1.一種大容量環(huán)形儲能磁體的真空殼體，包括上、下殼體和上、下殼體軸心位置設(shè)置的支撐架，其特征在于，所述上、下殼體由卡鉗緊固密封法蘭連接，所述上殼體頂部設(shè)有圓形通孔。
2.如權(quán)利要求1所述的真空殼體，其特征在于，所述上、下殼體均為單層不銹鋼結(jié)構(gòu)，所述上、下殼體的側(cè)壁和底面過渡面均為弧面，所述上、下殼體外側(cè)均陣列設(shè)置加強筋，所述下殼體底面內(nèi)側(cè)邊緣環(huán)形陣列支撐塊，外側(cè)環(huán)形陣列設(shè)置支撐腿。
3.如權(quán)利要求1所述的真空殼體，其特征在于，所述支撐架設(shè)于所述上、下殼體之間，由四根豎直平行設(shè)置的不銹鋼條和內(nèi)接于所述四根鋼條水平設(shè)置的兩個圓形不銹鋼環(huán)組成。
4.如權(quán)利要求1所述的真空殼體，其特征在于，所述圓形通孔處設(shè)有圓形頂板，所述上殼體外側(cè)陣列所述加強筋的頂部設(shè)有圓形吊耳。
5.如權(quán)利要求2所述的真空殼體，其特征在于，所述支撐塊呈長方形且分內(nèi)、外兩層環(huán)形陣列排布。
6.如權(quán)利要求3所述的真空殼體，其特征在于，所述不銹鋼環(huán)由按質(zhì)量百分比計的下述組份制得：C≤0.15％，Cr為17％～19％，Ni為8％～10％，Si≤1％，Mn≤2％，P≤0.035％，S≤0.030％，余量為Fe。
7.如權(quán)利要求4所述的真空殼體，其特征在于，所述不銹鋼條一端固定于所述下殼體上，另一端連接所述頂板。
8.如權(quán)利要求4所述的真空殼體，其特征在于，所述頂板邊緣環(huán)形陣列設(shè)有低溫系統(tǒng)控制閥安裝口，所述頂板上位于所述低溫系統(tǒng)控制閥安裝口內(nèi)部設(shè)有電流引線安裝口、低溫管道進出口和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)接口，側(cè)面為內(nèi)連接卡鉗緊固密封法蘭。