本發(fā)明涉及芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，電子產(chǎn)品越來越向小型化、智能化以及高可靠性方向發(fā)展，而集成電路封裝直接影響著集成電路、電子模塊乃至整機(jī)性能，在集成電路晶片尺寸逐步縮小、集成度不斷提高的情況下，電子工業(yè)對集成電路封裝救贖提出了越來越高的要求。

目前的扇出(fanout)工藝，芯片埋在樹脂材料中，當(dāng)芯片工作時產(chǎn)生的熱量因散熱不好而累積，從而造成芯片過熱，性能降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種芯片封裝工藝，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)存在的散熱不佳導(dǎo)致芯片性能降低的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是：提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，該芯片封裝結(jié)構(gòu)包括第一金屬圖案層、芯片、第二金屬圖案層和封料層，其中，芯片包括設(shè)有連接凸點(diǎn)的第一側(cè)面和未設(shè)置連接凸點(diǎn)的第二側(cè)面，所述芯片設(shè)置在所述第一金屬圖案層上，且所述第二側(cè)面與所述第一金屬圖案層接觸；第二金屬圖案層設(shè)置在所述芯片之上，所述第二金屬圖案層的至少部分區(qū)域與所述連接凸點(diǎn)接觸；封料層所述封料層包覆所述第一金屬圖案層、所述芯片和所述第二金屬圖案層，且所述封料層的一側(cè)裸露出所述第一金屬圖案層，所述封料層的另一側(cè)裸露出所述第二金屬圖案層。

其中，所述芯片外周設(shè)有限位部件，以限定所述芯片的位置。

其中，所述限位部件包括多個限位柱體，所述多個限位柱體嵌在所述封料層內(nèi)部并圍成一個裝載空間，所述芯片設(shè)置在所述裝載空間內(nèi)。

其中，所述限位柱體形成在所述第一金屬圖案層上，所述限位柱體的一端與所述第一金屬圖案層接觸。

其中，所述第一金屬圖案層包括互不相連的基部和散熱部，所述基部設(shè)置在所述散熱部的外周；所述限位柱體形成在所述基部上；所述芯片設(shè)置在所述散熱部上，且所述第二側(cè)面與所述散熱部接觸。

其中，所述限位柱體為金屬柱體，所述第二金屬圖案層的至少部分區(qū)域與所述限位柱體的另一端接觸。

其中，所述基部包括多個互不相連的布線區(qū)域，每個所述布線區(qū)域上至少設(shè)置有一個所述限位柱體。

其中，所述散熱部呈網(wǎng)狀。

其中，所述封料層包括第一封料層和第二封料層，所述第一金屬圖案層和所述芯片嵌在所述第一封料層內(nèi)，所述第二金屬圖案層嵌在所述第二封料層內(nèi)。

其中，所述封料層為樹脂層。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明通過將第一金屬圖案層和第二金屬圖案層分別在封料層的兩側(cè)裸露出來，并且，芯片的第二側(cè)面與第一金屬圖案層接觸，因而，即使芯片嵌于封料層中，芯片工作時產(chǎn)生的熱量能從第一金屬圖案層及時散發(fā)出去，而不會造成熱量的累積，避免芯片過熱而導(dǎo)致性能降低。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖；

圖2是圖1中A區(qū)域的側(cè)視圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片封裝結(jié)構(gòu)中第一金屬圖案層和限位部件的俯視圖；

圖4是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的芯片封裝結(jié)構(gòu)一個區(qū)域的側(cè)視圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片封裝工藝的流程示意圖；

圖6是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的芯片封裝工藝的流程示意圖；

圖7是圖6中步驟S21時的俯視圖；

圖8是圖7中A區(qū)域的側(cè)視圖；

圖9是圖6中步驟S22時的俯視圖；

圖10是圖9中A區(qū)域的側(cè)視圖；

圖11是圖6中步驟S23時的俯視圖；

圖12是圖11中A區(qū)域的側(cè)視圖；

圖13是圖6中步驟S24的第一封料預(yù)制片壓合前的俯視圖；

圖14是圖13中A區(qū)域的側(cè)視圖；

圖15是圖6中步驟S24的第一封料預(yù)制片壓合后的俯視圖；

圖16是圖15中A區(qū)域的側(cè)視圖；

圖17是圖6中步驟S24形成第一封料層后的俯視圖；

圖18是圖17中A區(qū)域的側(cè)視圖；

圖19是圖6中步驟S25時的俯視圖；

圖20是圖19中A區(qū)域的側(cè)視圖；

圖21是圖6中步驟S26壓合第二封料預(yù)制片后的俯視圖；

圖22是圖21中A區(qū)域的側(cè)視圖；

圖23是圖6中步驟S26形成第二封料層后的俯視圖；

圖24是圖23中A區(qū)域的側(cè)視圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請參閱圖1和圖2，圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖2是圖1中A區(qū)域的側(cè)視圖。

本發(fā)明的芯片封裝結(jié)構(gòu)至少包括第一金屬圖案層10、芯片20、第二金屬圖案層30以及封料層40，其中，芯片20設(shè)置在第一金屬圖案層10上，并與第一金屬圖案層10接觸，第二金屬圖案層30設(shè)置在芯片20之上，封料層40包覆第一金屬圖案層10、芯片20和第二金屬圖案層30。

具體地，芯片20包括設(shè)有連接凸點(diǎn)21的第一側(cè)面22和未設(shè)置連接凸點(diǎn)21的第二側(cè)面23，芯片20設(shè)置在第一金屬圖案層10上，且芯片20的第二側(cè)面23與第一金屬圖案層10接觸，以使芯片20產(chǎn)生的熱量可以從第一金屬圖案層10導(dǎo)出。

第二金屬圖案層30設(shè)置在芯片20之上，第二金屬圖案層30的至少部分區(qū)域與連接凸點(diǎn)21接觸，以通過第二金屬圖案層30將芯片20與外部電路導(dǎo)通。

封料層40包覆第一金屬圖案層10、芯片20和第二金屬圖案層30，且封料層40的一側(cè)裸露出第一金屬圖案層10，封料層40的另一側(cè)裸露出第二金屬圖案層30。該封料層40一方面能起絕緣作用，另一方面使芯片20更加牢固地固定在第一金屬圖案層40上，能有效避免芯片20脫落的情況發(fā)生。

區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明通過將第一金屬圖案層10和第二金屬圖案層30分別在封料層40的兩側(cè)裸露出來，并且，芯片20的第二側(cè)面23與第一金屬圖案層10接觸，因而，即使芯片20嵌于封料層40中，芯片20工作時產(chǎn)生的熱量能從第一金屬圖案層10及時散發(fā)出去，而不會造成熱量的累積，避免芯片20過熱而導(dǎo)致性能降低。

在芯片20外周設(shè)有限位部件，以限定芯片20的位置，從而防止塑封時候封料在固化過程中的漲縮導(dǎo)致芯片20偏移。

具體而言，在本實(shí)施例中，限位部件包括多個限位柱體50，多個限位柱體50嵌在封料層40內(nèi)部并圍成一個裝載空間60，芯片20設(shè)置在裝載空間60內(nèi)。例如，本實(shí)施例的芯片20為方形，限位柱體50形成柵欄并圍成一個方形，芯片20裝載在該方形的裝載空間60內(nèi)。當(dāng)然，在其它一些實(shí)施例中，芯片20可以是其它形狀，限位柱體50形成的柵欄則圍成與芯片20近似的形狀。

可以理解地，在其它一些實(shí)施例中，限位部件還可以是其它結(jié)構(gòu)，例如，限位部件為設(shè)置在芯片四個角處的L形件，或者設(shè)置在芯片20四條邊上的擋板等，只要能限定芯片20的位置，防止芯片20偏移即可。

限位柱體50形成在第一金屬圖案層10上，限位柱體50的一端與第一金屬圖案層10接觸，從而以第一金屬圖案層10作為限位柱體50的基礎(chǔ)，形成框架結(jié)構(gòu)，能增加結(jié)合力，提高限位柱體50的穩(wěn)固性。

請參閱圖3，圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片封裝結(jié)構(gòu)中第一金屬圖案層和限位部件的俯視圖。第一金屬圖案層10包括互不相連的基部11和散熱部12，基部11設(shè)置在散熱部12的外周。具體地，限位柱體50形成在基部11上，芯片20則設(shè)置在散熱部12上，且第二側(cè)面23與散熱部12接觸。其中，散熱部12呈網(wǎng)狀，例如，本實(shí)施例的散熱部12為一個方形的網(wǎng)，該方形的網(wǎng)的形狀和大小與芯片的第二側(cè)面23的形狀和大小相近，芯片20的第二側(cè)面23直接與該散熱部12接觸，由于散熱部12為金屬材料，因而散熱部12能將芯片20的熱量充分導(dǎo)出。

限位柱體50為金屬柱體，第二金屬圖案層30的至少部分區(qū)域與限位柱體50的另一端接觸。因此，限位柱體50的兩端分別連接第一金屬圖案層10和第二金屬圖案層30，第二金屬圖案層30與芯片20的連接凸點(diǎn)21連接，從而可以建立連接凸點(diǎn)21與限位柱體20以及第一金屬層10之間的連接。使得第一金屬層10也能作為基線，從而使芯片20的第一側(cè)面22和第二側(cè)面23均能與外部電路連接。

舉例而言，本實(shí)施例中的第二金屬圖案層30包括多個圓形的連接盤31以及連接橋32，第二金屬圖案層30的一部分區(qū)域，如本實(shí)施例的中間的區(qū)域中，每個連接盤31分別對應(yīng)一個連接凸點(diǎn)21，并與該連接凸點(diǎn)21連接，其余區(qū)域的連接盤31則位于中間區(qū)域的外周，外周的連接盤31中，有部分連接盤31通過連接橋32與中間區(qū)域的部分連接盤31連接。此外，連接橋32還可以設(shè)置在中間區(qū)域，而在不同的連個連接凸點(diǎn)21之間建立連接。連接盤31和連接橋32的形狀和數(shù)量根據(jù)實(shí)際需要來設(shè)置?？梢岳斫獾?，在另一些實(shí)施例中，第二金屬圖案層30還可以具有其他圖案。

第一金屬圖案層10中的基部和11散熱部12之間互不相連，從而使得基部11作為基線而與外部電路連通，起導(dǎo)通作用，而散熱部12起散熱作用。

基部11包括多個互不相連的布線區(qū)域，例如圖3中的布線區(qū)域13a，13b、13c、13d、13e和13f，每個布線區(qū)域上至少設(shè)置有一個限位柱體50，以建立該布線區(qū)域與芯片20之間的連接。例如圖3中布線區(qū)域13a上設(shè)有5個限位柱體50，布線區(qū)域13b、13c、13d上分別設(shè)有1個限位柱體50，13e上設(shè)有4個限位柱體50，具體布線區(qū)域的數(shù)量以及每個布線區(qū)域上設(shè)置的限位柱體50的數(shù)量根據(jù)實(shí)際需求而設(shè)置。

封料層40包括第一封料層41和第二封料層42，第一金屬圖案層10、芯片20和限位部件嵌在第一封料層41內(nèi)，第二金屬圖案層30嵌在第二封料層42內(nèi)。

具體地，本實(shí)施例的第一封料層41包覆第一金屬圖案層10、芯片20和限位柱體50，使得芯片20、第一金屬圖案層10和限位柱體50的位置固定。

第二封料層42包覆第二金屬圖案層30，使得第二金屬圖案層30能更牢固地固定在第一封料層41上。

具體地，封料層40為樹脂層，例如環(huán)氧樹脂，環(huán)氧樹脂的密封性能較好，塑封容易。

綜上，本發(fā)明的芯片封裝結(jié)構(gòu)中，芯片20產(chǎn)生的熱量能及時從第一金屬圖案層10散發(fā)出去，避免熱量的累積，維護(hù)了芯片20的性能。

如圖4所示，圖4是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的芯片封裝結(jié)構(gòu)一個區(qū)域的側(cè)視圖。本實(shí)施例與上述實(shí)施例的區(qū)別在于，本實(shí)施例的芯片封裝結(jié)構(gòu)為兩個上述實(shí)施例的芯片封裝結(jié)構(gòu)的堆疊，并且，底層的芯片封裝結(jié)構(gòu)的第二金屬圖案層30與限位柱體50對應(yīng)的位置處，以及頂層的芯片封裝結(jié)構(gòu)的第一金屬圖案層10余限位柱體50對應(yīng)的位置處通過焊球70進(jìn)行連接，以實(shí)現(xiàn)兩個芯片之間的導(dǎo)通。

可以理解地，在其它一些實(shí)施例中，還可以是多個上述實(shí)施例的芯片封裝結(jié)構(gòu)的堆疊。

請繼續(xù)參閱圖5，圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片封裝工藝的流程示意圖。

本實(shí)施例的芯片封裝工藝包括以下步驟：

S11：在載板上形成第一金屬圖案層。

第一金屬圖案層10的形成過程可以是：先在載板上形成一金屬層，再通過黃光制程，經(jīng)過曝光、顯影、蝕刻等步驟形成預(yù)設(shè)的圖案，從而形成第一金屬圖案層10。

S12：將芯片設(shè)置在第一金屬圖案層上，其中，芯片包括設(shè)有連接凸點(diǎn)的第一側(cè)面和未設(shè)置連接凸點(diǎn)的第二側(cè)面，第二側(cè)面與第一金屬圖案層接觸。

具體地，載板的一面通過激光形成對準(zhǔn)標(biāo)記，芯片20則按照對準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行設(shè)置。本實(shí)施例的芯片20的整個第二側(cè)面23均與第一金屬圖案層10接觸，從而能充分散熱。

S13：在載板上設(shè)置第一封料層，以包覆第一金屬圖案層和芯片，并使第一封料層的表面裸露連接凸點(diǎn)。

具體地，本實(shí)施例中，第一封料層41的設(shè)置包括以下步驟：先在載板上壓合第一封料預(yù)制片，以使第一封料預(yù)制片包覆第一金屬圖案層10和芯片20，再打磨第一封料預(yù)制片的表面，以形成第一封料層41，并使連接凸點(diǎn)21裸露出來。

可以理解地，在其他一些實(shí)施例中，還可以通過形成通孔來裸露出連接凸點(diǎn)21。

S14：在第一封料層上形成第二金屬圖案層，并使第二金屬圖案層的至少部分區(qū)域與連接凸點(diǎn)接觸。

第二金屬圖案層30的形成過程可以是：先在載板上形成一金屬層，再通過黃光制程，經(jīng)過曝光、顯影、蝕刻等步驟形成預(yù)設(shè)的圖案，從而形成第二金屬圖案層30。并且，第二金屬圖案層30的部分區(qū)域與連接凸點(diǎn)21接觸，從而建立的連接凸點(diǎn)21和第二金屬圖案層30之間的連接，從而使外部電路通過第二金屬圖案層30而與芯片20導(dǎo)通。

S15：在第一封料層上設(shè)置第二封料層，第二封料層的表面裸露第二金屬圖案層。

步驟S15中，第二封料層42的設(shè)置包括以下步驟：先在第一封料層41上壓合第二封料預(yù)制片，以使第二封料預(yù)制片包覆第二金屬圖案層30，再打磨第二封料預(yù)制片的表面，以形成第二封料層42，并使第二金屬圖案層30裸露出來。

S16：拆除載板，以使第一封料層的表面裸露第一金屬圖案層。

步驟S16后，第一金屬圖案層10裸露在第一封料層41的表面，而芯片20的第二側(cè)面23與該第一金屬圖案層41接觸，從而使得芯片20產(chǎn)生的熱量能通過第一金屬圖案層10散發(fā)出去，而不會造成熱量的累積，避免芯片20過熱而導(dǎo)致性能降低。

請參閱圖6，圖6是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的芯片封裝工藝的流程示意圖。

S21：在載板上形成第一金屬圖案層。

如圖7和圖8所示，圖7是圖6中步驟S21時的俯視圖。圖8是圖7中A區(qū)域的側(cè)視圖。本實(shí)施例的第一金屬圖案層10形成在載板90上，該第一金屬圖案層10包括基部11和散熱部12，其中，基部11設(shè)置在散熱部12的外周，基部11包括多個互不相連的布線區(qū)域11a、11b、11c、11d、11e和11f。散熱部12呈網(wǎng)狀。

基部11和散熱部12之間互不相連，從而使得基部11作為基線而與外部電路連通，起導(dǎo)通作用，而散熱部12起散熱作用。

S22：在載板之上形成限位部件，以限定芯片的位置。

請參閱圖9和圖10，圖9是圖6中步驟S22時的俯視圖。圖10是圖9中A區(qū)域的側(cè)視圖。具體地，限位部件包括多個限位柱體50，該限位柱體50為金屬柱體，多個限位柱體50圍成一個裝載空間60，例如限位柱體5圍繞在散熱部12的外周而在散熱部12的上方形成裝載空間60。本實(shí)施例的多個限位柱體50均形成在基部11上，使基部11作為限位柱體50的基礎(chǔ)，形成框架結(jié)構(gòu)，能增加結(jié)合力，提高限位柱體50的穩(wěn)固性。基部11的每個布線區(qū)域上至少設(shè)置有一個限位柱體50。

可以理解地，在其它一些實(shí)施例中，限位部件還可以是其它結(jié)構(gòu)，例如，限位部件為設(shè)置在芯片20四個角處的L形件，或者設(shè)置在芯片20四條邊上的擋板等，只要能限定芯片20的位置，防止芯片20偏移即可。

S23：將芯片設(shè)置在第一金屬圖案層上，其中，芯片包括設(shè)有連接凸點(diǎn)的第一側(cè)面和未設(shè)置連接凸點(diǎn)的第二側(cè)面，第二側(cè)面與第一金屬圖案層接觸。

如圖11和圖12所示，圖11是圖6中步驟S23的俯視圖，圖12是圖11中A區(qū)域的側(cè)視圖。

芯片20包括設(shè)有連接凸點(diǎn)21的第一側(cè)面22和未設(shè)置連接凸點(diǎn)21的第二側(cè)面23。將芯片20設(shè)置在限位柱體50形成的裝載空間60內(nèi)，從而通過限位柱體50防止塑封時候封料在固化過程中的漲縮導(dǎo)致芯片20偏移。同時，將芯片20設(shè)置在散熱部12上，使第二側(cè)面23與散熱部12接觸。

S24：在載板上設(shè)置第一封料層，以包覆第一金屬圖案層、芯片和限位部件，并使第一封料層的表面裸露連接凸點(diǎn)和限位部件。

步驟S24具體包括：

先在載板90上壓合第一封料預(yù)制片43，以使第一封料預(yù)制片43包覆第一金屬圖案層10、芯片20以及限位柱體50。如圖13、圖14、圖15和圖16所示，圖13是圖6中步驟S24的第一封料預(yù)制片壓合前的俯視圖。圖14是圖13中A區(qū)域的側(cè)視圖。圖15是圖6中步驟S24的第一封料預(yù)制片壓合后的俯視圖。圖16是圖15中A區(qū)域的側(cè)視圖。

然后，打磨第一封料預(yù)制片43的表面，以形成第一封料層41，并使連接凸點(diǎn)21和限位柱體50裸露出來。如圖17和圖18所示，圖17是圖6中步驟S24形成第一封料層后的俯視圖，圖18是圖17中A區(qū)域的側(cè)視圖。

S25：在第一封料層上形成第二金屬圖案層，并使第二金屬圖案層的至少部分區(qū)域與連接凸點(diǎn)接觸，至少部分區(qū)域與限位柱體的另一端接觸。

如圖19和圖20所示，圖19是圖6中步驟S25的俯視圖。圖20是圖19中A區(qū)域的側(cè)視圖。步驟S25中，在第一封料層41上形成第二金屬圖案層30，舉例而言，本實(shí)施例中的第二金屬圖案層30包括多個圓形的連接盤31以及連接橋32，第二金屬圖案層30的一部分區(qū)域，如本實(shí)施例的中間的區(qū)域中，每個連接盤31分別對應(yīng)一個連接凸點(diǎn)21，并與該連接凸點(diǎn)21連接，其余區(qū)域的連接盤31則位于中間區(qū)域的外周，外周的連接盤31中，有部分連接盤31通過連接橋32與中間區(qū)域的部分連接盤31連接。此外，連接橋32還可以設(shè)置在中間區(qū)域，而在不同的連個連接凸點(diǎn)21之間建立連接。連接盤31和連接橋32的形狀和數(shù)量根據(jù)實(shí)際需要來設(shè)置?？梢岳斫獾?，在另一些實(shí)施例中，第二金屬圖案層30還可以具有其他圖案。

S26：在第一封料層上設(shè)置第二封料層，第二封料層的表面裸露第二金屬圖案層。

步驟S26具體包括以下步驟：

如圖21和圖22所示，圖21是圖6中步驟S26壓合第二封料預(yù)制片后的俯視圖，圖22是圖21中A區(qū)域的側(cè)視圖。在第一封料層41上壓合第二封料預(yù)制片44，以使第二封料預(yù)制片44包覆第二金屬圖案層30。

如圖23和圖24所示，圖23是圖6中步驟S26形成第二封料層后的俯視圖，圖24是圖23中A區(qū)域的側(cè)視圖。打磨第二封料預(yù)制片44的表面，以形成第二封料層42，并使第二金屬圖案層30裸露出來。

S27：拆除載板，以使第一封料層的表面裸露第一金屬圖案層。

步驟S27中，將載板拆除之后，得到如圖1和圖2所示的芯片封裝結(jié)構(gòu)，該封裝結(jié)構(gòu)中，第一金屬圖案層10裸露在第一封料層41的表面，以將芯片20的熱量散發(fā)出去。

此外，由于第一金屬圖案層10和第二金屬圖案層30分別裸露在封料層40的兩側(cè)表面，并且由于限位柱體50為金屬柱體，限位柱體50的兩端分別連接第一金屬圖案層10和第二金屬圖案層30，第二金屬圖案層30與芯片20的連接凸點(diǎn)21連接，從而可以建立連接凸點(diǎn)21與限位柱體50以及第一金屬圖案層10之間的連接。使得第一金屬圖案層10也能作為基線，從而使芯片20的第一側(cè)面22和第二側(cè)面23均能與外部電路連接。

在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，在上述實(shí)施例中，步驟S21-S27之后，還包括：將經(jīng)過上述步驟S21-S27形成的兩個芯片封裝結(jié)構(gòu)堆疊起來，并通過焊球進(jìn)行焊接，最終形成如圖4所示的芯片封裝結(jié)構(gòu)。具體地，底層的芯片封裝結(jié)構(gòu)的第二金屬圖案層30與限位柱體50對應(yīng)的位置處，以及頂層的芯片封裝結(jié)構(gòu)的第一金屬圖案層10余限位柱體50對應(yīng)的位置處通過焊球70進(jìn)行連接，以實(shí)現(xiàn)兩個芯片之間的導(dǎo)通。

可以理解地，在其它一些實(shí)施例中，還可以是多個上述實(shí)施例的芯片封裝結(jié)構(gòu)的堆疊。

綜上所示，本發(fā)明能及時將芯片產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去，防止熱量累積，維護(hù)了芯片的性能。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。