1.一種發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片包括襯底、以及依次層疊在所述襯底上的n型Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體層、有源層、p型Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體層、電流擴(kuò)展層、絕緣鈍化層，所述p型Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體層上設(shè)有延伸至所述n型Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體層的凹槽，第一電極設(shè)置在所述n型Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體層上，第二電極設(shè)置在所述電流擴(kuò)展層上，其特征在于，所述發(fā)光二極管芯片還包括設(shè)置在所述襯底和所述n型Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體層之間的光提取增強(qiáng)層，所述光提取增強(qiáng)層包括呈陣列分布的多個(gè)曲面結(jié)構(gòu)，所述曲面結(jié)構(gòu)與所述襯底一起形成中空結(jié)構(gòu)，所述襯底、所述曲面結(jié)構(gòu)、以及所述中空結(jié)構(gòu)內(nèi)的物質(zhì)均是透明的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述中空結(jié)構(gòu)內(nèi)的物質(zhì)為空氣。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述曲面結(jié)構(gòu)采用的材料為Al2O3或者AlN。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述襯底為Al2O3晶體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述電流擴(kuò)展層為金屬反射層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述電流擴(kuò)展層為透明導(dǎo)電層，所述襯底上還設(shè)有反射層，所述反射層和所述曲面結(jié)構(gòu)分別設(shè)置在所述襯底的兩側(cè)。
7.一種發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
在襯底上形成光提取增強(qiáng)層，所述光提取增強(qiáng)層包括呈陣列分布的多個(gè)曲面結(jié)構(gòu)，所述曲面結(jié)構(gòu)與所述襯底一起形成中空結(jié)構(gòu)，所述襯底、所述曲面結(jié)構(gòu)、以及所述中空結(jié)構(gòu)內(nèi)的物質(zhì)均是透明的；
在所述襯底和所述光提取增強(qiáng)層上依次生長(zhǎng)n型Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體層、有源層、p型Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體層；
在所述p型Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體層上開設(shè)延伸至所述n型Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體層的凹槽；
在所述p型Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體層上依次形成電流擴(kuò)展層和絕緣鈍化層；
在所述電流擴(kuò)展層上設(shè)置第二電極，在所述n型Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體層上設(shè)置第一電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述在襯底上形成光提取增強(qiáng)層，包括：
在所述襯底上鋪上一層光刻膠；
采用光刻技術(shù)去除部分的所述光刻膠，留下呈陣列分布的多個(gè)圓柱狀的所述光刻膠；
通過(guò)加熱將圓柱狀的所述光刻膠變成曲面狀的所述光刻膠；
在曲面狀的所述光刻膠上沉積所述光提取增強(qiáng)層；
進(jìn)行退火處理，退火使用的氣氛擴(kuò)散到所述光提取增強(qiáng)層內(nèi)與曲面狀的所述光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成透明氣體，所述透明氣體擴(kuò)散到所述光提取增強(qiáng)層外，形成所述中空結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的制造方法，其特征在于，所述電流擴(kuò)展層為金屬反射層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的制造方法，其特征在于，所述電流擴(kuò)展層為透明導(dǎo)電層，所述制造方法還包括：
在所述襯底上形成反射層，所述反射層和所述曲面結(jié)構(gòu)分別設(shè)置在所述襯底的兩側(cè)。