1.一種室溫p型磁性半導體p-n-p雙重結器件和電控磁器件，其特征在于，包括室溫p型磁性半導體p-n-p雙重結器件和電控磁器件的結構；所述室溫p型磁性半導體p-n-p雙重結器件是一種基于p型磁性半導體和n型Si的p-n-p雙重結器件，在n型Si上、下表面沉積p型磁性半導體薄膜，然后分別在n-Si和兩層薄膜表面鍍金或銦膜電極，形成了Au/p-CFTBO/n-Si/p-CFTBO/Au結構的p-n-p雙重結器件；其中CFTBO為室溫p型磁性半導體成分CoFeTaBO的簡；該p-n-p雙重結器件具有明顯整流效應，與目前以Si為基礎的半導體更易于實現兼容；
所述電控磁器件是在單晶硅表面依次鍍上一層Cr膜和Au膜作為底電極，在Au膜表面依次沉積一層p型磁性半導體薄膜和HfO2或MgO2等氧化物絕緣層薄膜，在絕緣層薄膜和Au膜之間施加門電壓進行磁學性能的調控。
2.一種室溫p型磁性半導體p-n-p雙重結器件和電控磁器件的制備方法，其特征在于，具體包括：
(1)基于室溫p型磁性半導體的p-n-p雙重結器件的制備：
1)將重摻雜的雙拋n型(100)硅片用氫氟酸清洗，去除表面氧化層，然后用丙酮、酒精和去離子水進一步清洗；
2)利用磁控濺射，控制氧分壓，在清洗后的雙拋n型硅片的一面鍍上一層室溫p型磁性半導體薄膜，室溫p型磁性半導體的成分為CoFeTaBO即簡寫為CFTBO；
3)利用磁控濺射，控制氧分壓，在雙拋的n型硅的另一面鍍上一層室溫p型磁性半導體薄膜；
4)將99％純度的高純軟金屬沉積或壓制電極于p型磁性半導體薄膜和硅片的特定部位，連接銅引線，得到了基于室溫p型磁性半導體的p-n-p結構及其p-n-p雙重結器件；所述高純軟金屬為In和Au
(2)基于室溫p型磁性半導體的電控磁器件的制備，具體包括以下步驟：
1)在單晶硅表面依次鍍上一層Cr膜和Au膜，作為底電極；
2)利用磁控濺射，在Au膜表面依次沉積一層室溫p型磁性半導體薄膜和氧化物絕緣層薄膜，同時添加掩模版保留一部分Au膜不被濺射，用以后期連接銅引線；
3)在氧化物絕緣層和Au膜之間加上正負、大小不同的電壓，得到基于室溫p型磁性半導體的電控磁器件。
3.根據權利要求2所述室溫p型磁性半導體p-n-p雙重結器件和電控磁器件的制備方法，其特征在于，所述步驟4)得到的基于室溫p型磁性半導體的電控磁器件，在室溫下對該器件采用外加門電壓的方式進行磁學性能的調控，在門電壓絕對值不高于2V的條件下，對制備的不同厚度的p型磁性半導體的磁學性能進行有效的電調控；具體是在25納米厚度的Au膜上外加門電壓為1.2V，飽和磁化強度相對原始樣品變化了54％。