技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種發(fā)光二極管的制作方法，屬于光電子制造技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括在生長(zhǎng)襯底上依次形成外延層和保護(hù)層，在保護(hù)層上形成若干延伸至襯底的凹槽，在保護(hù)層的保護(hù)下，通過(guò)凹槽對(duì)外延子層進(jìn)行腐蝕，去除保護(hù)層，將露出的外延子層鍵合在轉(zhuǎn)移襯底上，去除生長(zhǎng)襯底，通過(guò)在外延層上形成保護(hù)層，在保護(hù)層上形成延伸至襯底的凹槽，將外延層分成相互獨(dú)立的外延子層，并通過(guò)凹槽對(duì)外延子層進(jìn)行腐蝕，使外延子層的側(cè)面與外延子層的底面的夾角為直角或鈍角，在將外延子層鍵合在轉(zhuǎn)移襯底上并去除生長(zhǎng)襯底之后，外延子層露出的夾角為直角或鈍角，不容易受到損傷，從而提高了LED芯片的外觀良率。

技術(shù)研發(fā)人員：汪洋;葉青賢;李俊生;閆曉紅
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華燦光電（浙江）有限公司
文檔號(hào)碼：201610813186
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.09
技術(shù)公布日：2017.02.22