1.一種半導(dǎo)體器件的電極制作方法，其特征在于，包括：
在半導(dǎo)體襯底的第一表面上形成具有第一開口的第一層間介質(zhì)層；
在所述第一層間介質(zhì)層表面形成具有第二開口的第一抗蝕刻劑掩模，且所述第一開口和所述第二開口連通形成第一層疊開口；
在所述第一抗蝕刻劑掩模上方形成第一導(dǎo)體層，所述第一導(dǎo)體層包括位于所述第一抗蝕刻劑掩模表面的第一部分，以及位于所述第一層疊開口中的第二部分；以及
去除所述第一抗蝕刻劑掩模，所述第一導(dǎo)體層的第一部分與所述第一抗蝕刻劑掩模一同被除去，保留所述第一導(dǎo)體層的第二部分作為第一面電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的電極制作方法，所述半導(dǎo)體襯底包括有源區(qū)，其特征在于，在半導(dǎo)體襯底的第一表面上形成具有第一開口的第一層間介質(zhì)層的步驟包括：
在所述半導(dǎo)體襯底的第一表面形成第一層間介質(zhì)層；
在所述第一層間介質(zhì)層表面形成具有第一開口的第二抗蝕刻劑掩模；
經(jīng)由所述第一開口對(duì)所述第一層間介質(zhì)層進(jìn)行蝕刻操作，形成具有第一開口的第一層間介質(zhì)層；以及
去除所述第二抗蝕刻劑掩模，其中
所述半導(dǎo)體襯底的有源區(qū)經(jīng)由所述第一開口部分裸露在外，所述裸露在外的半導(dǎo)體襯底的有源區(qū)為第一電極接觸區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的電極制作方法，其特征在于，形成具有第二開口的第一抗蝕刻劑掩模的過程中，采用恒定曝光能量，從而形成側(cè)壁陡直的第二開口。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的電極制作方法，其特征在于，形成具有第二開口的第一抗蝕刻劑掩模的過程中，采用隨時(shí)間遞增的曝光能量，從而形成側(cè)壁隨著深度擴(kuò)展的第二開口。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的電極制作方法，其特征在于，所述第二開口大于所述第一開口，所述第一開口經(jīng)由所述第二開口完全暴露在外。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的電極制作方法，其特征在于，所述第一層間介質(zhì)層具有第一厚度，所述第一抗蝕刻劑掩模具有第二厚度，所述第一導(dǎo)體層具有第三厚度，其中，所述第三厚度小于所述第一厚度和所述第二厚度之和，所述第一導(dǎo)體層的第二部分的上表面低于所述第一抗蝕刻劑掩模的上表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的電極制作方法，其特征在于，所述第三厚度大于所述第一厚度，所述第一導(dǎo)體層的第二部分填充所述第一開口，且在所述第一層間介質(zhì)層上橫向延伸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的電極制作方法，其特征在于，還包括：
在半導(dǎo)體襯底的第二表面上形成具有第三開口的第二層間介質(zhì)層，所述第二表面與所述第一表面相對(duì)；
在所述第二層間介質(zhì)層表面形成具有第四開口的第三抗蝕刻劑掩模，且所述第三開口和所述第四開口連通形成第二層疊開口；
在第三抗蝕刻劑掩模上方形成第二導(dǎo)體層，所述第二導(dǎo)體層包括位于第三抗蝕刻劑掩模表面的第一部分，以及位于所述第二層疊開口中的第二部分；以及
去除所述第三抗蝕刻劑掩模，所述第二導(dǎo)體層的第一部分與所述第三抗蝕刻劑掩模一同被除去，保留所述第二導(dǎo)體層的第二部分作為第二面電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的電極制作方法，所述半導(dǎo)體襯底包括有源區(qū)，其特征在于，所述在半導(dǎo)體襯底的第二表面上形成具有第三開口的第二層間介質(zhì)層的步驟包括：
在所述半導(dǎo)體襯底的第二表面形成第二層間介質(zhì)層；
在所述第二層間介質(zhì)層表面形成具有第三開口的第四抗蝕刻劑掩模；
經(jīng)由所述第三開口對(duì)所述第二層間介質(zhì)層進(jìn)行蝕刻操作，形成具有第三開口的第二層間介質(zhì)層；以及
去除所述第四抗蝕刻劑掩模，其中
所述半導(dǎo)體襯底的有源區(qū)經(jīng)由所述第三開口部分裸露在外，所述裸露在外的半導(dǎo)體襯底的有源區(qū)為第二電極接觸區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的電極制作方法，其特征在于，所述第二層間介質(zhì)層與所述第一層間介質(zhì)層同時(shí)形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的電極制作方法，其特征在于，形成具有第四開口的第三抗蝕刻劑掩模的過程中，采用恒定曝光能量，從而形成側(cè)壁陡直的第四開口。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的電極制作方法，其特征在于，形成具有第四開口的第三抗蝕刻劑掩模的過程中，采用隨時(shí)間遞增的曝光能量，從而形成側(cè)壁隨著深度擴(kuò)展的第四開口。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的電極制作方法，其特征在于，所述第四開口大于所述第三開口，所述第三開口經(jīng)由所述第四開口完全暴露在外。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的電極制作方法，其特征在于，所述第二層間介質(zhì)層具有第一厚度，所述第三抗蝕刻劑掩模具有第二厚度，所述第二導(dǎo)體層具有第三厚度，其中，所述第三厚度小于所述第一厚度和所述第二厚度之和，所述第二導(dǎo)體層的上表面低于所述第三抗蝕刻劑掩模的上表面。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件的電極制作方法，其特征在于，所述第三厚度大于所述第一厚度，所述第二導(dǎo)體層的第二部分填充所述第三開口，且在所述第二層間介質(zhì)層上橫向延伸。