1.一種半導(dǎo)體封裝，其特征在于，包括：
基座；
多個第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；以及
半導(dǎo)體元件，通過該多個第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)接合至該基座；
其中，該半導(dǎo)體元件包括：
載體基底；
多個第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；以及
第一半導(dǎo)體主體，通過該多個第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)接合至該載體基底；
其中，該多個第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和該多個第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)分別設(shè)置在該載體基底的兩相對表面上；
其中，該載體基底及該基座均為該第一半導(dǎo)體主體的扇出結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體封裝，其特征在于，進(jìn)一步包括：
多個第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，接合在該基座上，并且該多個第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和該多個第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)分別設(shè)置在該基座的兩相對表面上。
3.如權(quán)利要求2所述半導(dǎo)體封裝，其特征在于，該多個第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的尺寸大于該多個第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的尺寸且小于該多個第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的尺寸。
4.如權(quán)利要求2所述半導(dǎo)體封裝，其特征在于，該多個第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的間距大于該多個第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的間距，且小于該多個第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的間距。
5.如權(quán)利要求2所述半導(dǎo)體封裝，其特征在于，該多個第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的間距與該多個第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的間距之比值介于5～9之間，并且該多個第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的間距與該多個第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的間距之比值大于1且小于等于3。
6.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體封裝，其特征在于，該半導(dǎo)體元件進(jìn)一步包括：
模塑料，設(shè)置在該載體基底上，并且圍繞該第一半導(dǎo)體主體及該多個第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求6所述半導(dǎo)體封裝，其特征在于，進(jìn)一步包括：
底膠填充材質(zhì)，設(shè)置在該基座上，并且圍繞該半導(dǎo)體元件及該多個第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，以及填充該半導(dǎo)體元件與該基座之間的間隙。
8.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體封裝，其特征在于，該載體基底的寬度大于該第一半導(dǎo)體主體的寬度，且小于該基座的寬度。
9.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體封裝，其特征在于，該第一半導(dǎo)體主體為半導(dǎo)體晶粒。
10.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體封裝，其特征在于，該半導(dǎo)體元件還包括：
第二半導(dǎo)體主體，與該第一半導(dǎo)體主體并排設(shè)置在該載體基底上或者堆疊在該第一半導(dǎo)體主體上。
11.如權(quán)利要求10所述半導(dǎo)體封裝，其特征在于，該第一半導(dǎo)體主體使用倒裝芯片方式接合至該載體基底；
當(dāng)該第二半導(dǎo)體主體與該第一半導(dǎo)體主體并排設(shè)置在該載體基底上時，該第二半導(dǎo)體主體使用倒裝芯片或者線接合方式接合至該載體基底；
當(dāng)該第二半導(dǎo)體主體堆疊在該第一半導(dǎo)體主體上時，該第二半導(dǎo)體主體使用線接合方式接合至該載體基底。
12.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體封裝，其特征在于，進(jìn)一步包括：
散熱基座，通過黏合層附著至該基座，并且覆蓋該半導(dǎo)體元件。
13.如權(quán)利要求12所述半導(dǎo)體封裝，其特征在于，進(jìn)一步包括：
散熱界面材料，位于該散熱基座與該半導(dǎo)體元件之間。
14.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體封裝，其特征在于，該載體基底包括：導(dǎo)線，該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)直接接合在該導(dǎo)線上。
15.如權(quán)利要求14所述半導(dǎo)體封裝，其特征在于，
該導(dǎo)線為細(xì)長形的；
或者，該導(dǎo)線用于攜帶輸入/輸出信號、接地信號或電源信號穿過該載體基底的至少一部分；
或者，該導(dǎo)線的頂面位于該載體基底面向該半導(dǎo)體主體的表面的上方、下方或者對齊；
或者，該導(dǎo)線的寬度小于該第一半導(dǎo)體主體上的連接至該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的接墊的寬度；
或者，該導(dǎo)線的形狀不同于該第一半導(dǎo)體主體上的連接至該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的接墊的形狀。
16.如權(quán)利要求14所述半導(dǎo)體封裝，其特征在于，該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括：焊錫蓋層，直接接觸該導(dǎo)線；
或者，該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括：寬度大于該導(dǎo)線的寬度的銅層和/或?qū)挾却笥谠搶?dǎo)線的寬度的焊錫蓋層。