技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開發(fā)光二極管應(yīng)力釋放層的外延生長方法，包括：處理襯底、生長低溫緩沖層GaN、在1000?1100℃的溫度條件下通入NH3及H2將所述低溫緩沖層GaN腐蝕成不規(guī)則的島狀、生長不摻雜的GaN層、生長第一摻雜Si的N型GaN層；生長第二摻雜Si的N型GaN層、生長第三摻雜Si的N型GaN層、生長第一應(yīng)力釋放層、生長第二應(yīng)力釋放層、生長nGaN層、生長發(fā)光層、生長P型AlGaN層、生長摻鎂的P型GaN層及降溫冷卻。本發(fā)明消除了LED中晶格失配帶來的應(yīng)力。

技術(shù)研發(fā)人員：張宇
受保護的技術(shù)使用者：湘能華磊光電股份有限公司
文檔號碼：201610810310
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.08
技術(shù)公布日：2017.01.11