專利名稱：一種凸面雙閃耀光柵的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種衍射光學元件的制備方法，具體涉及一種凸面雙閃耀光柵的制備方法。
背景技術(shù)：
光柵是一種應用非常廣泛而重要的高分辨率的色散光學元件，在現(xiàn)代光學儀器中占有相當重要的地位。眾所周知，單個柵縫衍射主極大方向?qū)嶋H上既是光線的幾何光學傳播方向，也是整個多縫光柵的零級方向，它集中著光能，而又不能把各種波長分開，而實際應用中則偏重于將盡可能多的光能集中在某一特定的級次上。為此需要將衍射光柵刻制成具有經(jīng)過計算確定的槽形，使單個柵槽衍射的主極大方向(或光線幾何光學傳播方向)與整個光柵預定的衍射級次方向一致，這樣可使大部分光能量集中在預定的衍射級次上。從這個方向探測時，光譜的強度最大，這種現(xiàn)象稱為閃耀(blaze)，這種光柵稱為閃耀光柵。閃耀使得光柵的衍射效率得到極大的提高。閃耀光柵一般又分為平面閃耀光柵和凸面閃耀光柵。其中凸面閃耀光柵是將閃耀光柵制作于球冠狀凸面基片或者圓柱狀凸面基片之上，由于球冠狀凸面閃耀光柵由于具有高效率優(yōu)勢，非常適宜于成像光譜儀應用，具有非常廣闊的市場前景?，F(xiàn)有技術(shù)中，閃耀光柵的主要制作方法有以下幾類A.機械刻劃機械刻劃是用金剛石刻刀在金、鋁等基底材料上刻劃出光柵的方法，早期的閃耀光柵大多用該方法制作。然而，機械刻劃光柵會產(chǎn)生鬼線，表面粗糙度及面形誤差大，嚴重降低了衍射效率。B.全息曝光顯影通過全息曝光顯影在光刻膠上制作閃耀光柵的方法源于20世紀60-70年代。 Sheriden發(fā)明了駐波法，通過調(diào)整基片與曝光干涉場之間的角度，在光刻膠內(nèi)形成傾斜的潛像分布，顯影后就能得到具有一定傾角的三角形光柵。Schmahl等人提出了 Fourier合成法，把三角槽形分解為一系列正弦槽形的疊加，依次采用基波條紋、一次諧波條紋等進行多次曝光，經(jīng)顯影即可獲得近似三角形的輪廓。然而，光刻膠閃耀光柵的槽形較差，閃耀角等參數(shù)無法精確控制，因此一直沒有得到推廣。C.全息離子束刻蝕離子束刻蝕是一種應用十分廣泛的微細加工技術(shù)，它通過離子束對材料濺射作用達到去除材料和成形的目的，具有分辨率高、定向性好等優(yōu)點。全息離子束刻蝕閃耀光柵的一般制作工藝如附圖I所示。首先在石英玻璃基底I 表面涂布光刻膠2，經(jīng)過全息曝光、顯影、定影等處理后，基底上形成表面浮雕光刻膠光柵掩模3，再以此為光柵掩模，進行Ar離子束刻蝕。利用掩模對離子束的遮擋效果，使基底的不同位置先后被刻蝕，將光刻膠刻完后就能在基底材料上得到三角形槽形4。離子束刻蝕閃耀光柵具有槽形好，閃耀角控制較精確，粗糙度低等優(yōu)點，在工程中得到了廣泛應用。
D.電子束直寫這種方法本質(zhì)上是一種二元光學方法，將光柵閃耀面用若干個臺階近似，電子束以臺階寬度為步長進行掃描曝光，根據(jù)每個臺階高度選擇合適的曝光劑量，顯影后即可得到階梯槽形。顯然，臺階劃分的越細，就越接近于理想的鋸齒形。然而，由于電子束直寫是逐步掃描的，若要制作面積比較大的光柵，要花費很長的時間和很高的成本，此外由于目前電子束一次直寫區(qū)域的尺寸通常不過幾毫米，大面積加工時存在相鄰區(qū)域間的接縫誤差(Stitching error),其對衍射效率的影響還需要評估。因此該方法適合于為一些小型的原理性實驗提供光柵。在上述方法中，機械刻劃法通過變換刻刀、電子束直寫法通過控制曝光的劑量，可以相對容易地實現(xiàn)閃耀角控制。然而，正如前面所述，采用機械刻劃法制作閃耀光柵時，會產(chǎn)生鬼線，表面粗糙度及面形誤差大，而采用電子束直寫法，制作時間長，成本高，不適用于大面積加工。而對于全息離子束刻蝕法，由于閃耀角是依賴光刻膠光柵掩模槽形，故在實現(xiàn)閃耀角控制時存在較大的困難。而且在制作凸面閃耀光柵時，上述方法均還需要考慮凸面的影響。一般地，機械刻劃法仍然通過變換刻刀、電子束直寫法通過控制曝光的劑量，可以實現(xiàn)閃耀光柵結(jié)構(gòu)。對于全息離子束刻蝕法，由于閃耀角是依賴光刻膠光柵掩模槽形的，故在凸面基片上實現(xiàn)閃耀光柵結(jié)構(gòu)時困難更大。因此，有必要尋求一種新的制作凸面閃耀光柵的方法，解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠精確控制雙閃耀角的凸面雙閃耀光柵的制作方法。該凸面雙閃耀光柵的兩個閃耀角分別是A閃耀角和B閃耀角，雙閃耀光柵分為兩個區(qū)，對應A閃耀角的為A光柵區(qū)，對應B閃耀角的為B光柵區(qū)。該制作方法包括步驟I)在基片上涂布光刻膠；2)對所述光刻膠層進行干涉光刻，形成光刻膠光柵；3)遮擋所述B光柵區(qū)，在A光柵區(qū)上，以所述光刻膠光柵為掩模，對基片進行正向離子束刻蝕，將光刻膠光柵圖形轉(zhuǎn)移到基片上，形成A光柵區(qū)的同質(zhì)光柵，刻蝕深度由A閃耀角決定；4)遮擋所述A光柵區(qū)，在B光柵區(qū)上，以所述光刻膠光柵為掩模，對基片進行正向離子束刻蝕，將光刻膠光柵圖形轉(zhuǎn)移到基片上，形成B光柵區(qū)的同質(zhì)光柵，刻蝕深度由B閃耀角決定；5)清洗基片，去除剩余光刻膠。6)遮擋B光柵區(qū)，以所述A光柵區(qū)的同質(zhì)光柵為掩模，對基片進行球面轉(zhuǎn)動斜向 Ar離子束掃描刻蝕，利用同質(zhì)光柵掩模對離子束的遮擋效果，使基片材料的不同位置先后被刻蝕，形成A閃耀角的閃耀光柵；7)遮擋A光柵區(qū)，以所述B光柵區(qū)的同質(zhì)光柵為掩模，對基片進行球面轉(zhuǎn)動斜向 Ar離子束掃描刻蝕，利用同質(zhì)光柵掩模對離子束的遮擋效果，使基片材料的不同位置先后被刻蝕，形成B閃耀角的閃耀光柵；
8)清洗基片，得到雙閃耀角的閃耀光柵?？蛇x的，在所述遮擋A光柵區(qū)或遮擋B光柵區(qū)時，使用的遮擋物固定在該基片上， 并和該基片做同步轉(zhuǎn)動?？蛇x的，所述遮擋物為一表面具有同心圓環(huán)的條紋板，該同心圓環(huán)的條紋板使得A 光柵區(qū)和B光柵區(qū)以彼此交替的形式重復排布在基片上?？蛇x的，所述步驟6)或步驟7)中的球面轉(zhuǎn)動斜向Ar離子束掃描刻蝕包括步驟將基片固定于旋轉(zhuǎn)機架上，該旋轉(zhuǎn)機架以所述基片的球冠狀凸面所在球心為轉(zhuǎn)動中心，以該基片的球冠狀凸面所在球徑為轉(zhuǎn)動半徑，攜帶基片進行旋轉(zhuǎn)；采用球形掩模遮蓋基片表面，所述球形掩模與基片表面同心，在該球形掩模表面設有開口，所述基片暴露于所述開口的區(qū)域為刻蝕區(qū)域；以Ar離子束對上述開口部分的基片進行斜向離子束刻蝕。可選的，所述開口為沿光柵柵線方向的條狀細縫?？蛇x的，所述正向離子束刻蝕的工藝參數(shù)為離子能量為380eV至520eV，離子束流為70mA至140mA，加速電壓為240V至300V，工作壓強為2. 0X10_2Pa。(要改嗎所述正向離子束刻蝕采用Ar離子束刻蝕方法或CHF3反應離子束刻蝕方法中的一種，其具體的工藝參數(shù)為=Ar離子束刻蝕時，離子能量為380eV至520eV，離子束流為70mA至140mA，加速電壓為240V至300V，工作壓強為2. 0X10_2pa ；CHF3反應離子束刻蝕時，離子能量為300eV 至470eV，離子束流為70mA至140mA，加速電壓為200V至300V，工作壓強為I. 4 X IO^2Pa0 )可選的，所述A光柵區(qū)的同質(zhì)光柵或所述B光柵區(qū)的同質(zhì)光柵的占寬比為
0.25-0. 65，周期為 300 至 6500nm?？蛇x的，所述A光柵區(qū)的同質(zhì)光柵和所述B光柵區(qū)的同質(zhì)光柵同時為矩形光柵或梯形光柵?？蛇x的，所述A光柵區(qū)的同質(zhì)光柵或所述B光柵區(qū)的同質(zhì)光柵的刻蝕深度使斜向 Ar離子束的刻蝕角度等于從該同質(zhì)光柵的一頂角斜射到與該頂角相對的底角所需的角度?？蛇x的，所述球面轉(zhuǎn)動斜向Ar離子束掃描刻蝕的工藝參數(shù)為離子能量380eV至 520eV，離子束流70mA至140mA，加速電壓240V至300V，工作壓強2. 0 X IO^2Pa,刻蝕角度為
5。至 40。。由于上述技術(shù)方案的運用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點I.本發(fā)明采用正向離子束刻蝕形成同質(zhì)光柵掩模，由于正向離子束刻蝕的各向異性特征，只在刻蝕方向上具有良好的刻蝕效果，因此可以實現(xiàn)同質(zhì)光柵槽形和槽深的精確控制。2.本發(fā)明在球面轉(zhuǎn)動斜向Ar離子束掃描刻蝕的過程中，由于同質(zhì)光柵掩模和基片是同一種材質(zhì)形成，兩者的刻蝕速率始終保持一致，因此可以實現(xiàn)閃耀角的精確控制。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
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I是現(xiàn)有的全息離子束刻蝕閃耀光柵的一般制作工藝圖； 2是本發(fā)明的凸面雙閃耀光柵制作方法流程3是球面轉(zhuǎn)動斜向Ar離子束掃描刻蝕時的結(jié)構(gòu)示意4是遮擋物為同心圓環(huán)結(jié)構(gòu)時的結(jié)構(gòu)示意5矩形光柵的幾何關系6梯形光柵的幾何關系7是本發(fā)明第一實施方式下各個步驟對應的效果示意圖 8為本發(fā)明第二實施方式下各個步驟對應的效果示意圖 9為本發(fā)明第三實施方式下各個步驟對應的效果示意圖
具體實施例方式現(xiàn)有的凸面雙閃耀光柵制作方法中，在制作A、B閃耀角時，先在光刻膠上制作光柵，并以該光刻膠光柵為掩模的進行斜向離子束刻蝕，該方式存在如下的問題光刻膠經(jīng)過光刻工藝之后形成的光柵，受曝光工藝和顯影刻蝕工藝的限制，其槽形和槽深很難實現(xiàn)精確控制，另外由于在斜向離子束刻蝕的時候，由于光刻膠和基片材質(zhì)上的差異，會出現(xiàn)刻蝕速率不一致，導致最終形成的閃耀光柵，其閃耀角與預期存在誤差，沒有辦法實現(xiàn)精確控制。而本發(fā)明通過在球冠狀凸面基片上先制作同質(zhì)光柵，以該同質(zhì)光柵為掩模進行球面轉(zhuǎn)動斜向Ar離子掃描刻蝕形成閃耀光柵，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的同質(zhì)光柵掩模在制作時，可以通過控制正向離子束刻蝕來控制光柵的槽深和槽形，另外由于同質(zhì)光柵掩模和基片是同一種材質(zhì)形成，兩者的刻蝕速率始終保持一致，因此可以實現(xiàn)閃耀角的精確控制。請參見圖2，圖2是本發(fā)明的凸面雙閃耀光柵制作方法流程圖。如圖所示，本發(fā)明的凸面雙閃耀光柵制作方法流程圖包括步驟Sll :在基片上涂布光刻膠。所述涂布光刻膠的工藝可以為旋涂法，也可以是蒸涂法，涂布的光刻膠層厚度為200nm至900nm之間。該光刻膠層可以是正膠，也可以是負膠， 視后續(xù)不同的處理方式而定。在本發(fā)明中，以正膠為例進行說明。S12 :對所述光刻膠層進行光刻，形成光刻膠光柵結(jié)構(gòu)。所述光刻可以為激光干涉光刻工藝，也可以是掩模曝光光刻工藝。在本發(fā)明中選擇激光干涉光刻工藝。S13 :遮擋所述B光柵區(qū)，在A光柵區(qū)上，以所述光刻膠光柵為掩模，對基片進行正向離子束刻蝕，將光刻膠光柵結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到基片上，形成A光柵區(qū)的同質(zhì)光柵，刻蝕深度由A 閃耀角決定。所述正向離子束刻蝕采用Ar加CHF3組合刻蝕的方法進行，其具體的工藝參數(shù)為離子能量為380eV至520eV，離子束流為70mA至140mA，加速電壓為240V至300V，工作壓強為2. OXlO^2Pa0S14 :遮擋所述A光柵區(qū)，在B光柵區(qū)上，以所述光刻膠光柵為掩模，對基片進行正向離子束刻蝕，將光刻膠光柵結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到基片上，形成B光柵區(qū)的同質(zhì)光柵，刻蝕深度由B 閃耀角決定。該正向離子束刻蝕的具體工藝參數(shù)與上述的一致，此處不再贅述B閃耀。S15 :清洗基片，去除剩余光刻膠。正向離子束刻蝕完成后，基片表面會剩余部分殘存的光刻膠，對該部分殘存光刻膠采用硫酸+氧化劑溶液進行清洗，使剩余的光刻膠被充分反應去除，露出基片上的A光柵區(qū)同質(zhì)光柵和B光柵區(qū)同質(zhì)光柵。
S16 :遮擋B光柵區(qū)，以所述A光柵區(qū)的同質(zhì)光柵為掩模，對基片進行球面轉(zhuǎn)動斜向 Ar離子束掃描刻蝕，利用同質(zhì)光柵掩模對離子束的遮擋效果，使基片材料的不同位置先后被刻蝕，形成A閃耀角的閃耀光柵；S17 :遮擋A光柵區(qū)，以所述B光柵區(qū)的同質(zhì)光柵為掩模，對基片進行球面轉(zhuǎn)動斜向 Ar離子束掃描刻蝕，利用同質(zhì)光柵掩模對離子束的遮擋效果，使基片材料的不同位置先后被刻蝕，形成B閃耀角的閃耀光柵；請參見圖3，圖3是球面轉(zhuǎn)動斜向Ar離子束掃描刻蝕時的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示， 該球面轉(zhuǎn)動斜向Ar離子束掃描刻蝕包括步驟首先，將基片5固定于一旋轉(zhuǎn)機架上(圖中未示出)，該旋轉(zhuǎn)機架以所述基片的球冠凸面所在球心為轉(zhuǎn)動中心，以該基片的球冠凸面所在球徑為轉(zhuǎn)動半徑，攜帶基片進行旋轉(zhuǎn)；采用遮擋物9遮擋B光柵區(qū)(或A光柵區(qū))。在一種實施方式中，該遮擋物9為覆蓋半塊基片的平面板或半球形板，該遮擋物9可以固定在基片5上，并同基片5做同步旋，此時形成的AB雙光柵以上下結(jié)構(gòu)分布于基片5上；該遮擋物9也可以固定在球形掩模6上，遮擋住一半的開口 7,此時形成的AB雙光柵以左右結(jié)構(gòu)分布在基片5上。在另一種實施方式中，該遮擋物9也可以是一種表面具有同心圓環(huán)結(jié)構(gòu)的條紋板，如圖4所示，該同心圓環(huán)的條紋板固定于基片5上并和基片5做同步旋轉(zhuǎn)，此時A光柵區(qū)和B光柵區(qū)間隔交替的分布在基片5上。(以上的修改需要同步修改權(quán)利要求書中的表述么？如權(quán)利要求I所述的凸面雙閃耀光柵制作方法，其特征在于在所述遮擋A光柵區(qū)或遮擋B光柵區(qū)時，使用的遮擋物固定在該基片上，并和該基片做同步轉(zhuǎn)動。)米用球形掩模6遮蓋基片5表面,所述球形掩模6與基片5表面同心,在該球形掩模表面設有開口 7，所述基片5暴露于所述開口 7的區(qū)域為刻蝕區(qū)域；以Ar離子束8對上述開口部分的基片進行斜向離子束刻蝕，離子束刻蝕的刻蝕角度a在圖3中由其余角0表示，0的定義為球形掩模開口處與球心的連線與離子束入射方向的所夾形成的角度(離子束入射角)。具體的刻蝕角度a根據(jù)所需的閃耀角由下述經(jīng)驗公式得出0 s a -3。(I)在該經(jīng)驗公式⑴中，0 s為閃耀光柵的閃耀角，a為Ar離子束的刻蝕角，比如制作閃耀角0 s為15°的閃耀光柵，則Ar離子束的刻蝕角a為18°。一般來說，a的范圍
在5°至40°左右。當離子束入射角Q確定之后，通過固定9角(實際就是固定球面掩模)，再以球心為軸進行轉(zhuǎn)動刻蝕。特殊地，當球面掩模的開口為沿著光柵柵線方向的條狀細縫時，可以保證凸面上的刻蝕角是基本一致的。圖3中，cp+0=9O°。該斜向Ar離子束掃描刻蝕的具體工藝參數(shù)為離子能量380eV至520eV，離子束流70mA至140mA，加速電壓240V至300V，工作壓強2. OX l(T2Pa。S18 :清洗基片，得到凸面閃耀光柵。在上述的制作方法中，通過正向離子束刻蝕得到的A光柵區(qū)同質(zhì)光柵和B光柵區(qū)同質(zhì)光柵的槽形可以同時是矩形光柵、也可以同時是梯形光柵。通常，在光刻膠光柵槽形比較規(guī)整的情況下，采用正向離子束刻蝕所得到的同質(zhì)光柵槽形為矩形光柵，但是由于光刻膠光柵掩模在顯影刻蝕時，光刻膠上部和下部與顯影液反應的時間不同，導致光刻膠光柵的頂部收縮，使光柵槽形成錐形，此時，再以該光刻膠光柵為掩模作正向離子束刻蝕所形成的同質(zhì)光柵就會成為梯形。對于不同槽形的同質(zhì)光柵，正向離子束的刻蝕時間，即同質(zhì)光柵的槽深，其計算公式也不同。考慮到球冠狀凸面基片在進行球面轉(zhuǎn)動斜向Ar離子束刻蝕的時候，受球面掩模的限制，其實際刻蝕區(qū)域接近平面，因此可以使用平面基底做簡化計算， 求解同質(zhì)光柵的幾何關系。對于矩形光柵，請參見圖5，其計算公式為
權(quán)利要求
1.一種凸面雙閃耀光柵制作方法，該方法在一球冠狀凸面基片上制作凸面雙閃耀光柵，所述凸面雙閃耀光柵的兩個閃耀角分別是A閃耀角和B閃耀角，雙閃耀光柵分為兩個區(qū)，對應A閃耀角的為A光柵區(qū)，對應B閃耀角的為B光柵區(qū)，其特征在于所述制作方法包括下列步驟1)在基片上涂布光刻膠；2)對所述光刻膠層進行干涉光刻，形成光刻膠光柵；3)遮擋所述B光柵區(qū)，在A光柵區(qū)上，以所述光刻膠光柵為掩模，對基片進行正向離子束刻蝕，將光刻膠光柵圖形轉(zhuǎn)移到基片上，形成A光柵區(qū)的同質(zhì)光柵，刻蝕深度由A閃耀角決定;4)遮擋所述A光柵區(qū)，在B光柵區(qū)上，以所述光刻膠光柵為掩模，對基片進行正向離子束刻蝕，將光刻膠光柵圖形轉(zhuǎn)移到基片上，形成B光柵區(qū)的同質(zhì)光柵，刻蝕深度由B閃耀角決定;5)清洗基片，去除剩余光刻膠。6)遮擋B光柵區(qū)，以所述A光柵區(qū)的同質(zhì)光柵為掩模，對基片進行球面轉(zhuǎn)動斜向Ar離子束掃描刻蝕，利用同質(zhì)光柵掩模對離子束的遮擋效果，使基片材料的不同位置先后被刻蝕，形成A閃耀角的閃耀光柵；7)遮擋A光柵區(qū)，以所述B光柵區(qū)的同質(zhì)光柵為掩模，對基片進行球面轉(zhuǎn)動斜向Ar離子束掃描刻蝕，利用同質(zhì)光柵掩模對離子束的遮擋效果，使基片材料的不同位置先后被刻蝕，形成B閃耀角的閃耀光柵；8)清洗基片，得到雙閃耀角的閃耀光柵。
2.如權(quán)利要求I所述的凸面雙閃耀光柵制作方法，其特征在于在所述遮擋A光柵區(qū)或遮擋B光柵區(qū)時，使用的遮擋物固定在該基片上，并和該基片做同步轉(zhuǎn)動。
3.如權(quán)利要求2所述的凸面雙閃耀光柵制作方法，其特征在于所述遮擋物為一表面具有同心圓環(huán)的條紋板，該同心圓環(huán)的條紋板使得A光柵區(qū)和B光柵區(qū)以彼此交替的形式重復排布在基片上。
4.如權(quán)利要求I所述的凸面雙閃耀光柵制作方法，其特征在于所述步驟6)或步驟7) 中的球面轉(zhuǎn)動斜向Ar離子束掃描刻蝕包括步驟將基片固定于旋轉(zhuǎn)機架上，該旋轉(zhuǎn)機架以所述基片的球冠狀凸面所在球心為轉(zhuǎn)動中心，以該基片的球冠狀凸面所在球徑為轉(zhuǎn)動半徑，攜帶基片進行旋轉(zhuǎn)；米用球形掩模遮蓋基片表面，所述球形掩模與基片表面同心，在該球形掩模表面設有開口，所述基片暴露于所述開口的區(qū)域為刻蝕區(qū)域；以Ar離子束對上述開口部分的基片進行斜向離子束刻蝕。
5.如權(quán)利要求4所述的凸面雙閃耀光柵制作方法，其特征在于所述開口為沿光柵柵線方向的條狀細縫。
6.如權(quán)利要求I所述的凸面雙閃耀光柵制作方法，其特征在于所述正向離子束刻蝕采用Ar離子束刻蝕方法或CHF3反應離子束刻蝕方法中的一種，其具體的工藝參數(shù)為Ar離子束刻蝕時，離子能量為380eV至520eV，離子束流為70mA至140mA，加速電壓為240V至 300V，工作壓強為2. 0 X l(T2pa ；CHF3反應離子束刻蝕時，離子能量為300eV至470eV，離子束流為70mA至140mA,加速電壓為200V至300V,工作壓強為I. 4X 10_2pa。。
7.如權(quán)利要求I所述的凸面雙閃耀光柵制作方法，其特征在于所述A光柵區(qū)的同質(zhì)光柵或所述B光柵區(qū)的同質(zhì)光柵的占寬比為0. 25-0. 65，周期為300至6500nm。
8.如權(quán)利要求I所述的凸面雙閃耀光柵制作方法，其特征在于所述A光柵區(qū)的同質(zhì)光柵和所述B光柵區(qū)的同質(zhì)光柵同時為矩形光柵或梯形光柵。
9.如權(quán)利要求I所述的凸面雙閃耀光柵制作方法，其特征在于所述A光柵區(qū)的同質(zhì)光柵或所述B光柵區(qū)的同質(zhì)光柵的刻蝕深度使斜向Ar離子束的刻蝕角度等于從該同質(zhì)光柵的一頂角斜射到與該頂角相對的底角所需的角度。
10.如權(quán)利要求I所述的凸面雙閃耀光柵制作方法，其特征在于所述球面轉(zhuǎn)動斜向Ar 離子束掃描刻蝕的工藝參數(shù)為離子能量380eV至520eV，離子束流70mA至140mA，加速電壓24(^至30(^，工作壓強2.0\10-牛&，刻蝕角度為5°至40。。
全文摘要
本發(fā)明是一種凸面雙閃耀光柵的制作方法，所述凸面雙閃耀光柵的兩個閃耀角分別是A閃耀角和B閃耀角，通過先在基片上制作A、B兩種同質(zhì)光柵，以該兩種同質(zhì)光柵為掩模，進行球面轉(zhuǎn)動斜向Ar離子束掃描刻蝕得到所需的A、B閃耀光柵。由于在制作同質(zhì)光柵時，可以控制正向離子束刻蝕的時間，使同質(zhì)光柵的槽深得到精確控制，另外由于同質(zhì)光柵掩模和基片是同一種材質(zhì)形成，兩者的刻蝕速率始終保持一致，因此可以實現(xiàn)閃耀角的精確控制。
文檔編號G02B5/18GK102540301SQ20121003530
公開日2012年7月4日 申請日期2012年2月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月16日
發(fā)明者劉全, 吳建宏, 陳明輝 申請人:蘇州大學