技術特征：

1.一種帶ESD的溝槽型MOSFET器件，其特征在于，包括ESD多晶硅以及位于ESD多晶硅下方的氧化膜層，所述氧化膜層的厚度加厚至避免寄生PMOS管開啟。

2.如權利要求1所述的帶ESD的溝槽型MOSFET器件，其特征在于，通過LOCOS工藝使ESD多晶硅下方氧化膜層加厚。

3.如權利要求1所述的帶ESD的溝槽型MOSFET器件，其特征在于，所述LOCOS的寬度要大于ESD多晶硅的寬度。

4.如權利要求1所述的帶ESD的溝槽型MOSFET器件，其特征在于，所述器件為PMOS管。

5.如權利要求1所述的帶ESD的溝槽型MOSFET器件，其特征在于，所述器件為NMOS管。

6.如權利要求1所述的帶ESD的溝槽型MOSFET器件，其特征在于，所述ESD多晶硅結構為PNP或PNPNP或PNPNPNP結構，其中串聯(lián)PN結個數(shù)取決于ESD擊穿電壓需求。

7.如權利要求2所述的帶ESD的溝槽型MOSFET器件，其特征在于，所述氧化膜層厚度為

8.一種制造如權利要求1至7中之一所述的帶ESD的溝槽型MOSFET器件的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一，在硅襯底上淀積一層氧化硅，再淀積一層氮化硅；

步驟二，在硅襯底上利用LOCOS光刻工藝進行光刻，再進行氮化硅刻蝕，然后進行光刻膠剝離；

步驟三，對場區(qū)氧化，再進行氮化硅剝離；

步驟四，在硅襯底上形成溝槽；

步驟五，生長柵氧，淀積多晶硅并回刻到柵氧層；

步驟六，ESD多晶硅淀積ESD離子注入；

步驟七，ESD多晶硅光刻和刻蝕；

步驟八，去膠，離子注入；

步驟九，體區(qū)光刻，注入，去膠，離子注入；

步驟十，源區(qū)光刻，注入，去膠，離子注入。

9.如權利要求8所述的制造帶ESD的溝槽型MOSFET器件的方法，其特征在于，在步驟二中，在硅襯底上利用LOCOS光刻工藝使ESD多晶硅下方氧化膜加厚至避免寄生PMOS管開啟。