜球殼陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述的步驟3)中聚合物層材料是聚二甲基硅氧烷(PDMS)或者環(huán)氧樹脂聚合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光吸收增強的開口型硅薄膜球殼陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述的步驟4)中酸溶液為稀硫酸或者稀鹽酸，將金屬層溶解。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光吸收增強的開口型硅薄膜球殼陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述的步驟6)中氫氟酸為體積分?jǐn)?shù)3～7％的稀釋溶液。