1.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板包括：
基底，包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，非顯示區(qū)域圍繞顯示區(qū)域并且包括肖特基二極管，
其中，所述肖特基二極管包括：
陽極層和陰極層，形成基底上；
柵極絕緣層，形成在基底上并且覆蓋陽極層和陰極層；
第一柵電極，形成在柵極絕緣層上并且與陽極層和陰極層疊置；
層間絕緣層，形成在柵極絕緣層上并且覆蓋第一柵電極，并且包括用于暴露陽極層和陰極層的接觸孔；
第一外接電壓和第二外接電壓，形成在層間絕緣層上，并且分別通過接觸孔連接到陽極層和陰極層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述顯示區(qū)域包括薄膜晶體管，
其中，所述薄膜晶體管包括：
有源層，形成在基底上；
第二柵電極，與有源層絕緣；
源電極和漏電極，電連接到有源層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，陽極層和陰極層與所述有源層設(shè)置在同一層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，第一柵電極與第二柵電極設(shè)置在同一層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，第一外接電壓和第二外接電壓與源電極和漏電極設(shè)置在同一層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，有源層包括源區(qū)、漏區(qū)和位于源區(qū)和漏區(qū)之間的溝道區(qū)，
其中，陽極層包括與源區(qū)和漏區(qū)相同的材料，陰極層包括與溝道區(qū)相同的材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板還包括焊盤，所述焊盤位于非顯示區(qū)域中。
8.一種制造薄膜晶體管陣列基板的方法，其特征在于，所述方法包括：
在基底的顯示區(qū)域中形成薄膜晶體管的有源層，并且在基底的非顯示區(qū)域中形成肖特基二極管的陽極層和陰極層；
在基底上形成柵極絕緣層以覆蓋薄膜晶體管的有源層和肖特基二極管的陽極層和陰極層；
在柵極絕緣層上形成薄膜晶體管的第二柵電極和肖特基二極管的第一柵電極，第二柵電極與有源層疊置，第一柵電極與陽極層和陰極層疊置；
在柵極絕緣層上形成層間絕緣層以覆蓋第一柵電極和第二柵電極；
在層間絕緣層和柵極絕緣層中形成用于暴露薄膜晶體管的有源層以及肖特基二極管的陽極層和陰極層的接觸孔；
在層間絕緣層上形成薄膜晶體管的源電極和漏電極以及肖特基二極管的第一外接電壓和第二外接電壓，源電極、漏電極、第一外接電壓和第二外接電壓分別通過接觸孔連接到有源層、陽極層和陰極層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，有源層包括源區(qū)、漏區(qū)和位于源區(qū)和漏區(qū)之間的溝道區(qū)，
其中，陽極層包括與源區(qū)和漏區(qū)相同的材料，陰極層包括與溝道區(qū)相同的材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，形成第一柵電極和第二柵電極的步驟包括：使用同一工藝同時形成第一柵電極和第二柵電極。