技術總結
本發(fā)明公開了微納電子和自旋電子學材料的半導體器件制備技術領域的一種室溫p型磁性半導體p?n?p雙重結器件和電控磁器件。所述p?n?p雙重結器件是一種基于室溫p型磁性半導體和n型Si的p?n結和p?n?p雙重結器件，在n型Si上下表面鍍有室溫p型磁性半導體薄膜，形成了Au/p?CFTBO/n?Si/p?CFTBO/Au結構的p?n?p雙重結器件，具有明顯的整流效應；所述電控磁器件是在單晶硅表面依次鍍上一層Cr膜、Au膜、一層p型磁性半導體薄膜和HfO2等氧化物絕緣層薄膜；該電控磁器件通過外加門電壓產(chǎn)生的電場效應對其磁學性能進行有效調(diào)控:本發(fā)明與目前以Si為基礎的半導體更易于實現(xiàn)兼容。

技術研發(fā)人員：陳娜;劉文劍;姚可夫
受保護的技術使用者：清華大學
文檔號碼：201610946797
技術研發(fā)日：2016.11.02
技術公布日：2017.03.08