技術特征：

技術總結
在半導體器件的制造中，形成第一半導體層和第二半導體層的堆疊件。通過圖案化第一半導體層和第二半導體層形成鰭結構。在鰭結構的底部分上形成覆蓋層以覆蓋鰭結構的底部的側壁和鰭結構的上部的側壁的底部分。形成絕緣層，從而使得鰭結構嵌入在絕緣層內。去除上部的部分，從而在絕緣層中形成開口。在開口中的第二半導體層的剩余的層上形成第三半導體層。使絕緣層凹進，從而使得從絕緣層暴露第三半導體層的部分，并且形成柵極結構。本發(fā)明的實施例還涉及半導體器件及其制造方法。

技術研發(fā)人員：王圣禎;游佳達;李凱璿;楊世海
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發(fā)日：2016.10.19
技術公布日：2017.07.28