技術(shù)編號(hào)：11656110
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體集成電路，以及更具體地涉及半導(dǎo)體器件及其制造工藝。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體工業(yè)在追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本的過程中進(jìn)入納米技術(shù)工藝節(jié)點(diǎn)，來(lái)自制造和設(shè)計(jì)問題的挑戰(zhàn)已經(jīng)引起了諸如鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)的三維設(shè)計(jì)的發(fā)展。FinFET器件通常包括具有高高寬比的半導(dǎo)體鰭，并且在該半導(dǎo)體鰭中形成半導(dǎo)體晶體管器件的溝道和源極/漏極區(qū)域。在鰭結(jié)構(gòu)上方以及沿著鰭結(jié)構(gòu)的側(cè)面(例如，包裹)形成柵極，利用溝道和源極/漏極區(qū)域的增大的表面積的優(yōu)勢(shì)，以產(chǎn)生更快、更可靠和更易控制的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。