1.一種制備單晶硅基材表面用于后續(xù)織構(gòu)化步驟的方法，所述方法包括：
a.通過使表面與清潔溶液接觸，從所述表面去除污染物，從而將所述表面轉(zhuǎn)變成經(jīng)過預清潔的表面；
b.用水性溶液對所述經(jīng)過預清潔的表面進行蝕刻，所述水性溶液包含12-19重量％，優(yōu)選13-18％的KOH和/或NaOH，從而將所述經(jīng)過預清潔的表面轉(zhuǎn)變成經(jīng)蝕刻的表面；
c.在7-10的pH，用水性介質(zhì)來清洗所述經(jīng)蝕刻的表面，從而將所述經(jīng)蝕刻的表面轉(zhuǎn)變成經(jīng)清洗、蝕刻的表面；以及
d.使所述經(jīng)清洗、蝕刻的表面與臭氧化的去離子水在2-4.5的pH接觸，從而將所述經(jīng)清洗、蝕刻的表面轉(zhuǎn)變成經(jīng)制備的表面。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，去除污染物包括使所述表面與包含反應(yīng)性氧物質(zhì)的溶液接觸。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，使所述表面與包含反應(yīng)性氧物質(zhì)的溶液接觸包括：使所述表面與臭氧化的去離子水在2-4.5，優(yōu)選2-4，更優(yōu)選2-3的pH接觸。
4.如權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，用于步驟a的所述臭氧化的去離子水的pH是在去離子水中存在HCl作為主要的酸或者僅有的酸的結(jié)果。
5.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，用于步驟d的所述臭氧化的去離子水的pH是2-4，優(yōu)選2-3。
6.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，步驟b包括：將所述經(jīng)過預清潔的表面浸入水性溶液的浴中，所述水性溶液包含12-19重量％，優(yōu)選13-18％的KOH和/或NaOH。
7.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，用于步驟c的所述水性介質(zhì)的溫度是30-60℃，優(yōu)選40-50℃。
8.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，用于步驟c的所述水性介質(zhì)是去離子水。
9.一種對單晶硅基材表面進行織構(gòu)化的方法，該方法包括：通過權(quán)利要求1或2所述的方法來制備單晶硅基材表面，以及該方法還包括步驟e：用水性堿性溶液接觸所述經(jīng)制備的表面，對所述經(jīng)制備的表面進行織構(gòu)化，從而將所述經(jīng)制備的表面轉(zhuǎn)變成織構(gòu)化表面。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述水性堿性溶液是如下物質(zhì)的水性溶液：
a.氫氧化鉀或氫氧化鈉；以及
b.異丙醇和/或表面活性劑。