技術(shù)特征：

1.一種非制冷紅外焦平面探測器像元的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1：提供一包含讀出電路的半導(dǎo)體襯底(1)，在半導(dǎo)體襯底(1)上沉積一金屬層；并對金屬層進(jìn)行圖形化，形成金屬反射層(2)圖形和金屬電極塊(3)；金屬電極塊(3)與半導(dǎo)體襯底(1)上的讀出電路電連接；在完成圖形化的金屬層上沉積絕緣介質(zhì)層(4)；在絕緣介質(zhì)層(4)上沉積第一層犧牲層(51)，并對第一犧牲層(51)進(jìn)行平坦化處理，在完成平坦化處理后的第一犧牲層(51)上沉積SiO₂薄膜作為第一支撐層(6)；再在第一支撐層(6)上沉積氮化硅薄膜作為第一支撐層保護(hù)層(7)；

步驟2：在從所述第一支撐層保護(hù)層(7)至所述半導(dǎo)體襯底(1)方向上通過光刻和反應(yīng)離子蝕刻的方法蝕刻第一通孔(8)，第一通孔(8)蝕刻終止于與讀出電路電連接的金屬電極塊(3)；

步驟3：在第一支撐層保護(hù)層(7)上和第一通孔(8)的底部沉積第一金屬電極層(9)，并對第一金屬電極層(9)進(jìn)行圖形化，形成金屬連線(91)和金屬電極(92)；在完成圖形化處理后的第一金屬電極層(9)上沉積第一氮化硅介質(zhì)層(10)；然后自第一氮化硅介質(zhì)層(10)垂直向下，依次蝕刻第一氮化硅介質(zhì)層(10)、第一金屬電極層(9)、第一支撐層保護(hù)層(7)和第一支撐層(6)，蝕刻終止于所述第一犧牲層(51)；形成橋腿結(jié)構(gòu)；

步驟4：在橋腿結(jié)構(gòu)上沉積第二犧牲層(52)，并對第二犧牲層(52)進(jìn)行平坦化處理，在完成平坦化處理后的第二犧牲層(52)上沉積SiO₂薄膜作為第二支撐層(11)；再在第二支撐層(11)上沉積氮化硅薄膜作為第二支撐層保護(hù)層(12)；在從所述第二支撐層保護(hù)層(12)至所述第一金屬電極層(9)方向上通過光刻和反應(yīng)離子蝕刻的方法蝕刻第二通孔(13)，第二通孔(13)蝕刻終止于與第一金屬電極層(9)；

步驟5：在第二支撐層保護(hù)層(12)上沉積熱敏層(17)，并對熱敏層(17)進(jìn)行圖形化；

步驟6：在完成圖形化處理后的熱敏層(17)上沉積氮化硅薄膜作為熱敏層保護(hù)層(18)，并對熱敏層保護(hù)層(18)進(jìn)行圖形化；在完成圖形化處理后的熱敏層保護(hù)層(18)上通過光刻和反應(yīng)離子蝕刻的方法，刻蝕掉熱敏層(17)上方的部分熱敏層保護(hù)層(18)，露出熱敏層(17)，形成接觸孔(16)；

步驟7：在第二支撐層保護(hù)層(12)上、熱敏保護(hù)層(18)、接觸孔(16)和第二通孔(13)的底部沉積第二金屬電極層(14)，并對第二金屬電極層(14)進(jìn)行圖形化；

步驟8：在完成圖形化處理后的第二金屬電極層(14)上沉積第二氮化硅介質(zhì)層(15)，并對第二氮化硅介質(zhì)層(15)進(jìn)行圖形化；

步驟9：自完成圖形化處理后的第二氮化硅介質(zhì)層(15)垂直向下，依次蝕刻第二氮化硅介質(zhì)層(15)、第二金屬電極層(14)、熱敏層保護(hù)層(18)、熱敏層(17)、第二支撐層保護(hù)層(12)，蝕刻終止于第二犧牲層(52)；形成包含微橋腿和熱敏結(jié)構(gòu)的熱轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)；

步驟10：在包含微橋腿和熱敏結(jié)構(gòu)的熱轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)上沉積第三犧牲層(53)，并對第三犧牲層(53)進(jìn)行平坦化處理，在完成平坦化處理后的第三犧牲層(53)上沉積SiO₂薄膜作為第三支撐層(19)；再在第三支撐層(19)上沉積吸收層薄膜作為吸收層(20)；再在吸收層(20)上沉積氮化硅薄膜作為吸收層保護(hù)層(21)，形成吸收層結(jié)構(gòu)；

步驟11：自吸收保護(hù)層(21)垂直向下，依次蝕刻吸收保護(hù)層(21)、吸收層(20)和第三支撐層(19)，蝕刻終止于第三犧牲層(53)；然后釋放第一犧牲層(51)、第二犧牲層(52)和第三犧牲層(53)，即得所述新型非制冷紅外焦平面探測器像元。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非制冷紅外焦平面探測器像元的制備方法，其特征在于，步驟1中，所述金屬反射層(2)厚度為0.05-0.40μm；所述絕緣介質(zhì)層(4)為氮化硅薄膜或者SiO₂薄膜，所述絕緣介質(zhì)層(4)的厚度為0.02-0.30μm；所述第一犧牲層(51)為非晶碳、非晶硅、聚酰亞胺中的一種；采用PECVD方法沉積SiO₂薄膜作為第一支撐層(6)；所述第一支撐層(6)的厚度為0.05-0.30μm；采用PECVD方法沉積氮化硅薄膜作為第一支撐層保護(hù)層(7)；所述第一支撐層保護(hù)層(7)的厚度為0.05-0.30μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非制冷紅外焦平面探測器像元的制備方法，其特征在于，步驟3中，采用PVD方法沉積所述第一金屬電極層(9)，所述第一金屬電極層(9)為Ti薄膜、NiCr薄膜或TiN薄膜中的一種；所述第一金屬電極層(9)的厚度為采用PEVCD方法沉積所述第一氮化硅介質(zhì)層(10)；所述第一氮化硅介質(zhì)層(10)的厚度為

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非制冷紅外焦平面探測器像元的制備方法，其特征在于，步驟4中，所述第二犧牲層(52)為非晶碳、非晶硅、氧化硅、聚酰亞胺中的一種；所述第二犧牲層(52)的厚度為0.5-3μm；采用PECVD方法沉積SiO₂薄膜作為第二支撐層(11)；所述第二支撐層(11)的厚度為0.05-0.30μm；采用PECVD方法沉積氮化硅薄膜作為第二支撐層保護(hù)層(12)；所述第二支撐層保護(hù)層(12)的厚度為0.05-0.30μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非制冷紅外焦平面探測器像元的制備方法，其特征在于，步驟5中，采用離子束沉積或物理氣相沉積的方法沉積所述熱敏層(17)；所述熱敏層(17)為VOx薄膜或非晶硅薄膜；所述熱敏層(17)的厚度為在沉積熱敏層(17)之前，先沉積一層V/V₂O₅/V薄膜作為過渡層，所述V/V₂O₅/V薄膜的厚度為步驟6中，采用PECVD方法沉積氮化硅薄膜作為熱敏保護(hù)層(18)；所述熱敏層保護(hù)層(18)的厚度為蝕刻接觸孔采用SF₆、CHF₃和O₂，或CF₄和O₂作為蝕刻氣體，采用終點監(jiān)測設(shè)備進(jìn)行蝕刻反應(yīng)終點監(jiān)控。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非制冷紅外焦平面探測器像元的制備方法，其特征在于，步驟7中，采用PVD方法沉積所述第二金屬電極層(14)，所述第二金屬電極層(14)為Ti薄膜、NiCr薄膜或TiN薄膜中的一種；所述第二金屬電極層(14)的厚度為步驟8中，采用PEVCD方法沉積所述第二氮化硅介質(zhì)層(15)；所述第二氮化硅介質(zhì)層(15)的厚度為

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非制冷紅外焦平面探測器像元的制備方法，其特征在于，步驟10中，所述第三犧牲層(53)為非晶碳、非晶硅、氧化硅、聚酰亞胺中的一種；所述第三犧牲層(53)的厚度為0.5-3μm；采用PECVD方法沉積SiO₂薄膜作為第三支撐層(19)；所述第三支撐層(19)的厚度為0.05-0.30μm；所述吸收層薄膜的材料為石墨烯、碳納米管、二氧化鈦納米管、氧化鋅納米管、氧化鋁納米管中的一種；所述吸收層保護(hù)層(21)的厚度為0.05-0.30μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非制冷紅外焦平面探測器像元的制備方法，其特征在于，步驟11中，采用去膠機、離子刻蝕機或等離子灰化機對所述第一犧牲層(51)、第二犧牲層(52)和第三犧牲層(53)進(jìn)行釋放。

9.一種非制冷紅外焦平面探測器像元，包括一包含讀出電路的半導(dǎo)體襯底和一具有三層結(jié)構(gòu)的探測器像元，所述探測器像元與所述半導(dǎo)體襯底的讀出電路形成電連接，其特征在于，

所述探測器像元自半導(dǎo)體襯底(1)往上，依次包括三層結(jié)構(gòu)，其中，第一層為橋腿結(jié)構(gòu)，第二層為熱轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，第三層為吸收層結(jié)構(gòu)；

第一層的橋腿結(jié)構(gòu)包括金屬反射層(2)、絕緣介質(zhì)層(4)、第一支撐層(6)、第一支撐層保護(hù)層(7)、第一金屬電極層(9)和第一氮化硅介質(zhì)層(10)；

第二層的熱轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)包括第二支撐層(11)、第二支撐層保護(hù)層(12)、熱敏層(17)、熱敏層保護(hù)層(18)、第二金屬電極層(14)和第二氮化硅介質(zhì)層(15)；

第三層的吸收層結(jié)構(gòu)包括第三支撐層(19)、吸收層(20)和吸收層保護(hù)層(21)；

所述半導(dǎo)體襯底(1)的讀出電路上依次設(shè)置有金屬反射層(2)和絕緣介質(zhì)層(4)；

所述第一支撐層(6)設(shè)置于所述絕緣介質(zhì)層(4)的上方；

所述第一支撐層(6)上依次設(shè)置有所述第一支撐層保護(hù)層(7)、第一金屬電極層(9)和第一氮化硅介質(zhì)層(10)；

所述第二支撐層(11)設(shè)置于所述第一氮化硅介質(zhì)層(10)的上方；

所述第二支撐層(11)上依次設(shè)置有所述第二支撐層保護(hù)層(12)、熱敏層(17)、熱敏層保護(hù)層(18)、第二金屬電極層(14)和第二氮化硅介質(zhì)層(15)；

所述第三支撐層(19)設(shè)置于所述第二氮化硅介質(zhì)層(15)的上方；

所述第三支撐層(19)上依次設(shè)置有所述吸收層(20)和吸收層保護(hù)層(21)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種非制冷紅外焦平面探測器像元，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)層(4)為氮化硅薄膜；所述第一支撐層(6)為SiO₂薄膜；所述第一支撐層保護(hù)層(7)為氮化硅薄膜；所述第二支撐層(11)為SiO₂薄膜；所述第二支撐層保護(hù)層(12)為氮化硅薄膜；所述熱敏層(17)為VOx薄膜或非晶硅薄膜；所述熱敏層保護(hù)層(18)為氮化硅薄膜；所述第三支撐層(19)為SiO₂薄膜。