技術特征：

1.一種基于寬光譜響應CuPc/F₄-TCNQ結構的光電探測器，其特征在于，所述的基于寬光譜響應CuPc/F₄-TCNQ結構的光電探測器依次由透光襯底、導電薄膜電極層、CuPc薄膜層、F₄-TCNQ薄膜層、金屬薄膜電極層復合組成。

2.如權利要求1所述的基于寬光譜響應CuPc/F₄-TCNQ結構的光電探測器，其特征在于，所述的透光襯底為玻璃襯底、石英襯底或藍寶石襯底。

3.如權利要求1所述的基于寬光譜響應CuPc/F₄-TCNQ結構的光電探測器，其特征在于，所述導電薄膜電極層的材料為ITO、FTO或ZnO。

4.如權利要求1所述的基于寬光譜響應CuPc/F₄-TCNQ結構的光電探測器，其特征在于，所述導電薄膜電極層的厚度為100～200nm。

5.如權利要求1所述的基于寬光譜響應CuPc/F₄-TCNQ結構的光電探測器，其特征在于，所述金屬薄膜電極層的金屬種類為鋁、銅、金或銀。

6.如權利要求1所述的基于寬光譜響應CuPc/F₄-TCNQ結構的光電探測器，其特征在于，所述金屬薄膜電極層的厚度為100～200nm。

7.如權利要求1所述的基于寬光譜響應CuPc/F₄-TCNQ結構的光電探測器，其特征在于，所述CuPc薄膜層的厚度為10～50nm。

8.如權利要求1所述的基于寬光譜響應CuPc/F₄-TCNQ結構的光電探測器，其特征在于，所述F₄-TCNQ薄膜層的厚度為10～100nm。

9.如權利要求1所述的基于寬光譜響應CuPc/F₄-TCNQ結構的光電探測器的制備方法，其特征在于，所述的制備方法為：

將表面清洗干凈的透光襯底置于熱蒸發(fā)鍍膜儀的生長室中，并將導電薄膜電極層的材料粉末、CuPc粉末、F₄-TCNQ粉末、金屬薄膜電極層的金屬顆粒分別放置于四個鉬舟內，并將四個鉬舟安裝在生長室的四對電極上；生長室抽真空至9.0～9.5×10^-4Pa，先對裝有導電薄膜電極層的材料粉末的鉬舟進行電流調節(jié)，通過膜厚檢測儀使其蒸發(fā)速率維持在蒸發(fā)至所需厚度后將電流調為零，即完成導電薄膜電極層的蒸鍍；利用相同的方法依次蒸鍍CuPc薄膜層、F₄-TCNQ薄膜層、金屬薄膜電極層，其蒸發(fā)速率分別為每層膜蒸鍍完成后均在真空環(huán)境下自然冷卻5min，再蒸鍍下一層膜，最終制備得到所述基于寬光譜響應CuPc/F₄-TCNQ結構的光電探測器。