本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法和應(yīng)用。

背景技術(shù)：

印刷型電致發(fā)光器件在制備過程中，須使用一層用于界定像素的材料，該層材料通常被稱為bank。bank層上有眾多的凹陷區(qū)域作為墨水的“容器”，每個(gè)凹陷區(qū)域?qū)?yīng)于一個(gè)像素。目前廣泛采用的工藝流程，是采用噴墨打印工藝將墨水填入每個(gè)像素區(qū)域，墨水在bank所圍繞的區(qū)域內(nèi)鋪展；隨后，在一定溫度(例如低溫)下進(jìn)行真空干燥，通過嚴(yán)格控制溶劑的揮發(fā)速率、溶劑蒸汽壓等參數(shù)以盡量保證像素內(nèi)不同區(qū)域、不同像素之間獲得均勻的干燥；最后，通過烘烤使薄膜徹底干燥。在有機(jī)層、陰極制備完成之后，最后對(duì)電致發(fā)光器件/面板進(jìn)行封裝。

有時(shí)，為了提高電致發(fā)光器件的出光效率，還需要增加必要的光學(xué)薄膜，以幫助電致發(fā)光器件發(fā)出的光能更好地從器件中被提取出。常見地，封裝結(jié)構(gòu)和光提取薄膜是兩個(gè)獨(dú)立的部分，在顯示裝置的制備過程中分別制備，二者都有各自的厚度，也不利于光的提取。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，本發(fā)明的目的是提供一種高光提取率的有機(jī)電致發(fā)光器件。

具體的技術(shù)方案如下：

一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括：基板、陽極陣列層、像素界定層、發(fā)光功能層、陰極層和薄膜層；

所述陽極陣列層位于所述基板上；

所述像素界定層形成于所述陽極陣列層上，并于所述陽極陣列層上每個(gè)陽極相對(duì)應(yīng)的位置設(shè)有像素坑；

所述發(fā)光功能層層疊設(shè)置于所述像素坑內(nèi)，并覆蓋所述陽極；

所述陰極層覆蓋所述發(fā)光功能層和所述像素界定層；

所述薄膜層覆蓋所述陰極層，所述薄膜層的基部填充于所述像素坑，所述薄膜層的頂部設(shè)有多個(gè)凸部，相鄰的所述凸部之間的距離≤相鄰的所述像素坑之間的距離，且所述薄膜層由透明材料制成，所述薄膜層的折射率介于空氣折射率與所述陰極層的折射率之間。

在其中一些實(shí)施例中，所述凸部對(duì)應(yīng)于所述像素坑。

在其中一些實(shí)施例中，所述凸部的形狀為凸透鏡形，圓柱形，圓錐形，多棱錐型，截圓錐形，截棱錐形或圓弧形。

在其中一些實(shí)施例中，所述薄膜層的基部與所述凸部的上表面之間的距離≥0.5μm。

在其中一些實(shí)施例中，所述薄膜層由以下材料中的至少一種制成：分子量小于等于2000的有機(jī)小分子、分子量大于2000的有機(jī)高分子樹脂、有機(jī)硅、金屬氧化物、金屬硫化物、金屬硒化物、金屬碲化物、金屬氯化物、金屬溴化物、金屬碘化物、金屬氫氧化物、硅氧化物、氮氧化硅、氮化硅、石墨烯、薄層石墨、云母類化合物、水滑石類化合物和蒙脫土類化合物。

在其中一些實(shí)施例中，所述薄膜層由至少一種基體材料以及至少一種層狀材料制成；所述基體材料選自：聚酰胺、聚丙烯氰、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚對(duì)苯二乙基砜、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚丙烯、聚苯乙烯、聚砜、聚氯乙烯、聚硅氧烷、聚偏二氟乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚脲、聚四氟乙烯或環(huán)氧樹脂；所述層狀材料選自：金屬硫化物、金屬硒化物、金屬碲化物、金屬氯化物、金屬溴化物、金屬碘化物、金屬氫氧化物、石墨烯、薄層石墨、云母類化合物、水滑石類化合物和蒙脫土類化合物。

本發(fā)明的另一目的是提供上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。

具體的技術(shù)方案如下：

上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：

獲取包含tft陣列和陽極陣列層的襯底基板；

制備像素界定層：于所述陽極陣列層上制備像素界定層，并在該像素界定層上制備得到相應(yīng)的像素坑；

制備發(fā)光功能層：在上述像素坑內(nèi)制備所述發(fā)光功能層，所述發(fā)光功能層至少包括一層發(fā)光層；

制備陰極層：在所述發(fā)光功能層和所述像素界定層上制備陰極層，所述陰極層覆蓋所述發(fā)光功能層和所述像素界定層；

制備薄膜層：在所述陰極層上制備所述薄膜層，所述薄膜層的基部填充于所述像素坑，所述薄膜層的頂部設(shè)有多個(gè)凸部，相鄰的所述凸部之間的距離小于等于相鄰的所述像素坑之間的距離。

在其中一些實(shí)施例中，所述薄膜層的制備方法為：

將薄膜層材料溶解于溶劑中，然后涂布于所述陰極層上，真空干燥至95-99.9％的溶劑揮發(fā)；

獲取壓印模板，所述壓印模板上設(shè)有多個(gè)凸部，利用壓印模板對(duì)所述薄膜層進(jìn)行壓印操作，形成所述凸部；

真空干燥除去剩余溶劑，即得所述薄膜層。

本發(fā)明的另一目的是提供包含上述有機(jī)電致發(fā)光器件的顯示面板。

具體的技術(shù)方案如下：

一種顯示面板，包含上述有機(jī)電致發(fā)光器件。

本發(fā)明的另一目的是提供包含顯示面板的顯示裝置。

本發(fā)明的原理及有益效果如下：

通常，像素界定區(qū)域的bank(像素界定層)的厚度為1-1.5μm，所述像素界定層每個(gè)像素對(duì)應(yīng)的位置設(shè)有像素坑，該像素坑可以容納50-200pl的墨水(功能薄膜材料)，墨水干燥后形成薄膜，每層有機(jī)層薄膜的厚度通常介于10-150nm之間，整個(gè)電致發(fā)光器件的各層有機(jī)層、陰極薄膜總厚度通常介于200nm-500nm之間。因此，電致發(fā)光器件完成制備后，像素界定區(qū)域內(nèi)還有0.5-1.3μm深度的凹陷空間未被使用。

本發(fā)明通過“印刷+壓印”的方法，在整個(gè)發(fā)光面板上形成一種含有凸起結(jié)構(gòu)(凸部)陣列的透明薄膜層，該薄膜層的特征在于：在該薄膜層的表面，以壓印方式在覆蓋層的表面形成多個(gè)凸部，透明結(jié)構(gòu)上的凸起形狀之間的距離等于或者小于像素坑之間的距離；其分布的范圍填充了每個(gè)像素坑的凹陷空間，該結(jié)構(gòu)至少具有0.5μm以上的厚度；透明結(jié)構(gòu)的組成材料的折射率介于電極材料與空氣之間。該透明結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢在于，形成陣列的凸起結(jié)構(gòu)能降低光在頂部電極上表面界面處的全發(fā)射，同時(shí)薄膜層對(duì)電致發(fā)光器件形成隔絕水和氧氣的保護(hù)。

上述有機(jī)電致發(fā)光器件通過設(shè)置薄膜層(通過印刷和壓印制備)可以隔絕水和氧氣，提高了有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命，同時(shí)提升了器件的光提取效率和外量子效率。且上述有機(jī)電致發(fā)光器件將封裝和光提取這兩個(gè)功能集成于一個(gè)結(jié)構(gòu)中，有潛力進(jìn)一步降低整個(gè)顯示裝置的厚度。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明另一實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為一實(shí)施例基板上形成發(fā)光功能層和陰極層后的器件結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為在圖3的基礎(chǔ)上涂布薄膜層材料后的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記說明：

10、基板；11、陽極陣列層；12、像素界定層；13、發(fā)光功能層；14、陰極層；15、薄膜層；16、壓印模板。

具體實(shí)施方式

為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的較佳實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)本發(fā)明的公開內(nèi)容的理解更加透徹全面。

需要說明的是，當(dāng)元件被稱為“安裝于”另一個(gè)元件，它可以直接在另一個(gè)元件上或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個(gè)元件被認(rèn)為是“連通”另一個(gè)元件，它可以是直接連通到另一個(gè)元件或者可能同時(shí)存在居中元件。當(dāng)一個(gè)元件被認(rèn)為是“連接”另一個(gè)元件，它可以是直接連接到另一個(gè)元件或者可能同時(shí)存在居中元件。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。

以下通過實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步闡述。

本實(shí)施例一種有機(jī)電致發(fā)光器件(如圖1所示)，包括：基板10、陽極陣列層11、像素界定層12、發(fā)光功能層13、陰極層14和薄膜層15；

所述陽極陣列層11位于所述基板10上；

所述像素界定層12形成于所述陽極陣列層11上，并于所述陽極陣列層11上每個(gè)陽極相對(duì)應(yīng)的位置設(shè)有像素坑；

所述發(fā)光功能層13層疊設(shè)置于所述像素坑內(nèi)，并覆蓋所述陽極；

所述陰極層14覆蓋所述發(fā)光功能層13和所述像素界定層12；

所述薄膜層15覆蓋所述陰極層14，所述薄膜層15的基部填充于所述像素坑，所述薄膜層的頂部設(shè)有多個(gè)凸部，相鄰的所述凸部之間的距離≤相鄰的所述像素坑之間的距離，且所述薄膜層由透明材料制成，所述薄膜層的折射率介于空氣折射率與所述陰極層的折射率之間。

可以理解的，所示凸部之間的距離等于或者小于像素坑之間的距離，即每個(gè)像素坑可對(duì)應(yīng)于一個(gè)或多個(gè)凸部。當(dāng)每個(gè)像素坑對(duì)應(yīng)于一個(gè)凸部時(shí)，如圖1所示；當(dāng)每個(gè)像素坑對(duì)應(yīng)于多個(gè)凸部時(shí)，如圖2所示。

可以理解的，該形成陣列的凸部僅需具有向上凸起的形狀即可，例如凸透鏡形，圓柱形，圓錐形，多棱錐型，截圓錐形，截棱錐形或圓弧形等，但是，如具有凸透鏡形圓滑的弧度，具有較好的效果。

對(duì)于薄膜層材料的折射率，介于空氣折射率與陰極層的折射率之間，且可為折射率均勻分布的單層結(jié)構(gòu)，也可以為折射率梯度變化的多層結(jié)構(gòu)，當(dāng)所述薄膜層的折射率梯度變化時(shí)，折射率在遠(yuǎn)離基板的方向上逐漸降低，例如折射率逐漸由1.5-2.0的范圍降低至1.0-1.5的范圍。

同時(shí)考慮到有效阻擋水和氧氣，以及有效利用像素坑內(nèi)的空間，所述薄膜層最大厚度不小于0.5μm。所述薄膜層最大厚度指從薄膜層與陰極層接觸的基部下表面到薄膜層頂部凸起的上表面的頂點(diǎn)的距離。

所述薄膜層的材質(zhì)，可以是有機(jī)材料，也可以是無機(jī)材料，或者多種材料的混合物，例如，可由以下材料中的至少一種制成：有機(jī)小分子(分子量低于2000的有機(jī)分子)、有機(jī)高分子樹脂(分子量大于2000)、有機(jī)硅、金屬氧化物、金屬硫化物、金屬硒化物、金屬碲化物、金屬氯化物、金屬溴化物、金屬碘化物、金屬氫氧化物、硅氧化物、氮氧化硅、氮化硅、石墨烯、薄層石墨、云母類化合物、水滑石類化合物、蒙脫土類化合物。

當(dāng)薄膜層由多種材料混合而成時(shí)，其中至少包含一種基體材料，以及至少包含一種層狀材料，即原子或分子呈層狀排列的單質(zhì)或化合物。基體材料與層狀材料的質(zhì)量百分比可根據(jù)需要調(diào)節(jié)。

優(yōu)選的，所述薄膜層的基體材料由以下材料中的至少一種組成：聚酰胺、聚丙烯氰、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚對(duì)苯二乙基砜、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚丙烯、聚苯乙烯、聚砜、聚氯乙烯、聚硅氧烷、聚偏二氟乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚脲、聚四氟乙烯和環(huán)氧樹脂。具體可采用上述的一種或幾種的組合，當(dāng)使用的是聚合物單體時(shí)，應(yīng)以必要的加熱或光照方式使單體聚合形成聚合物。

優(yōu)選的，所述薄膜層中的層狀材料由以下材料中的至少一種組成：石墨烯、薄層石墨、云母類化合物、水滑石類化合物、蒙脫土類化合物、金屬硫化物、金屬硒化物、金屬碲化物、金屬氯化物、金屬溴化物、金屬碘化物、金屬氫氧化物。

可以理解的，所述層狀材料的原子或者分子在層內(nèi)形成密堆積，從而使水或者氧氣分子無法透過。這樣的層狀材料的存在，使得水或者氧氣分子在薄膜層內(nèi)只能穿過層狀材料的間隙而無法透過，因此使水或者氧氣分子穿過整個(gè)薄膜層的路徑增加而降低了水氧透過率。

上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：

s1、獲取包含tft陣列和陽極陣列層的襯底基板；

s2、制備像素界定層：于所述陽極陣列層上制備像素界定層，并通過光刻工藝在該像素界定層上制備得到相應(yīng)的像素坑；

s3、制備發(fā)光功能層：在上述像素坑內(nèi)制備所述發(fā)光功能層，所述發(fā)光功能層至少包括一層發(fā)光層；

s4、制備陰極層：在所述發(fā)光功能層和所述像素界定層上制備陰極層，所述陰極層覆蓋所述發(fā)光功能層和所述像素界定層；

1、前處理

在制備發(fā)光功能層之前，可進(jìn)行前處理，具體如下：

將帶有陽極陣列層和像素界定層的基板在堿性清洗劑和超純水中用超聲清洗，隨后用氮?dú)獯蹈桑?00℃下真空烘烤30分鐘，用uv/臭氧處理10秒。

2、制備發(fā)光功能層和陰極層(如圖3所示)

在像素坑內(nèi)陽極的上方，通過噴墨打印和蒸鍍的方式形成頂發(fā)射型的電致發(fā)光器件。頂發(fā)射的電致發(fā)光器件由陽極、發(fā)光功能層和陰極共同組成。其中頂部的陰極是透明或半透明的，兩個(gè)電極之間的發(fā)光功能層為一層或多層薄膜的有機(jī)材料或者無機(jī)材料薄膜，至少含有一層發(fā)光層，同時(shí)可包含以下功能層中的一種或多種：空穴注入層，空穴傳輸層，電子阻擋層，空穴阻擋層，電子傳輸層，電子注入層等。而陽極是具有反射作用的金屬ag。

可以理解的，上述器件的結(jié)構(gòu)可按照下述方式制備：

(1)空穴注入層：空穴注入層材料的實(shí)例包括芳基胺類化合物、酞菁化合物、金屬氧化物(例如氧化鎢、氧化鉬、氧化釩)、聚噻吩類化合物；優(yōu)選地，空穴注入層材料選自芳基胺類化合物。制備時(shí)，將空穴注入材料溶于溶劑制成墨水，所述墨水的溶劑可包含以下溶劑中的至少兩種：氯仿、甲苯、二甲苯、氯苯、二苯醚、異丙醇、二甲基苯胺、水。并將得到的空穴注入材料墨水以噴墨打印方式注入像素坑內(nèi)，經(jīng)過真空干燥、烘烤而形成均勻的薄膜狀結(jié)構(gòu)，該空穴注入層薄膜的厚度為5-150nm，優(yōu)選的厚度為10-90nm。

(2)空穴傳輸層：空穴傳輸材料的實(shí)例包括多芳基胺類化合物、聚芳基胺及其衍生物、聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚噻吩及其衍生物；優(yōu)選地，空穴傳輸層材料選自芳基胺類化合物?？昭▊鬏敳牧先苡诨旌先軇┬纬赡?，所述墨水的溶劑可包含以下實(shí)例中的至少兩種：氯仿、四氫呋喃、乙酸乙酯、甲苯、二甲苯、氯苯、二苯醚、異丙醇、二甲基苯胺?？昭▊鬏敳牧夏試娔蛴》绞阶⑷胂袼乜觾?nèi)，在已經(jīng)干燥的空穴注入層薄膜上鋪展開，經(jīng)過真空干燥、烘烤，形成覆蓋空穴注入層的空穴傳輸層薄膜，空穴傳輸層薄膜的厚度為5-150nm，優(yōu)選的厚度為15-60nm。

(3)發(fā)光層：發(fā)光層包含小分子及高分子的發(fā)射熒光、磷光的有機(jī)材料，以及量子點(diǎn)材料等。發(fā)光層可以由一種材料組成，例如量子點(diǎn)發(fā)光材料。發(fā)光層也可以由兩種或兩種以上材料組成，其中至少包含一種主體材料，以及至少包含一種摻雜材料。主體材料的實(shí)例包括含有芳香取代基的咔唑類化合物或聚合物，含有芳香取代基的苯并菲類化合物或聚合物，含有芳香取代及的苯并噻吩類化合物或聚合物，含有芳香取代基的三嗪類化合物或聚合物等；優(yōu)選地，主體材料選自含有芳香取代基的咔唑類化合物或聚合物，含有芳香取代基的苯并菲類化合物或聚合物。摻雜材料的實(shí)例包括含有ir元素的化合物，含有pt元素的化合物，含有cu(i)的化合物，含有os元素的化合物，延遲熒光類化合物；優(yōu)選地，摻雜材料選自還有ir元素的金屬配合物，含有pt元素的金屬配合物，延遲熒光類化合物。發(fā)光層材料溶于混合溶劑形成墨水，所述墨水的溶劑包含以下實(shí)例中的至少兩種：氯仿、四氫呋喃、乙酸乙酯、甲苯、二甲苯、氯苯、二苯醚、異丙醇、二甲基苯胺。發(fā)光層材料的墨水以噴墨打印方式注入像素坑內(nèi)，在已經(jīng)干燥的空穴傳輸層薄膜上鋪展開，經(jīng)過真空干燥、烘烤，形成覆蓋于空穴傳輸層上的發(fā)光層薄膜，發(fā)光層薄膜的厚度為10-100nm，優(yōu)選的厚度為20-60nm。

(4)電子傳輸層：電子傳輸材料的實(shí)例包括含有芳香取代基的化合物，含有芳香取代基的噁二唑化合物，含有芳香取代基的苯醌化合物，含有芳香取代基的三嗪化合物，8-羥基喹啉金屬配合物等；優(yōu)選地，電子傳輸層材料選自含有芳香取代基的三嗪化合物，8-羥基喹啉金屬配合物。電子傳輸層采用蒸鍍的方式制備，厚度為10-60nm，優(yōu)選的厚度為20-50nm。

(5)陰極：透明或半透明的陰極為導(dǎo)電氧化物(例如ito、fto、摻雜的氧化鋅)，薄層金屬(例如ag，al，mg或這幾種金屬的合金)，或者石墨烯。在真空條件下以濺射或者氣相沉積方式形成陰極，陰極覆蓋于發(fā)光功能層與像素界定層的上方，形成各個(gè)電極共用的頂電極。

s4、制備薄膜層：在所述陰極層上制備所述薄膜層，所述薄膜層的基部填充于所述像素坑，所述薄膜層的頂部設(shè)有多個(gè)凸部，相鄰的所述凸部之間的距離小于相鄰的所述像素坑之間的距離。

所述薄膜層的制備方法為：

(1)將薄膜層材料溶解于溶劑中，然后涂布于所述陰極層上，真空干燥至95-99.9％的溶劑揮發(fā)；

將所述薄膜層的組成材料均勻混合，使所述薄膜層的組成材料形成液態(tài)可以流動(dòng)以便于印刷涂布，形成液態(tài)的方式包括將其中至少一種材料進(jìn)行加熱熔融成液態(tài)，或者將所述薄膜層的組成材料加入溶劑中形成液態(tài)混合物；

將所述薄膜層材料以印刷方式涂布于電致發(fā)光顯示基板之上，填充像素坑，并且覆蓋像素界定層與陰極層(如圖4所示)；

對(duì)薄膜層材料進(jìn)行預(yù)處理：當(dāng)薄膜層材料以熔融其中一種材料組分的方式形成液態(tài)，則降低可熔融組分的溫度使材料流動(dòng)性降低，然后保持溫度在可熔融組分的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度與熔點(diǎn)之間；當(dāng)薄膜層材料以加入溶劑的方式形成液態(tài)，則在真空環(huán)境下使95％-99.9％的大部分溶劑揮發(fā)以降低材料的流動(dòng)性，同時(shí)薄膜層材料中還留有0.1％-5％的少量溶劑而使材料保留加工變形的能力；

(2)獲取壓印模板16，所述壓印模板上設(shè)有多個(gè)凸部，利用壓印模板對(duì)所述薄膜層進(jìn)行壓印操作，形成所述凸部；

對(duì)薄膜層材料進(jìn)行壓印處理，使薄膜層的頂部獲得成陣列狀排列的凸部，凸部之間的距離小于或等于像素之間的距離；

(3)真空干燥除去剩余溶劑，即得所述薄膜層。

對(duì)薄膜層材料進(jìn)行真空加熱處理，以充分除去其中的水分或殘余溶劑，然后在氮?dú)猸h(huán)境下冷卻至室溫，即得所述薄膜層。

實(shí)踐中，對(duì)于制備薄膜層結(jié)構(gòu)，可以在封裝過程之前形成，也可以在封裝過程之后形成，或者薄膜層本身是封裝結(jié)構(gòu)中的一個(gè)組成部分。

可以理解的，上述薄膜層制備完成后，對(duì)整個(gè)顯示基板或裝置還可進(jìn)行進(jìn)一步封裝保護(hù)。例如，可采用薄膜封裝的方式，即在包括薄膜層結(jié)構(gòu)的整個(gè)顯示基板上，用pecvd方式沉積5nm-100μm的一層或多層封裝材料，封裝材料的實(shí)例包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、有機(jī)硅(聚硅氧烷)、氧化鋁、氧化鋯、氮化鋁中的一種或幾種的組合。

本實(shí)施例使用“印刷+壓印”的加工方式，以具有合適折射率的透明材料形成具有凸部陣列的薄膜層，對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件形成隔絕水氧的封裝保護(hù)以提高壽命，同時(shí)還能增強(qiáng)電致發(fā)光器件的光提取效率，即形成一種具有“光提取+封裝”雙重功能的透明結(jié)構(gòu)。

此發(fā)明所采用的印刷+壓印的方式的優(yōu)勢在于，可以快速地在大面積的電致發(fā)光器件上獲得所需要的幾何圖形。

以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡潔，未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。