技術總結
本發(fā)明公開了一種非制冷紅外焦平面探測器像元及其制備方法，屬于非制冷紅外焦平面探測器領域技術領域。其自半導體襯底往上，依次包括三層結構，第一層的橋腿結構包括金屬反射層、絕緣介質層、第一支撐層、第一支撐層保護層、第一金屬電極層和第一氮化硅介質層；第二層的熱轉換結構包括第二支撐層、第二支撐層保護層、熱敏層、熱敏層保護層、第二金屬電極層、第二氮化硅介質層；第三層的吸收層結構包括第三支撐層、吸收層和吸收層保護層。本發(fā)明還公開了上述新型非制冷紅外焦平面探測器像元的制備方法。本發(fā)明的非制冷紅外焦平面探測器像元，能顯著提高紅外輻射的吸收率，提升探測器的響應率，為制造更大陣列和更小像元的探測器打下基礎。

技術研發(fā)人員：王宏臣;邱棟;王鵬;陳文禮
受保護的技術使用者：煙臺睿創(chuàng)微納技術股份有限公司
文檔號碼：201610866664
技術研發(fā)日：2016.09.29
技術公布日：2017.01.04