1.一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括：襯底，以及生長(zhǎng)在襯底表面的發(fā)光外延層和分布布拉格反射層，發(fā)光外延層和分布布拉格反射層分別位于襯底兩側(cè)，其特征在于：所述襯底的背面具有一系列沙漏狀的凹槽結(jié)構(gòu)，且所述分布布拉格反射層形成于所述凹槽結(jié)構(gòu)表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述凹槽結(jié)構(gòu)呈周期性規(guī)則分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述沙漏狀的凹槽結(jié)構(gòu)的深度介于2μm~10μm，寬度介于2μm~10μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述分布布拉格反射層的厚度介于2μm~4μm。
5.一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法，包括工藝步驟：
（1）提供一襯底，并在襯底的上表面形成發(fā)光外延層；
（2）采用激光隱形切割工藝，在襯底的背面形成具有一系列沙漏狀的凹槽結(jié)構(gòu)；
（3）采用離子束鍍膜工藝，沿著所述凹槽結(jié)構(gòu)表面形成分布布拉格反射層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述步驟（2）中激光隱形切割工藝分為兩步，先對(duì)襯底進(jìn)行第一次激光隱形切割工藝，形成一系列梯形狀的凹槽結(jié)構(gòu)；再將襯底倒置，進(jìn)行第二次激光隱形切割工藝，形成一系列倒梯形狀的凹槽結(jié)構(gòu)，如此制得具有一系列沙漏狀的凹槽結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述激光隱形切割的激光能量介于0.32W~0.9W，激光頻率介于15KHz~40KHz。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述沙漏狀的凹槽結(jié)構(gòu)的深度介于2μm~10μm，寬度介于2μm~10μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述步驟（3）中離子束鍍膜工藝的條件：離子束能量介于200W~2000W，鍍膜速率介于2?/s~5?/s，溫度介于150~300℃。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述分布布拉格反射層的厚度介于2μm~4μm。