技術總結
本申請?zhí)岢隽艘环N解決干刻制程柵層殘留的方法和干刻制程方法，它涉及顯示技術領域。本發(fā)明的方法通過柵極刻蝕制程前對制程腔進行SF6+O2處理與通O2處理的組合方式以去除柵極層殘留物。本發(fā)明的方法能夠降低設備清潔保養(yǎng)的頻率，提高制程腔的有效利用時間，不能降低保養(yǎng)時間。本發(fā)明應用于顯示技術領域。

技術研發(fā)人員：丁俊
受保護的技術使用者：武漢華星光電技術有限公司
文檔號碼：201610916267
技術研發(fā)日：2016.10.20
技術公布日：2017.01.04