技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種基于三維堆疊封裝的風(fēng)冷散熱結(jié)構(gòu)及制造方法，包括依次堆疊于PCB板上的多層基板，在每一層基板的正面設(shè)置芯片，芯片的微凸點(diǎn)與基板正面的焊盤連接，基板的背面焊盤處形成BGA焊球；其特征是：在除最底層基板以外的每一層基板中設(shè)置通孔，通孔連通基板的正面和背面。在最底層的基板中設(shè)置通孔。所述上下層基板的通孔在豎直方向上位置一致。所述基板的堆疊層數(shù)為2層、3層或3層以上。所述芯片為裸芯片或經(jīng)過封裝后的芯片。所述基板為有機(jī)基板、陶瓷基板或Si轉(zhuǎn)接板。所述通孔的位置分布在基板中央，或者在基板兩側(cè)。本發(fā)明所述散熱結(jié)構(gòu)工藝簡單，制作成本低，可以實(shí)現(xiàn)大幅度降溫，有效解決多層堆疊芯片的散熱問題。

技術(shù)研發(fā)人員：陳誠;侯峰澤;邱德龍;林挺宇;曹立強(qiáng);萬里兮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
文檔號碼：201610810942
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.08
技術(shù)公布日：2017.01.25