本發(fā)明涉一種真空殼體，尤其涉及一種大容量環(huán)形儲能磁體的真空殼體。

背景技術：
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系統(tǒng)儲能量的計算用于估算系統(tǒng)總體尺寸，高溫超導帶磁體一般采用單導體成型繞制的雙餅線圈技術，為了實現大容量總儲能磁體要求，主要是采用以雙餅線圈為基礎模塊，采用多個雙餅線圈并列合并成一組單元線圈繞組，儲能磁體系統(tǒng)就是由多個單元線圈繞組沿環(huán)向對稱而成，儲能量的大小與線圈尺寸，線圈單元數量成正比，容量越大，線圈尺寸越大，線圈單元數越多，容納其儲能磁體的空間也越大，而現有技術中的真空殼體普遍存在空間小，強度低，結構復雜等不足，因此，發(fā)明一種大容量環(huán)形儲能磁體的真空殼體就顯得尤為重要。

技術實現要素：
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為解決上述現有技術的不足，本發(fā)明公開了一種大容量環(huán)形儲能磁體的真空殼體，包括上、下殼體和上、下殼體軸心位置設置的支撐架，其特征在于，所述上、下殼體由卡鉗緊固密封法蘭連接，所述上殼體頂部設有圓形通孔。

第一優(yōu)選方案為，所述上、下殼體均為單層不銹鋼結構，所述上、下殼體的側壁和底面過渡面均為弧面，所述上、下殼體外側均陣列設置加強筋，所述下殼體底面內側邊緣環(huán)形陣列支撐塊，外側環(huán)形陣列設置支撐腿。

第二優(yōu)選方案為，所述支撐架設于所述上、下殼體之間，由四根豎直平行設置的不銹鋼條和內接于所述四根鋼條水平設置的兩個圓形不銹鋼環(huán)組成。

第三優(yōu)選方案為，所述圓形通孔處設有圓形頂板，所述上殼體外側陣列所述加強筋的頂部設有圓形吊耳。

第四優(yōu)選方案為，所述支撐塊呈長方形且分內、外兩層環(huán)形陣列排布。

第五優(yōu)選方案為，所述不銹鋼環(huán)由按質量百分比計的下述組份制得：C≤0.15％，Cr為17％～19％，Ni為8％～10％，Si≤1％，Mn≤2％，P≤0.035％，S≤0.030％，余量為Fe。

第六優(yōu)選方案為，所述不銹鋼條一端固定于所述下殼體上，另一端連接所述頂板。

第七優(yōu)選方案為，所述頂板邊緣環(huán)形陣列設有低溫系統(tǒng)控制閥安裝口，所述頂板上位于所述低溫系統(tǒng)控制閥安裝口內部設有電流引線安裝口、低溫管道進出口和數據采集系統(tǒng)接口，側面為內連接卡鉗緊固密封法蘭。

綜上所述，和最接近的技術方案比，本發(fā)明提供的技術方案具有以下優(yōu)異效果：

1、本發(fā)明的真空殼體結構簡單，可以降低系統(tǒng)在裝配和檢修過程中操作難度。

2、本發(fā)明的真空殼體的上、下殼體均為單層不銹鋼結構，為內部環(huán)形儲能磁體提供了較大空間。

3、本發(fā)明的真空殼體的上、下殼體外部均陣列有加強筋，保證了結構強度。

4、本發(fā)明的真空殼體中支撐架的設置，有利于加強結構強度并隔離開磁體與內部操作空間。

附圖說明

圖1為大容量環(huán)形儲能磁體的真空殼體外部結構示意圖；

圖2為下殼體內部結構示意圖。

圖中，1-頂板，2-上殼體，3-下殼體，4-低溫系統(tǒng)控制閥安裝口，5-電流引線安裝口，6-數據采集系統(tǒng)接口，7-低溫管道進出口，8-支撐腿，9-加強筋，10-不銹鋼條，11-不銹鋼環(huán)，12-支撐塊。

具體實施方式

為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明中一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有付出創(chuàng)造性勞動的前提下所有獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明的保護范圍。下面結合附圖對本發(fā)明提供的技術方案做詳細說明。

實施例一

如圖1所示，為本發(fā)明提供的真空殼體的外部結構示意圖，包括上殼體2、下殼體3和設置在上、下殼體軸心位置的支撐架，上、下殼體由卡鉗緊固密封法蘭連接，所述上殼體2頂部設有圓形通孔，圓形通孔處設有圓形頂板1，上殼體2外側陣列加強筋9的頂部設有圓形吊耳，吊耳為吊裝操作提供方便，上殼體2、下殼體3均為單層不銹鋼結構，其側壁和底面過渡面均為弧面，外側均陣列設置加強筋9，加強筋9的設置保證了真空殼體整體的結構強度，如圖2所示，下殼體3底面內側邊緣環(huán)形陣列支撐塊12，外側環(huán)形陣列設置支撐腿8，支撐塊12呈長方形且分內、外兩層環(huán)形陣列排布，用于支撐安裝于真空殼體內部的大容量環(huán)形儲能磁體，和熱屏蔽，能夠很好的保證磁體陣列的角度和位置，且支撐時兩者間為點接觸，這種點接觸方式減少了兩者之間的熱傳遞。

如圖2所示，為本發(fā)明的真空殼體的下殼體3的結構示意圖，下殼體3底面內側固定有支撐架，支撐架由四根豎直平行設置的不銹鋼條10和內接于四根鋼條水平設置的兩個圓形不銹鋼環(huán)11組成，不銹鋼條10一端固定于下殼體3底面內側，另一端連接頂板1，頂板1呈圓形，通過設于其側面的卡鉗緊固密封法蘭將其固定于上殼體2的圓形通孔處，頂板1邊緣環(huán)形陣列設有低溫系統(tǒng)控制閥安裝口4，頂板1上位于低溫系統(tǒng)控制閥安裝口4內部設有電流引線安裝口5、低溫管道進出口7和數據采集系統(tǒng)接口6，用于實現真空殼體的內外部信息等的交換和傳遞。

其中，不銹鋼環(huán)11由按質量百分比計的下述組份制得：C≤0.15％，Cr為17％～19％，Ni為8％～10％，Si≤1％，Mn≤2％，P≤0.035％，S≤0.030％，余量為Fe，大大加強了結構強度并隔離開了磁體與內部操作的空間，有利于熱量的散發(fā)。

以下實施例中只改變不銹鋼環(huán)的組份配比，其他工藝條件不變，具體改變參數見下表：

最后應當說明的是：以上實施例僅用以說明本申請的技術方案而非對其保護范圍的限制，盡管參照上述實施例對本申請進行了詳細的說明，所屬領域的普通技術人員應當理解：本領域技術人員閱讀本申請后依然可以對申請的具體實施方式進行種種變更、修改或者等同替換，但這些變更、修改或者等同替換，均在申請待批的權利要求保護范圍之內。