技術(shù)特征：

1.一種發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在生長襯底上依次形成外延層和保護(hù)層；

在所述保護(hù)層上形成若干延伸至所述襯底的凹槽，若干所述凹槽將所述外延層分成若干相互獨(dú)立的外延子層；

在所述保護(hù)層的保護(hù)下，通過所述凹槽對所述外延子層進(jìn)行腐蝕，使得所述外延子層的側(cè)面與所述外延子層的底面的夾角為直角或鈍角，所述外延子層的底面為與所述生長襯底接觸的表面；

去除所述保護(hù)層，露出所述外延子層；

將露出的所述外延子層鍵合在轉(zhuǎn)移襯底上；

去除所述生長襯底。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述保護(hù)層上形成若干延伸至所述襯底的凹槽，包括：

采用激光切割所述保護(hù)層和所述外延片，以形成若干延伸至所述襯底的凹槽。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述激光的波長為213～355nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述通過所述凹槽對所述外延子層進(jìn)行腐蝕，包括：

采用腐蝕溶液對所述外延子層進(jìn)行腐蝕。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述腐蝕溶液的溫度為150～330℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，進(jìn)行腐蝕的時(shí)長為5～25分鐘。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述保護(hù)層為SiO₂層或Si₃N₄層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述去除所述保護(hù)層，包括：

采用氫氟酸去除所述保護(hù)層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述去除所述生長襯底，包括：

通過激光將所述生長襯底與所述外延層剝離。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，在所述去除所述生長襯底之后，所述方法還包括：

在所述外延子層上設(shè)置電極。