技術總結
本發(fā)明提供一種低電阻率導電碳薄膜及其制備方法。所述低電阻率導電碳薄膜按照質量百分比包括以下組分：導電碳50～95％；成膜劑4.5～59％；其他添加劑0.5～1.4％；其中，按照導電碳質量100％計，包括以下組分：碳納米管25～100％；其他導電碳0～75％，且所述其他導電碳含量不取0值。本發(fā)明獲得的導電碳薄膜表面光滑均勻，可卷曲，具有良好的柔韌性；更重要的是，導電碳薄膜的電阻率為20mΩ·cm～50Ω·cm，抗拉強度達到10MPa及以上，表現出優(yōu)異的導電性能和機械強度。

技術研發(fā)人員：孔令涌;方東升;尚偉麗;黃少真
受保護的技術使用者：深圳市德方納米科技股份有限公司
文檔號碼：201610822005
技術研發(fā)日：2016.09.13
技術公布日：2017.02.22