技術特征：

技術總結
一種半導體結構與其制造方法。制造方法包括：第一、第二及第三溝渠形成于一基板上的一層中。第三溝渠實質上寬于第一及第二溝渠。第一、第二及第三溝渠部分填入一第一導電材料。一第一抗反射材料覆蓋于第一、第二及第三溝渠之上。第一抗反射材料有一第一表面形貌變化。執(zhí)行一第一回蝕刻制程以部分移除第一抗反射材料。之后，一第二抗反射材料覆蓋于第一抗反射材料之上。第二抗反射材料有一小于第一表面形貌變化的第二表面形貌變化。執(zhí)行一第二回蝕刻制程以部分移除第一及第二溝渠中的第二抗反射材料。之后，部分移除第一及第二溝渠中的第一導電材料。

技術研發(fā)人員：陳勁達;謝銘峯;吳漢威;林育賢;劉柏均;陳彥廷
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發(fā)日：2016.09.13
技術公布日：2017.07.07