示例實(shí)施例總體涉及電子裝置。更具體地講，本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例涉及顯示裝置。

背景技術(shù)：

因為平板顯示(FPD)裝置相比于陰極射線管(CRT)顯示裝置而言是重量輕且薄的，所以FPD裝置被廣泛地用作電子裝置的顯示裝置。FPD裝置的典型示例是液晶顯示(LCD)裝置和有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置。相比于LCD裝置，OLED裝置具有許多優(yōu)勢，諸如較高亮度和較廣視角。此外，由于OLED裝置不需要背光，所以O(shè)LED裝置可以被較薄地制成。在OLED裝置中，電子和空穴通過陰極和陽極注入到有機(jī)薄層中，然后在有機(jī)薄層中復(fù)合以生成激子，從而可以發(fā)射一定波長的光。

近來，已經(jīng)開發(fā)了通過包括透明區(qū)域而能夠透射位于顯示裝置的后面(或背面)的對象(或目標(biāo))的圖像的透明顯示裝置。這里，盡管具有透明區(qū)域和像素區(qū)域的顯示區(qū)域是透明的，但是圍繞顯示區(qū)域的外圍區(qū)域可以是不透明的。例如，多條導(dǎo)電線(例如，掃描線、數(shù)據(jù)線、電源電壓線等)可以設(shè)置在外圍區(qū)域中，導(dǎo)電線可以是不透明的。此外，在OLED裝置的情況下，用于密封上基底和下基底的密封構(gòu)件可以是不透明的。結(jié)果，顯示區(qū)域和外圍區(qū)域兩者可能不是透明的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一些示例實(shí)施例提供了一種包括具有至少一個開口的導(dǎo)電線的顯示裝置。

根據(jù)示例實(shí)施例的一個方面，顯示裝置包括基底、顯示結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電線。基底包括具有多個像素區(qū)域的顯示區(qū)域以及圍繞顯示區(qū)域的外圍區(qū)域。像素區(qū)域中的每個具有子像素區(qū)域和透明區(qū)域。顯示結(jié)構(gòu)設(shè)置在顯示區(qū)域的像素區(qū)域中的每個中。導(dǎo)電線設(shè)置在外圍區(qū)域中，并且電連接到顯示結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電線具有至少一個開口。

在示例實(shí)施例中，導(dǎo)電線的開口可以包括第一開口至第N開口，其中，N為大于1的整數(shù)，并且導(dǎo)電線可以在第一方向上通過開口而空間地分隔開。

在示例實(shí)施例中，圍繞第一開口至第N開口之中的第K開口的導(dǎo)電線可以包括與第K開口相鄰的第一邊緣部分以及圍繞第一邊緣部分的第二邊緣部分，其中，K為在1與N之間的整數(shù)。

在示例實(shí)施例中，顯示裝置還可以包括覆蓋第一邊緣部分和第二邊緣部分中的每個的絕緣圖案。設(shè)置在第一邊緣部分中的絕緣圖案可以在第一方向上與設(shè)置在第二邊緣部分中的絕緣圖案分隔開。

在示例實(shí)施例中，顯示裝置還可以包括絕緣圖案，該絕緣圖案覆蓋第一開口至第N開口之中的第K開口的側(cè)壁部分和邊緣部分，并且覆蓋圍繞第K開口的導(dǎo)電線的側(cè)壁部分和邊緣部分，其中，K為在1與N之間的整數(shù)。

在示例實(shí)施例中，外圍區(qū)域可以包括：不透明區(qū)域，設(shè)置有導(dǎo)電線；開口區(qū)域，導(dǎo)電線的開口位于開口區(qū)域。絕緣圖案可以暴露導(dǎo)電線的上表面的至少一部分，并且可以與不透明區(qū)域的至少一部分以及開口區(qū)域的至少一部分疊置。

在示例實(shí)施例中，顯示裝置還可以包括位于基底上的第一包封層以及位于第一包封層上的第二包封層。第一包封層和第二包封層可以交替地并重復(fù)地布置。第一包封層可以包括無機(jī)材料，并且可以覆蓋導(dǎo)電線。第二包封層可以包括有機(jī)材料，并且可以與導(dǎo)電線的至少一部分疊置。

在示例實(shí)施例中，導(dǎo)電線的第一開口至第N開口可以在第一方向以及垂直于第一方向的第二方向上規(guī)則地布置，其中，N為大于1的整數(shù)。導(dǎo)電線可以具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

在示例實(shí)施例中，布置在第二方向上的開口可以整體地形成，并且可以在平面圖中具有條狀。

在示例實(shí)施例中，導(dǎo)電線可以包括第一豎直延長線至第(M+1)豎直延長線以及第一水平延長線至第(L+1)水平延長線。第一豎直延長線至第(M+1)豎直延長線可以在第二方向上延伸，并且可以在第一方向上重復(fù)地布置，其中，M為大于1的整數(shù)。第一水平延長線至第(L+1)水平延長線可以在第一方向上延伸，并且可以在第二方向上重復(fù)地布置，其中，L為大于1的整數(shù)。第一開口至第N開口之中的第K開口可以由第一豎直延長線至第(M+1)豎直延長線之中的第G豎直延長線和第(G+1)豎直延長線以及第一水平延長線至第(L+1)水平延長線之中的第H水平延長線和第(H+1)水平延長線來限定，其中，G為在1與M+1之間的整數(shù)，H為在1與L+1之間的整數(shù)。

在示例實(shí)施例中，外圍區(qū)域可以包括第一區(qū)域和第二區(qū)域。第一區(qū)域可以位于外圍區(qū)域的最外側(cè)。第二區(qū)域可以在第一區(qū)域與顯示區(qū)域之間位于鄰近顯示區(qū)域處，并且可以圍繞顯示區(qū)域。

在示例實(shí)施例中，顯示裝置還可以包括第一阻擋圖案，所述第一阻擋圖案位于豎直延長線之中的位于第一區(qū)域的最外側(cè)的第一豎直延長線的上表面上中。第一阻擋圖案可以與覆蓋第一豎直延長線的邊緣部分中的每個邊緣部分的絕緣圖案中的每個絕緣圖案分隔開，并且可以具有預(yù)定高度。

在示例實(shí)施例中，顯示裝置還可以包括與第一阻擋圖案鄰近的至少一個第二阻擋圖案。第一阻擋圖案和第二阻擋圖案可以設(shè)置在導(dǎo)電線上并彼此規(guī)則地分隔開，第二阻擋圖案以及與第二阻擋圖案鄰近的絕緣圖案可以彼此分隔開。

在示例實(shí)施例中，顯示結(jié)構(gòu)可以包括：半導(dǎo)體元件，具有位于基底上的有源層、位于有源層上的柵電極以及位于柵電極上的源電極和漏電極；下電極，位于半導(dǎo)體上；像素限定層，部分地暴露下電極；發(fā)光層，位于下電極上；上電極，位于發(fā)光層上。

在示例實(shí)施例中，導(dǎo)電線以及源電極和漏電極可以通過使用相同的材料而同時形成。

在示例實(shí)施例中，顯示裝置還可以包括與第二區(qū)域中的導(dǎo)電線的至少一部分疊置的導(dǎo)電圖案。導(dǎo)電圖案可以電連接到上電極。上電極可以暴露透明區(qū)域，透明區(qū)域的面積可以與位于導(dǎo)電線中的開口的面積相同。

在示例實(shí)施例中，導(dǎo)電圖案可以覆蓋導(dǎo)電圖案與導(dǎo)電線疊置的部分中的導(dǎo)電線，并且可以暴露導(dǎo)電線的開口。導(dǎo)電圖案可以具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

在示例實(shí)施例中，顯示裝置還可以包括：附加絕緣圖案，覆蓋導(dǎo)電線與導(dǎo)電圖案疊置的部分中的導(dǎo)電圖案的邊緣部分中的每個。附加絕緣圖案可以暴露導(dǎo)電圖案的上表面的至少一部分，并且附加絕緣圖案和像素限定層可以通過使用相同的材料而同時形成。

在示例實(shí)施例中，顯示裝置還可以包括位于外圍區(qū)域中且在導(dǎo)電線與顯示結(jié)構(gòu)之間的至少一條附加導(dǎo)電線。附加導(dǎo)電線可以具有至少一個開口。

由于根據(jù)示例實(shí)施例的顯示裝置包括具有至少一個開口的導(dǎo)電線，因此顯示裝置可以透射外圍區(qū)域中的位于顯示裝置后面的對象的圖像。

附圖說明

根據(jù)下面結(jié)合附圖進(jìn)行的描述，可以更詳細(xì)地理解示例實(shí)施例，在附圖中：

圖1是示出根據(jù)示例實(shí)施例的顯示裝置的平面圖；

圖2是沿著圖1的線I-I’截取的剖視圖；

圖3是用于描述圖2的顯示裝置中包括的導(dǎo)電線的平面圖；

圖4是用于描述圖2的顯示裝置中包括的導(dǎo)電線的透視圖；

圖5是用于描述圖2的顯示裝置中包括的導(dǎo)電圖案的平面圖；

圖6是沿著圖3的線VI-VI’截取的剖視圖；

圖7是示出圖6中示出的導(dǎo)電線的另一個示例的剖視圖；

圖8是用于描述圖6中示出的導(dǎo)電線的平面圖；

圖9和圖10是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的顯示裝置中包括的導(dǎo)電線的平面圖；

圖11、圖12、圖13、圖14、圖15和圖16是示出根據(jù)示例實(shí)施例的制造顯示裝置的方法的剖視圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例。

圖1是示出根據(jù)示例實(shí)施例的顯示裝置的平面圖。

參照圖1，顯示裝置100可以包括顯示區(qū)域10和外圍區(qū)域20。顯示區(qū)域10(例如，有源區(qū)域)可以具有多個像素區(qū)域，像素區(qū)域中的每個可以具有子像素區(qū)域和透明區(qū)域。在示例實(shí)施例中，一個像素區(qū)域可以具有三個子像素區(qū)域和一個透明區(qū)域，但是不限于此。在一些示例實(shí)施例中，例如，多個像素區(qū)域可以對應(yīng)于一個透明區(qū)域。

顯示結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在顯示區(qū)域10中。例如，一個顯示結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在顯示區(qū)域10的一個子像素區(qū)域中。顯示結(jié)構(gòu)中包括的子像素可以發(fā)光。透明區(qū)域可以透射位于顯示裝置100的后面的對象的圖像。

導(dǎo)電線(例如，掃描線、數(shù)據(jù)線、電源電壓線等)可以設(shè)置在外圍區(qū)域20中。這里，導(dǎo)電線可以電連接到顯示結(jié)構(gòu)。在示例實(shí)施例中，導(dǎo)電線可以具有至少一個開口。由于開口位于導(dǎo)電線中，所以顯示裝置100的外圍區(qū)域20可以透射位于顯示裝置100的后面的對象的圖像。因此，顯示裝置100可以在顯示區(qū)域10和外圍區(qū)域20兩者中透射位于顯示裝置100的后面的對象的圖像?？蛇x擇地，電路單元可以設(shè)置在外圍區(qū)域20的一部分中，外圍區(qū)域20的一部分可以是不透明的。此外，圖1中示出的顯示區(qū)域10和外圍區(qū)域20的形狀可以具有基本上的四方形狀(或基本上的矩形形狀)，但是不限于此。例如，顯示區(qū)域10和外圍區(qū)域20的形狀可以具有基本上的三角形形狀、基本上的菱形形狀、基本上的多邊形形狀、基本上的圓形形狀、基本上的軌道形狀或基本上的橢圓形形狀的平面形狀。

圖2是沿著圖1的線I-I’截取的剖視圖，圖3是用于描述圖2的顯示裝置中包括的導(dǎo)電線的平面圖。圖4是用于描述圖2的顯示裝置中包括的導(dǎo)電線的透視圖，圖5是用于描述圖2的顯示裝置中包括的導(dǎo)電圖案的平面圖。

參照圖2至圖5，顯示裝置100可以包括基底110、顯示結(jié)構(gòu)、柵極絕緣層150、絕緣間層190、平坦化層270、導(dǎo)電線350、像素限定層310、導(dǎo)電圖案470、阻擋結(jié)構(gòu)450、絕緣圖案490、透明窗口325、包封結(jié)構(gòu)400等。這里，顯示結(jié)構(gòu)可以包括半導(dǎo)體元件250、下電極290、發(fā)光層330和上電極340，半導(dǎo)體元件250可以包括有源層130、柵電極170、源電極210和漏電極230。包封結(jié)構(gòu)400可以包括第一包封層385、390和395以及第二包封層370和375。此外，阻擋結(jié)構(gòu)450可以包括第一阻擋圖案445、第二阻擋圖案455和第三阻擋圖案465。

如上所述，顯示裝置100可以包括具有多個像素區(qū)域II的顯示區(qū)域和外圍區(qū)域III。一個像素區(qū)域II可以具有子像素區(qū)域IV和透明區(qū)域V。半導(dǎo)體元件250、下電極290、發(fā)光層330和上電極340的一部分可以設(shè)置在子像素區(qū)域IV中。此外，透明窗口325可以位于透明區(qū)域V中。

例如，顯示圖像可以顯示在子像素區(qū)域IV中，位于顯示裝置100的后面的對象的圖像可以在透明區(qū)域V中透射。此外，在外圍區(qū)域III中，位于顯示裝置100的后面的對象的圖像可以透過位于導(dǎo)電線350中的開口。由于顯示裝置100包括具有開口的導(dǎo)電線350，因此顯示裝置100可以用作能夠使位于顯示裝置100的后面的對象的圖像透過像素區(qū)域II和外圍區(qū)域III的透明顯示裝置。

顯示結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在基底110上?；?10可以由透明材料形成。例如，基底110可以包括石英基底、合成的石英基底、氟化鈣基底、氟摻雜石英基底、堿石灰玻璃基底、無堿基底等?？蛇x擇地，基底110可以由柔性透明材料(諸如柔性透明樹脂基底)形成。

例如，聚酰亞胺基底可以包括第一聚酰亞胺層、阻擋膜層、第二聚酰亞胺層等。由于聚酰亞胺基底是相對薄且柔性的，因此聚酰亞胺基底可以設(shè)置在剛性玻璃基底上，以有助于支撐顯示結(jié)構(gòu)的形成。即，基底110可以具有第一聚酰亞胺層、阻擋膜層和第二聚酰亞胺層堆疊在剛性玻璃基底上的結(jié)構(gòu)。在制造顯示裝置100時，在聚酰亞胺基底的第二聚酰亞胺層上設(shè)置絕緣層之后，可以在絕緣層上設(shè)置顯示結(jié)構(gòu)(例如，半導(dǎo)體元件250、下電極290、發(fā)光層330、上電極340等)。在絕緣層上形成顯示結(jié)構(gòu)之后，可以去除聚酰亞胺基底設(shè)置在其下方的剛性玻璃基底。因為聚酰亞胺基底是相對薄且柔性的，所以可能會難以將顯示結(jié)構(gòu)直接形成在聚酰亞胺基底上。因此，顯示結(jié)構(gòu)形成在剛性玻璃基底上層壓的聚酰亞胺基底上，然后聚酰亞胺基底可以在去除剛性玻璃基底之后用作顯示裝置100的基底110。由于顯示裝置100包括像素區(qū)域II和外圍區(qū)域III，因此基底110也可以包括像素區(qū)域II和外圍區(qū)域III。

緩沖層(未示出)可以設(shè)置在基底110上。緩沖層可以在基底110上沿著第一方向從外圍區(qū)域III向像素區(qū)域II延伸。緩沖層可以防止金屬原子和/或雜質(zhì)從基底110擴(kuò)散。此外，緩沖層可以在用于形成有源層130的結(jié)晶工藝中控制熱傳遞速率，從而獲得基本均勻的有源層130。此外，當(dāng)基底110的表面相對不平坦時，緩沖層可以改善基底110的表面平坦度。根據(jù)基底110的類型，可以在基底110上設(shè)置至少兩個緩沖層，或者可以不形成緩沖層。

半導(dǎo)體元件250可以包括有源層130、柵電極170、源電極210和漏電極230。例如，有源層130可以設(shè)置在子像素區(qū)域IV中且在基底110上。有源層130可以由氧化物半導(dǎo)體、無機(jī)半導(dǎo)體(例如，非晶硅、多晶硅等)、有機(jī)半導(dǎo)體等形成。

柵極絕緣層150可以設(shè)置在有源層130上。柵極絕緣層150可以覆蓋子像素區(qū)域IV中的有源層130，并且可以在基底110上沿著第一方向延伸。即，柵極絕緣層150可以設(shè)置在整個基底110上。在示例實(shí)施例中，柵極絕緣層150可以充分地覆蓋有源層130。柵極絕緣層150可以具有圍繞有源層130的基本平坦的表面而沒有臺階?？蛇x擇地，柵極絕緣層150可以覆蓋有源層130，并且可以沿著有源層130的輪廓設(shè)置為基本均勻的厚度。柵極絕緣層150可以由硅化合物、金屬氧化物等形成。

柵電極170可以設(shè)置在柵極絕緣層150的有源層130位于其下方的部分上，以與有源層130疊置。柵電極170可以由金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成。

絕緣間層190可以設(shè)置在柵電極170上。絕緣間層190可以覆蓋子像素區(qū)域IV中的柵電極170，并且可以在基底110上沿著第一方向延伸。在示例實(shí)施例中，絕緣間層190可以充分地覆蓋柵電極170。絕緣間層190可以具有圍繞柵電極170的基本平坦的表面而沒有臺階?？蛇x擇地，絕緣間層190可以覆蓋柵電極170，并且可以沿著柵電極170的輪廓設(shè)置為基本均勻的厚度。即，絕緣間層190可以設(shè)置在整個基底110上。絕緣間層190可以包括硅化合物、金屬氧化物等。

源電極210和漏電極230可以設(shè)置在子像素區(qū)域IV中且在絕緣間層190上。源電極210可以經(jīng)由通過去除柵極絕緣層150和絕緣間層190的一部分而形成的接觸孔來與有源層130的第一側(cè)接觸。漏電極230可以經(jīng)由通過去除柵極絕緣層150和絕緣間層190的第二部分而形成的接觸孔來與有源層130的第二側(cè)接觸。源電極210和漏電極230中的每個可以由金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成。

導(dǎo)電線350可以設(shè)置在外圍區(qū)域III中且在絕緣間層190上。導(dǎo)電線350可以包括從掃描線、數(shù)據(jù)線、電源電壓線(例如，高電源電壓線、低電源電壓線、初始電壓線)中選擇的至少一種。這里，掃描線可以將掃描信號提供給像素區(qū)域II中設(shè)置的半導(dǎo)體元件，數(shù)據(jù)線可以將數(shù)據(jù)信號提供給像素區(qū)域II中設(shè)置的半導(dǎo)體元件。電源電壓線可以將電源電壓提供給像素區(qū)域II中設(shè)置的半導(dǎo)體元件。在示例實(shí)施例中，導(dǎo)電線350可以是低電源電壓線。如圖3和圖4中所示，導(dǎo)電線350可以具有包括多個第一開口355的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。位于顯示裝置100的后面的對象的圖像可以透過第一開口355。此外，導(dǎo)電線350可以通過導(dǎo)電圖案470電連接到上電極340，導(dǎo)電線350可以通過導(dǎo)電圖案470將低電源電壓提供給上電極340。

在一些示例實(shí)施例中，還可以在外圍區(qū)域III中在導(dǎo)電線350與半導(dǎo)體元件250之間在同一水平處設(shè)置至少一條附加導(dǎo)電線。例如，導(dǎo)電線350可以是低電源電壓線，在外圍區(qū)域III中形成在導(dǎo)電線350與半導(dǎo)體元件250之間的附加導(dǎo)電線可以包括高電源電壓線、初始電壓線、掃描線、數(shù)據(jù)線等。附加導(dǎo)電線可以具有至少一個開口，導(dǎo)電線350和附加導(dǎo)電線可以通過使用相同的材料來同時形成。位于顯示裝置100的后面的對象的圖像可以透過附加導(dǎo)電線的開口。

在一些示例實(shí)施例中，還可以在外圍區(qū)域III中在導(dǎo)電線350與半導(dǎo)體元件250之間在不同水平處設(shè)置至少一條附加導(dǎo)電線。例如，當(dāng)附加導(dǎo)電線和導(dǎo)電線350執(zhí)行相同的功能時，附加導(dǎo)電線可以設(shè)置在導(dǎo)電線350的下面。附加導(dǎo)電線和導(dǎo)電線350可以彼此電連接，附加導(dǎo)電線和柵電極170可以設(shè)置在同一水平處。這里，附加導(dǎo)電線可以具有至少一個開口，該開口可以與導(dǎo)電線350的第一開口355疊置?？蛇x擇地，當(dāng)附加導(dǎo)電線和導(dǎo)電線350執(zhí)行不同的功能時，附加導(dǎo)電線可以不設(shè)置在導(dǎo)電線350的下面。附加導(dǎo)電線和柵電極170可以設(shè)置在同一水平處。即，為了防止附加導(dǎo)電線和導(dǎo)電線350之間的耦合現(xiàn)象，附加導(dǎo)電線和導(dǎo)電線350可以不彼此疊置。

導(dǎo)電線350的第一開口355可以規(guī)則地布置。在示例實(shí)施例中，第一開口355中的每個的面積(例如，形狀、尺寸)可以與下面將描述的透明窗口325的面積基本相同。例如，當(dāng)?shù)谝婚_口355中的每個的面積與透明窗口325的面積不同時，位于顯示裝置100的后面的對象的圖像會扭曲。因此，由于第一開口355中的每個的面積與透明窗口325的面積相等地形成，所以可以提高顯示裝置100的可見性?？蛇x擇地，可以不規(guī)則地布置第一開口355，第一開口355的面積可以與透明窗口325的面積不同。

導(dǎo)電線350可以由金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成。例如，導(dǎo)電線350可以包括鋁(Al)、鋁合金、氮化鋁(AlN_x)、銀(Ag)、銀合金、鎢(W)、氮化鎢(WN_x)、銅(Cu)、銅合金、鎳(Ni)、鉻(Cr)、氮化鉻(CrN_x)、鉬(Mo)、鉬合金、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN_x)、鉑(Pt)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN_x)、釹(Nd)、鈧(Sc)、氧化鍶釕(SRO)、氧化鋅(ZnO_x)、氧化錫(SnO_x)、氧化銦(InO_x)、氧化鎵(GaO_x)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等。這些可以單獨(dú)使用或以其適當(dāng)?shù)慕M合來使用。導(dǎo)電線350、源電極210和漏電極230可以通過使用相同的材料來同時地(例如，同步地)形成。在這種情況下，導(dǎo)電線350、源電極210和漏電極230可以設(shè)置在同一水平處。可選擇地，導(dǎo)電線350和柵電極170可以通過使用相同的材料來同時形成。在這種情況下，導(dǎo)電線350和柵電極170可以設(shè)置在同一水平處。

平坦化層270可以設(shè)置在外圍區(qū)域III的一部分和像素區(qū)域II中且在源電極210和漏電極230上。平坦化層270可以覆蓋像素區(qū)域II中的源電極210和漏電極230以及像素區(qū)域II與外圍區(qū)域III之間的邊界，并且可以在基底110上的外圍區(qū)域III的一部分中沿著第一方向延伸。即，平坦化層270可以設(shè)置在像素區(qū)域II中的整個基底110上。在示例實(shí)施例中，平坦化層270可以充分覆蓋源電極210和漏電極230。平坦化層270可以具有圍繞源電極210和漏電極230的基本平坦的表面而沒有臺階。可選擇地，平坦化層270可以覆蓋源電極210和漏電極230，并且可以沿著源電極210和漏電極230的輪廓設(shè)置為基本均勻的厚度。在一些示例實(shí)施例中，平坦化層270可以設(shè)置在導(dǎo)電線350的設(shè)置在外圍區(qū)域III中的部分上。平坦化層270可以包括硅化合物、金屬氧化物、聚合物(諸如光致抗蝕劑)等。

下電極290可以設(shè)置在子像素區(qū)域IV中且在平坦化層270上。下電極290可以經(jīng)由通過去除平坦化層270的一部分而形成的接觸孔來與源電極210接觸。此外，下電極290可以電連接到半導(dǎo)體元件250。下電極290可以由金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成。

導(dǎo)電圖案470可以設(shè)置在外圍區(qū)域III中且在平坦化層270的一部分和導(dǎo)電線350的一部分上。導(dǎo)電圖案470可以與下電極290分隔開，并且可以在外圍區(qū)域III中沿著平坦化層270和導(dǎo)電線350的輪廓設(shè)置為基本均勻的厚度。

在示例實(shí)施例中，如圖5中所示，導(dǎo)電圖案470可以具有多個第二開口475。例如，導(dǎo)電圖案470可以與導(dǎo)電線350的至少一部分疊置。在導(dǎo)電圖案470與導(dǎo)電線350疊置的部分中，導(dǎo)電線350的第一開口355與導(dǎo)電圖案470的第二開口475可以基本疊置，導(dǎo)電圖案470可以圍繞導(dǎo)電線350。在疊置的部分(例如，第二區(qū)域)中，由于導(dǎo)電圖案470圍繞導(dǎo)電線350，因此位于導(dǎo)電圖案470與導(dǎo)電線350疊置的部分中的第二開口475的尺寸可以小于位于導(dǎo)電圖案470與導(dǎo)電線350不疊置的部分中的第一開口355的尺寸。具體地講，導(dǎo)電圖案470可以覆蓋疊置部分中的導(dǎo)電線350的上表面、導(dǎo)電線350的側(cè)壁部分以及導(dǎo)電線350的邊緣部分，并且可以暴露第一開口355。換句話講，導(dǎo)電圖案470可以覆蓋疊置部分中的整個導(dǎo)電線350。

導(dǎo)電線350可以通過導(dǎo)電圖案470電連接到上電極340。例如，具有薄厚度的上電極340不直接連接到導(dǎo)電線350，而是可以通過使用具有高導(dǎo)電率的導(dǎo)電圖案470來電連接到導(dǎo)電線350。即，導(dǎo)電圖案470的第一側(cè)可以與導(dǎo)電線350的至少一部分(例如，疊置的部分)直接接觸，導(dǎo)電圖案470的第二側(cè)可以與上電極340直接接觸。因此，低電源電壓ELVSS可以通過導(dǎo)電圖案470而施加到上電極340。此外，盡管導(dǎo)電圖案470具有圖2中示出的平坦化層270的側(cè)壁中的第二開口475，但導(dǎo)電圖案470可以被電連接。例如，在其他剖視圖中，導(dǎo)電圖案470可以具有條狀，可以不示出第二開口475(參照圖5)。

導(dǎo)電圖案470可以由金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成。例如，導(dǎo)電圖案470可以包括Al、鋁合金、AlN_x、Ag、銀合金、W、WN_x、Cu、銅合金、Ni、Cr、CrN_x、Mo、鉬合金、Ti、TiN_x、Pt、Ta、TaN_x、Nd、Sc、SRO、ZnO_x、SnO_x、InO_x、GaO_x、ITO、IZO等。這些可以單獨(dú)使用或以其適當(dāng)?shù)慕M合來使用。導(dǎo)電圖案470和下電極290可以通過使用相同的材料來同時地形成。

在像素區(qū)域II中，像素限定層310可以在平坦化層270上暴露下電極290的位于子像素區(qū)域IV中的一部分，并且可以在平坦化層270上暴露平坦化層270的位于透明區(qū)域V中的一部分。發(fā)光層330可以設(shè)置在下電極290的暴露在子像素區(qū)域IV中的部分中，透明窗口325可以位于平坦化層270的暴露在透明區(qū)域V中的部分中?？蛇x擇地，為了提高顯示裝置100的透射率，可以去除透明區(qū)域V中的柵極絕緣層150、絕緣間層190和平坦化層270。像素限定層310可以包括有機(jī)材料或無機(jī)材料。在示例實(shí)施例中，像素限定層310可以包括有機(jī)材料。例如，像素限定層310可以由聚酰亞胺類樹脂、光致抗蝕劑、丙烯酰類樹脂、聚酰胺類樹脂、硅氧烷類樹脂等形成。

絕緣圖案490可以設(shè)置在外圍區(qū)域III中且在導(dǎo)電線350上。絕緣圖案490可以覆蓋在第一區(qū)域(例如，導(dǎo)電圖案470未設(shè)置在導(dǎo)電線350上的區(qū)域)中設(shè)置的導(dǎo)電線350的邊緣部分和兩個側(cè)壁部分(或者兩個側(cè)壁、兩個側(cè)面部分等)。即，絕緣圖案490可以暴露位于第一區(qū)域中的導(dǎo)電線350的上表面中的每個的至少一部分。換句話講，絕緣圖案490可以覆蓋位于第一區(qū)域中的一個開口355的側(cè)壁部分(或側(cè)壁、側(cè)壁部分等)和邊緣部分，并且可以覆蓋圍繞開口355的導(dǎo)電線350的側(cè)壁部分和邊緣部分?？蛇x擇地，絕緣圖案490可以覆蓋導(dǎo)電線350的設(shè)置在第一區(qū)域中的邊緣部分，并且可以暴露導(dǎo)電線350的兩個側(cè)壁部分。同時，絕緣圖案490(例如，絕緣圖案490設(shè)置在第二區(qū)域中的附加絕緣圖案)可以覆蓋設(shè)置在不同于第一區(qū)域的第二區(qū)域(例如，導(dǎo)電線350與導(dǎo)電圖案470疊置的區(qū)域)中的導(dǎo)電圖案470(其中，導(dǎo)電線350位于導(dǎo)電圖案470下面)的邊緣部分和兩個側(cè)壁部分。即，絕緣圖案490(或附加絕緣圖案)可以暴露第二區(qū)域中設(shè)置的導(dǎo)電圖案470的上表面中的每個的至少一部分。換句話講，絕緣圖案490(或附加絕緣圖案)可以覆蓋位于第二區(qū)域中的一個開口475的側(cè)壁部分和邊緣部分，并且可以覆蓋圍繞開口475的導(dǎo)電圖案470的側(cè)壁部分和邊緣部分?？蛇x擇地，絕緣圖案490可以覆蓋設(shè)置在第二區(qū)域中的導(dǎo)電圖案470的邊緣部分，可以暴露導(dǎo)電圖案470的兩個側(cè)壁部分。在一些示例實(shí)施例中，絕緣圖案490可以設(shè)置在第一開口355的至少一部分中。

當(dāng)絕緣圖案490不覆蓋邊緣部分時，在圖案化的金屬層(例如，導(dǎo)電線350和導(dǎo)電圖案470的邊緣部分)中生成顆粒，顯示裝置100可能會被顆粒損壞。因此，在金屬層被圖案化之后，可以執(zhí)行使絕緣層覆蓋圖案化的金屬層的邊緣部分的工藝以防止金屬的邊緣部分中的顆粒的產(chǎn)生。在示例實(shí)施例中，絕緣圖案490可以覆蓋導(dǎo)電線350和導(dǎo)電圖案470中的每個的邊緣部分。

絕緣圖案490可以包括無機(jī)材料。例如，絕緣圖案490可以由氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、氧氮化硅(SiO_xN_y)、氧碳化硅(SiO_xC_y)、碳氮化硅(SiC_xN_y)等形成。另一方面，絕緣圖案490可以包括有機(jī)材料。例如，絕緣圖案490可以由聚酰亞胺類樹脂、光致抗蝕劑、丙烯酰類樹脂、聚酰胺類樹脂、硅氧烷類樹脂等形成。在示例實(shí)施例中，絕緣圖案490可以包括有機(jī)材料，絕緣圖案490和像素限定層310可以通過使用相同的材料而同時形成。例如，當(dāng)絕緣圖案490和像素限定層310同時形成時，絕緣圖案490和像素限定層310可以在預(yù)備像素限定層設(shè)置在基底110上之后通過使預(yù)備像素限定層圖案化來設(shè)置。可選擇地，絕緣圖案490和平坦化層270可以同時形成。當(dāng)絕緣圖案490和平坦化層270同時形成時，絕緣圖案490和平坦化層270可以在預(yù)備平坦化層設(shè)置在基底110上之后通過使預(yù)備平坦化層圖案化來設(shè)置。在這種情況下，由于絕緣圖案490在導(dǎo)電圖案470之前形成，因此導(dǎo)電圖案470可以設(shè)置在絕緣圖案490上。

在示例實(shí)施例中，絕緣圖案490可以不連續(xù)地(或間斷地)設(shè)置在外圍區(qū)域III中，使得絕緣圖案490暴露導(dǎo)電線350的上表面中的每個的至少一部分。結(jié)果，濕氣或水不會滲入像素區(qū)域II中。例如，當(dāng)絕緣層具有有機(jī)材料并且連續(xù)地設(shè)置在導(dǎo)電線上時，濕氣或水可以通過絕緣圖案而滲入到像素區(qū)域II中。因此，根據(jù)示例實(shí)施例的絕緣圖案490可以在基底110上在外圍區(qū)域III中彼此分隔開。

發(fā)光層330可以設(shè)置在下電極290的至少一部分上。發(fā)光層330可以根據(jù)子像素而使用能夠生成不同顏色的光(例如，紅色的光、藍(lán)色的光和綠色的光等)的發(fā)光材料中的至少一種材料來形成。可選擇地，發(fā)光層330通常可以通過堆疊能夠生成不同顏色的光(諸如，紅色的光、綠色的光、藍(lán)色的光等)的多種發(fā)光材料來生成白色的光。

上電極340可以設(shè)置在像素限定層310、發(fā)光層330以及導(dǎo)電圖案470的一部分上，并且可以不設(shè)置在透明區(qū)域V中。上電極340可以在除了透明區(qū)域V之外的像素區(qū)域II中覆蓋像素限定層310和發(fā)光層330，并且可以在基底110上沿著第一方向延伸。由于上電極340不設(shè)置在透明區(qū)域V中，因此可以增大顯示裝置100的像素區(qū)域II的透射率。如上所述，低電源電壓可以通過導(dǎo)電線350和導(dǎo)電圖案470而施加到上電極340。上電極340可以由金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成。這些可以單獨(dú)使用或者以其適當(dāng)?shù)慕M合來使用。

阻擋結(jié)構(gòu)450可以設(shè)置在導(dǎo)電線350的最外側(cè)(例如，第一區(qū)域的最外側(cè))。阻擋結(jié)構(gòu)450可以包括第一阻擋圖案445、第二阻擋圖案455和第三阻擋圖案465。在示例實(shí)施例中，阻擋結(jié)構(gòu)450可以設(shè)置在導(dǎo)電線350的上表面上。此外，阻擋結(jié)構(gòu)450可以與覆蓋導(dǎo)電線350的邊緣部分的絕緣圖案490分隔開，其中，阻擋結(jié)構(gòu)450設(shè)置在導(dǎo)電線350的上面。即，盡管絕緣圖案490和阻擋結(jié)構(gòu)450設(shè)置在導(dǎo)電線350中，但是絕緣圖案490和導(dǎo)電線350設(shè)置處的導(dǎo)電線350的上表面的至少一部分可以被暴露。此外，阻擋結(jié)構(gòu)450可以具有能夠最終阻擋第二包封層370和375的泄漏(或溢出)的預(yù)定高度。

在示例實(shí)施例中，第一阻擋圖案445、第二阻擋圖案455和第三阻擋圖案465可以在導(dǎo)電線350的最外側(cè)彼此鄰近。然而，第一阻擋圖案445、第二阻擋圖案455和第三阻擋圖案465的位置不限于此。例如，可以適當(dāng)設(shè)置第一阻擋圖案445、第二阻擋圖案455和第三阻擋圖案465中的每個的位置，使得在導(dǎo)電線350上阻擋第二包封層370和375的泄漏。

阻擋結(jié)構(gòu)450可以包括無機(jī)材料或有機(jī)材料。在示例實(shí)施例中，絕緣圖案490可以包括有機(jī)材料，阻擋結(jié)構(gòu)450、絕緣圖案490和像素限定層310可以通過使用相同的材料而同時形成?？蛇x擇地，可以在阻擋結(jié)構(gòu)450上附加地設(shè)置間隔件，以獲得能夠阻擋第二包封層370和375的泄漏的預(yù)定高度。

第一阻擋圖案至第三阻擋圖案445、455和465中的每個可以在導(dǎo)電線350上在外圍區(qū)域III中彼此分隔開，使得第一阻擋圖案至第三阻擋圖案445、455和465中的每個暴露導(dǎo)電線350的開口355。因此，濕氣或水不會滲入到像素區(qū)域II中。

包封結(jié)構(gòu)400可以設(shè)置在上電極340、導(dǎo)電圖案470和導(dǎo)電線350上。包封結(jié)構(gòu)400可以包括至少一個第一包封層385和至少一個第二包封層370。例如，第二包封層370可以設(shè)置在第一包封層385上。第一包封層385和第二包封層370可以交替地并重復(fù)地布置。在示例實(shí)施例中，第一包封層385可以設(shè)置在上電極340、導(dǎo)電圖案470、導(dǎo)電線350、絕緣圖案490和阻擋結(jié)構(gòu)450上。第一包封層385可以覆蓋上電極340、導(dǎo)電圖案470、導(dǎo)電線350、絕緣圖案490和阻擋結(jié)構(gòu)450，并且可以沿著上電極340、導(dǎo)電圖案470、導(dǎo)電線350、絕緣圖案490和阻擋結(jié)構(gòu)450的輪廓設(shè)置為基本均勻的厚度。第一包封層385可以防止顯示結(jié)構(gòu)由于濕氣、水、氧等的滲入而劣化。此外，第一包封層385可以保護(hù)顯示結(jié)構(gòu)不受外部沖擊的影響。第一包封層385可以包括無機(jī)材料。

第二包封層370可以設(shè)置在外圍區(qū)域III的一部分和像素區(qū)域II中且在第一包封層385上。第二包封層370可以改善顯示裝置100的表面平坦度，并且可以保護(hù)像素區(qū)域II中的顯示結(jié)構(gòu)。第二包封層370可以包括有機(jī)材料。

第一包封層390可以設(shè)置在外圍區(qū)域III中設(shè)置的第一包封層385和第二包封層370上。第一包封層390可以覆蓋在外圍區(qū)域III中設(shè)置的第一包封層385和第二包封層370，并且可以沿著在外圍區(qū)域III中設(shè)置的第一包封層385和第二包封層370的輪廓設(shè)置為基本均勻的厚度。第一包封層390與第一包封層385和第二包封層370一起可以防止顯示結(jié)構(gòu)由于濕氣、水、氧等的滲入而劣化。此外，第一包封層390與第一包封層385和第二包封層370一起可以保護(hù)顯示結(jié)構(gòu)不受外部沖擊的影響。第一包封層390可以包括無機(jī)材料。

第二包封層375可以設(shè)置在外圍區(qū)域III的一部分和像素區(qū)域II中且在第一包封層390上。第二包封層375可以執(zhí)行與第二包封層370的功能基本相同或類似的功能，第二包封層375可以包括與第二包封層370的材料基本相同或類似的材料。第一包封層395可以設(shè)置在第二包封層375上。第一包封層395可以執(zhí)行與第一包封層385和390的功能基本相同或類似的功能，第一包封層395可以包括與第一包封層385和390的材料基本相同或類似的材料。可選擇地，包封結(jié)構(gòu)400可以具有包括第一包封層385、第二包封層370和第一包封層390的三層結(jié)構(gòu)或者包括第一包封層385、第二包封層370、第一包封層390、第二包封層375、第一包封層395、附加第一包封層和附加第二包封層的七層結(jié)構(gòu)。

在一些示例實(shí)施例中，包封結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在上電極340、第二包封層370和導(dǎo)電線350上。包封基底和基底110可以包括基本相同的材料。例如，包封基底可以由石英、合成石英、氟化鈣、氟摻雜石英、堿石灰玻璃、無堿玻璃等形成。在這種情況下，當(dāng)使用包封基底時，可以執(zhí)行密封工藝以將基底110與包封基底結(jié)合。例如，可以將密封劑插入基底110與包封基底之間的兩側(cè)部分。密封劑可以包括玻璃料等。基底和包封基底可以通過激光照射而彼此結(jié)合。這里，激光可以照射到密封劑中。在激光照射過程中，密封劑的相可以從固相改變?yōu)橐合?。然后，具有液相的密封劑可以被固化，使得密封劑可以在預(yù)定時間之后再次具有固相。根據(jù)密封劑的相變，基底可以與包封基底結(jié)合?；着c包封基底的密封結(jié)合可以保護(hù)顯示裝置100不受水、濕氣、氧等的滲透的影響。顯示裝置100不會被水、濕氣、氧等劣化。然而，密封劑可以是不透明的，在顯示裝置100中，設(shè)置密封劑的部分可以是不透明的?？蛇x擇地，當(dāng)使用透明密封材料時，設(shè)置密封劑的部分可以是透明的。

根據(jù)示例實(shí)施例的顯示裝置100包括具有第一開口355的導(dǎo)電線350和具有第二開口475的導(dǎo)電圖案470。因此，顯示裝置100可以用作能夠透射外圍區(qū)域III中位于顯示裝置100的后面的對象的圖像的透明顯示裝置。此外，由于顯示裝置100包括覆蓋導(dǎo)電線350的邊緣部分使得導(dǎo)電線350的上表面部分地暴露的絕緣圖案490，因此濕氣、水、氧不會滲入到像素區(qū)域II中。

圖6是沿著圖3的線VI-VI’截取的剖視圖，圖7是示出圖6中示出的導(dǎo)電線的另一個示例的剖視圖。圖8是用于描述圖6中示出的導(dǎo)電線的平面圖。

參照圖2、圖3、圖6和圖7，顯示裝置100可以包括基底110、顯示結(jié)構(gòu)、柵極絕緣層150、絕緣間層190、平坦化層、導(dǎo)電線350、像素限定層、導(dǎo)電圖案470、阻擋結(jié)構(gòu)450、絕緣圖案490、透明窗口、包封結(jié)構(gòu)等。這里，顯示結(jié)構(gòu)可以包括半導(dǎo)體元件、下電極、發(fā)光層、上電極，半導(dǎo)體元件可以包括有源層、柵電極、源電極和漏電極。包封結(jié)構(gòu)可以包括第一包封層和第二包封層。此外，阻擋結(jié)構(gòu)450可以包括第一阻擋圖案445、第二阻擋圖案455和第三阻擋圖案465。

如上所述，顯示裝置100可以包括像素區(qū)域和外圍區(qū)域III。像素區(qū)域可以包括子像素區(qū)域和透明區(qū)域。半導(dǎo)體元件、下電極、發(fā)光層和上電極的一部分可以設(shè)置在子像素區(qū)域中。此外，透明窗口可以位于透明區(qū)域中。

例如，顯示圖像可以在子像素區(qū)域中顯示，位于顯示裝置100后面的對象的圖像可以在透明區(qū)域V中透射。此外，在外圍區(qū)域III中，位于顯示裝置100后面的對象的圖像可以透過位于導(dǎo)電線350中的第一開口355。由于顯示裝置100包括具有第一開口355的導(dǎo)電線350，因此顯示裝置100可以用作能夠使位于顯示裝置100后面的對象的圖像透過像素區(qū)域和外圍區(qū)域III的透明顯示裝置。

如圖6中所示，外圍區(qū)域III可以包括第一區(qū)域VII和第二區(qū)域VIII。第一區(qū)域VII可以位于外圍區(qū)域III的最外面(例如，顯示裝置100的最外側(cè))，并且可以圍繞第二區(qū)域VIII。第二區(qū)域VIII可以位于鄰近像素區(qū)域處，并且可以圍繞像素區(qū)域。這里，第二區(qū)域VIII可以是導(dǎo)電線350和導(dǎo)電圖案470疊置的區(qū)域。

例如，如圖3中所示，導(dǎo)電線350的第一開口355可以包括第一開口至第N開口，其中，N為大于1的整數(shù)。第一開口至第N開口可以在與基底110的上表面平行的第一方向(例如，行方向)上以及與第一方向垂直的第二方向(例如，列方向)上規(guī)則地布置。當(dāng)?shù)谝婚_口至第N開口包括第一方向上的M列和第二方向上的L行時，第一開口至第N開口的數(shù)量可以是M×L，其中，M為大于1的整數(shù)且L為大于1的整數(shù)。導(dǎo)電線350可以具有包括M×L個開口的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。即，導(dǎo)電線350可以通過第一開口至第N開口而空間地分開(或分離)?？蛇x擇地，第一開口355可以不規(guī)則地布置。

再次參照圖3，導(dǎo)電線350可以包括第一豎直延長線至第(M+1)豎直延長線410以及第一水平延長線至第(L+1)水平延長線430。第一豎直延長線至第(M+1)豎直延長線410可以在第二方向上延伸，并且可以在第一方向上重復(fù)地布置。第一水平延長線至第(L+1)水平延長線430可以在第一方向上延伸，并且可以在第二方向上重復(fù)地布置。第一開口至第N開口之中的第K開口由第一豎直延長線至第(M+1)豎直延長線410之中的第G豎直延長線和第(G+1)豎直延長線410以及第一水平延長線至第(L+1)水平延長線430之中的第H水平延長線和第(H+1)水平延長線430來限定，其中，K為1與N之間的整數(shù)，G為1與M+1之間的整數(shù)，H為1與L+1之間的整數(shù)。

再次參照圖6，在示例實(shí)施例中，第一豎直延長線至第(M+1)豎直延長線410之中的第一豎直延長線410可以設(shè)置在第一區(qū)域VII的最外側(cè)，第一阻擋圖案445可以設(shè)置在第一豎直延長線410上。類似地，第二阻擋圖案455可以設(shè)置在第一豎直延長線至第(M+1)豎直延長線410之中的第二豎直延長線410上，第三阻擋圖案465可以設(shè)置在第一豎直延長線至第(M+1)豎直延長線410之中的第三豎直延長線410上。在示例實(shí)施例中，阻擋結(jié)構(gòu)450可以具有三個阻擋圖案，但是不限于此。在一些示例實(shí)施例中，例如，阻擋結(jié)構(gòu)450還可以包括至少一個或更多個阻擋圖案。此外，設(shè)置在第一區(qū)域VII中的導(dǎo)電線350可以具有三條豎直延長線410，但是不限于此。例如，導(dǎo)電線350還可以包括第一區(qū)域VII中的至少一條或更多條豎直延長線410。此外，如圖7中所示，可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)置第一阻擋圖案445、第二阻擋圖案455和第三阻擋圖案465，使得在導(dǎo)電線350上阻擋第二包封層370和375的泄漏。根據(jù)圖7，第一阻擋圖案445、第二阻擋圖案455和第三阻擋圖案465設(shè)置在彼此不相鄰的導(dǎo)電線350上。

如圖6中所示，在第一豎直延長線至第(M+1)豎直延長線410之中的第(M+1)豎直延長線410可以設(shè)置在第二區(qū)域VIII(例如，導(dǎo)電圖案470與導(dǎo)電線350疊置的區(qū)域)中，導(dǎo)電圖案470可以設(shè)置在第(M+1)豎直延長線410上。絕緣圖案490可以設(shè)置在導(dǎo)電圖案470上，使得導(dǎo)電圖案470的上表面的至少一部分被暴露。在示例實(shí)施例中，設(shè)置在第二區(qū)域VIII中的導(dǎo)電線350可以具有三條豎直延長線410，但是不限于此。在一些示例實(shí)施例中，例如，導(dǎo)電線350還可以包括第二區(qū)域VIII中的至少一條或更多條豎直延長線410。

外圍區(qū)域III還可以包括位于第一區(qū)域VII與第二區(qū)域VIII之間的第三區(qū)域IX。絕緣圖案490可以設(shè)置在導(dǎo)電線350上且在第三區(qū)域IX中，使得絕緣圖案490暴露第一豎直延長線至第(M+1)豎直延長線410之中的第G豎直延長線410的上表面的至少一部分，其中，G為1與M+1之間的整數(shù)。在示例實(shí)施例中，設(shè)置在第三區(qū)域IX中的導(dǎo)電線350可以具有三條豎直延長線410，但是不限于此。在一些示例實(shí)施例中，例如，導(dǎo)電線350還可以包括第三區(qū)域IX中的至少一條或更多條豎直延長線410。

參照圖3、圖6和圖8，導(dǎo)電線350的第一開口355可以包括第一開口至第N開口，其中，N為大于1的整數(shù)。第一開口至第N開口可以在第一方向和第二方向上規(guī)則地布置。導(dǎo)電線350可以通過第一開口至第N開口而空間地分開。這里，圍繞第一開口至第N開口之中的第K開口的導(dǎo)電線350包括與第K開口相鄰的第一邊緣部分910以及圍繞第一邊緣部分910的第二邊緣部分930，其中，K為1與N之間的整數(shù)。在示例實(shí)施例中，圖8中示出的第一開口355可以是第K開口。例如，在導(dǎo)電線350中，在第二方向上延伸的豎直延長線410可以是在第一豎直延長線至第(M+1)豎直延長線410之中的第G豎直延長線和第(G+1)豎直延長線410，在第一方向上延伸的水平延長線430可以是在第一水平延長線至第(L+1)水平延長線430之中的第H水平延長線和第(H+1)水平延長線430。即，第K開口可以由第G豎直延長線和第(G+1)豎直延長線410以及第H水平延長線和第(H+1)水平延長線430來限定。

絕緣圖案490可以設(shè)置在第一邊緣部分910和第二邊緣部分930中。例如，絕緣圖案490可以覆蓋第一邊緣部分910和第二邊緣部分930，使得第一邊緣部分910和第二邊緣部分930不暴露。此外，設(shè)置在第一邊緣部分910中的絕緣圖案490可以與設(shè)置在第二邊緣部分930中的絕緣圖案490分隔開。即，絕緣圖案490可以暴露導(dǎo)電線350的上表面的至少一部分。

此外，外圍區(qū)域III可以包括不透明區(qū)域XI和開口區(qū)域X。這里，設(shè)置導(dǎo)電線350的區(qū)域可以限定為不透明區(qū)域XI，開口355位于的區(qū)域可以限定為開口區(qū)域X。絕緣圖案490可以與不透明區(qū)域XI的至少一部分以及開口區(qū)域X的至少一部分疊置。

可選擇地，絕緣圖案490可以覆蓋第一開口至第N開口之中的第K開口的側(cè)壁部分和邊緣部分，并且可以覆蓋圍繞第K開口的導(dǎo)電線350的側(cè)壁部分和邊緣部分，其中，K為1與N之間的整數(shù)。

圖9和圖10是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的顯示裝置中包括的導(dǎo)電線的平面圖。除了開口357和359的形狀以外，圖9和圖10中所示的顯示裝置中包括的導(dǎo)電線352和354可以具有與參照圖2和圖3描述的顯示裝置100中包括的導(dǎo)電線350的構(gòu)造基本相同或類似的構(gòu)造。在圖9和圖10中，將省略針對與參照圖2和圖3描述的元件基本相同或類似的元件的詳細(xì)描述。

參照圖3和圖9，如圖3中所示，導(dǎo)電線350的第一開口355可以包括第一開口至第N開口。第一開口至第N開口可以在第一方向和第二方向上規(guī)則地布置。導(dǎo)電線350可以通過第一開口至第N開口而空間地分開，并且可以具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。例如，可以整體地形成圖3中示出的導(dǎo)電線350的第二方向上重復(fù)地布置的第一開口355。在示例實(shí)施例中，如圖9中所示，導(dǎo)電線352可以具有包括多個開口357的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。位于顯示裝置后面的對象的圖像可以透過開口357。一個開口357可以在第二方向上延伸，在平面圖中開口357可以具有條狀。

參照圖3和圖10，導(dǎo)電線350的第一開口355可以包括第一開口至第N開口。第一開口至第N開口可以在第一方向和第二方向上規(guī)則地布置。導(dǎo)電線350可以通過第一開口至第N開口而空間地分開，并且可以具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。例如，可以整體地形成圖3中示出的導(dǎo)電線350的第一方向上重復(fù)地布置的第一開口355。在示例實(shí)施例中，如圖10中所示，導(dǎo)電線354可以具有包括多個開口359的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。位于顯示裝置后面的對象的圖像可以透過開口359。一個開口359可以在第一方向上延伸，在平面圖中，開口359可以具有條狀。

圖11至圖16是示出根據(jù)示例實(shí)施例的制造顯示裝置的方法的剖視圖。

參照圖11，可以在基底510上在子像素區(qū)域IV中形成有源層530?？梢酝ㄟ^使用石英基底、合成石英基底、氟化鈣基底、氟摻雜石英基底、堿石灰基底、無堿基底等來形成基底510?？蛇x擇地，可以在基底510上形成緩沖層。緩沖層可以在基底510上沿著第一方向從外圍區(qū)域III延伸到像素區(qū)域II。即，可以在整個基底510上形成緩沖層。緩沖層可以防止金屬原子和/或雜質(zhì)從基底510擴(kuò)散。可以在基底510上在子像素區(qū)域IV中形成有源層530。可以通過使用氧化物半導(dǎo)體、無機(jī)半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體等來形成有源層530?？梢栽诨?10上形成柵極絕緣層550。柵極絕緣層550可以覆蓋有源層530，并且可以在基底510上沿著第一方向延伸?？梢栽谡麄€基底510上在外圍區(qū)域III和像素區(qū)域II中形成柵極絕緣層550。在示例實(shí)施例中，柵極絕緣層550可以充分覆蓋有源層530，并且可以具有圍繞有源層530的基本平坦的表面而沒有臺階?？梢酝ㄟ^使用硅化合物、金屬氧化物等來形成柵極絕緣層550?？梢栽跂艠O絕緣層550上形成柵電極570。可以在柵極絕緣層550的一部分上形成柵電極570，以與有源層530疊置?？梢酝ㄟ^使用金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等來形成柵電極570。可以在柵電極570上形成絕緣間層590。絕緣間層590可以覆蓋柵電極570，并且可以在柵極絕緣層550上沿著第一方向延伸。可以在整個基底510上在像素區(qū)域II和外圍區(qū)域III中形成絕緣間層590。在示例實(shí)施例中，絕緣間層590可以充分覆蓋柵電極570，并且可以具有圍繞柵電極570的基本平坦的表面而沒有臺階?？梢酝ㄟ^使用硅化合物、金屬氧化物等來形成絕緣間層590。

參照圖12，在子像素區(qū)域IV中，可以在絕緣間層590上形成源電極610和漏電極630。源電極610可以經(jīng)由通過去除柵極絕緣層550和絕緣間層590的一部分而形成的接觸孔來與有源層530的第一側(cè)接觸。漏電極630可以經(jīng)由通過去除柵極絕緣層550和絕緣間層590的第二部分而形成的接觸孔來與有源層530的第二側(cè)接觸。

在外圍區(qū)域III中，可以在絕緣間層590上形成導(dǎo)電線750。導(dǎo)電線750可以具有包括多個開口755的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。位于顯示裝置后面的對象的圖像可以透過開口755。

導(dǎo)電線750、源電極610和漏電極630中的每個可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等。例如，可以通過使用Al、鋁合金、AlN_x、Ag、銀合金、W、WN_x、Cu、銅合金、Ni、Cr、CrN_x、Mo、鉬合金、Ti、TiN_x、Pt、Ta、TaN_x、Nd、Sc、SRO、ZnO_x、SnO_x、InO_x、GaO_x、ITO、IZO等來形成導(dǎo)電線750、源電極610和漏電極630中的每個。這些可以單獨(dú)或以其適當(dāng)?shù)慕M合使用。可以通過使用相同的材料來同時地形成導(dǎo)電線750、源電極610和漏電極630。因此，可以形成包括有源層530、柵電極570、源電極610和漏電極630的半導(dǎo)體元件650。

參照圖13，可以在源電極610和漏電極630上在外圍區(qū)域III的一部分和像素區(qū)域II中形成平坦化層670。平坦化層670可以在外圍區(qū)域III的一部分和像素區(qū)域II中覆蓋源電極610和漏電極630，并且可以在基底510上在外圍區(qū)域III的一部分中沿著第一方向延伸。即，可以在像素區(qū)域II中在整個基底510上形成平坦化層670。在示例實(shí)施例中，平坦化層670可以充分覆蓋源電極610和漏電極630，并且可以具有圍繞源電極610和漏電極630的基本平坦的表面而沒有臺階?？梢酝ㄟ^使用硅化合物、金屬氧化物等來形成平坦化層670。

可以在平坦化層670上形成下電極690和導(dǎo)電圖案870。下電極690可以經(jīng)由通過去除平坦化層670的一部分而形成的接觸孔來與源電極610接觸。

可以在平坦化層670的一部分和導(dǎo)電線750的一部分上在外圍區(qū)域III中形成導(dǎo)電圖案870。導(dǎo)電圖案870可以與下電極690分隔開，并且可以在外圍區(qū)域III中沿著平坦化層670和導(dǎo)電線750的輪廓形成為基本均勻的厚度。

導(dǎo)電圖案870可以具有多個開口875。例如，導(dǎo)電圖案870可以與導(dǎo)電線750的至少一部分疊置。在導(dǎo)電圖案870與導(dǎo)電線750疊置的部分中，導(dǎo)電線750的開口755與導(dǎo)電圖案870的開口875可以基本疊置，導(dǎo)電圖案870可以圍繞導(dǎo)電線750。在疊置的部分中，由于導(dǎo)電圖案870圍繞導(dǎo)電線750，因此位于導(dǎo)電圖案870與導(dǎo)電線750疊置的部分中的開口875的尺寸可以比位于導(dǎo)電圖案870與導(dǎo)電線750不疊置的部分中的開口755的尺寸小。具體地講，導(dǎo)電圖案870可以覆蓋在疊置部分中的導(dǎo)電線750的上表面、導(dǎo)電線750的側(cè)壁部分以及導(dǎo)電線750的邊緣部分，并且可以暴露開口875。

下電極690和導(dǎo)電圖案870中的每個可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等。例如，可以通過使用Al、鋁合金、AlN_x、Ag、銀合金、W、WN_x、Cu、銅合金、Ni、Cr、CrN_x、Mo、鉬合金、Ti、TiN_x、Pt、Ta、TaN_x、Nd、Sc、SRO、ZnO_x、SnO_x、InO_x、GaO_x、ITO、IZO等來形成下電極690和導(dǎo)電圖案870中的每個。這些可以單獨(dú)使用或以其適當(dāng)?shù)慕M合使用。可以通過使用相同的材料來同時地形成下電極690和導(dǎo)電圖案870。

參照圖14，在像素區(qū)域II中，可以將像素限定層710形成為在平坦化層670上在子像素區(qū)域IV中暴露下電極690的一部分，并且在平坦化層670上在透明區(qū)域V中暴露平坦化層670的一部分?？梢栽谙码姌O690在子像素區(qū)域IV中暴露的部分中形成發(fā)光層，透明窗口725可以位于平坦化層670在透明區(qū)域V中暴露的部分中。

可以在導(dǎo)電線750上在外圍區(qū)域III中形成絕緣圖案890。絕緣圖案890可以覆蓋在第一區(qū)域(例如，導(dǎo)電圖案870未形成在導(dǎo)電線750上的區(qū)域)中形成的導(dǎo)電線750的邊緣部分和兩個側(cè)壁部分。即，絕緣圖案890可以暴露位于第一區(qū)域中的導(dǎo)電線750的上表面中的每個的至少一部分。換句話講，絕緣圖案890可以覆蓋位于第一區(qū)域中的一個開口755的側(cè)壁部分和邊緣部分，并且可以覆蓋圍繞開口755的導(dǎo)電線750的側(cè)壁部分和邊緣部分。同時，絕緣圖案890(例如，絕緣圖案890形成在第二區(qū)域中的附加絕緣圖案)可以覆蓋形成在不同于第一區(qū)域的第二區(qū)域(例如，導(dǎo)電線750與導(dǎo)電圖案870疊置的區(qū)域)中的導(dǎo)電圖案870(其中，導(dǎo)電線750位于導(dǎo)電圖案870的下面)的邊緣部分和兩個側(cè)壁部分。即，絕緣圖案890(或附加絕緣圖案)可以暴露第二區(qū)域中形成的導(dǎo)電圖案870的上表面中的每個的至少一部分。換句話講，絕緣圖案890(或附加絕緣圖案)可以覆蓋位于第二區(qū)域中的一個開口875的側(cè)壁部分和邊緣部分，并且可以覆蓋圍繞開口875的導(dǎo)電圖案870的側(cè)壁部分和邊緣部分。

可以在導(dǎo)電線750的最外側(cè)(例如，第一區(qū)域的最外側(cè))形成阻擋結(jié)構(gòu)850。可以在導(dǎo)電線750的上表面上形成阻擋結(jié)構(gòu)850。此外，可以使阻擋結(jié)構(gòu)850與覆蓋導(dǎo)電線750的邊緣部分的絕緣圖案890分隔開，其中，阻擋結(jié)構(gòu)850形成在導(dǎo)電線750的上方。即，盡管絕緣圖案890和阻擋結(jié)構(gòu)850形成在導(dǎo)電線750中，但是形成絕緣圖案890和導(dǎo)電線750處的導(dǎo)電線750的上表面的至少一部分可以被暴露。此外，阻擋結(jié)構(gòu)850可以具有預(yù)定的高度。

阻擋結(jié)構(gòu)850、像素限定層710和絕緣圖案890中的每個可以包括無機(jī)材料。例如，可以通過使用SiO_x、SiN_x、SiO_xN_y、SiO_xC_y、SiC_xN_y等來形成阻擋結(jié)構(gòu)850、像素限定層710和絕緣圖案890中的每個。另一方面，阻擋結(jié)構(gòu)850、像素限定層710和絕緣圖案890中的每個可以包括有機(jī)材料。可以通過使用聚酰亞胺類樹脂、光致抗蝕劑、丙烯酰類樹脂、聚酰胺類樹脂、硅氧烷類樹脂等來形成阻擋結(jié)構(gòu)850、像素限定層710和絕緣圖案890中的每個。在示例實(shí)施例中，阻擋結(jié)構(gòu)850、像素限定層710和絕緣圖案890中的每個可以包括有機(jī)材料?？梢酝ㄟ^使用相同的材料來同時形成阻擋結(jié)構(gòu)850、像素限定層710和絕緣圖案890。當(dāng)同時形成阻擋結(jié)構(gòu)850、像素限定層710和絕緣圖案890時，可以在預(yù)備像素限定層形成在基底510上之后通過使預(yù)備像素限定層圖案化來形成阻擋結(jié)構(gòu)850、絕緣圖案890和像素限定層710。此外，可以在阻擋結(jié)構(gòu)850上附加地形成間隔件，以獲得能夠阻擋包封層泄漏的預(yù)定高度。

參照圖15，可以在下電極690的至少一部分上形成發(fā)光層730。可以根據(jù)子像素使用能夠生成不同顏色的光(例如，紅色的光、藍(lán)色的光、綠色的光等)的發(fā)光材料中的至少一種來形成發(fā)光層730?？蛇x擇地，通常可以通過堆疊能夠生成不同顏色的光(諸如，紅色的光、綠色的光、藍(lán)色的光等)的多個發(fā)光材料來使發(fā)光層730生成白色的光。

可以在像素限定層710、發(fā)光層730以及導(dǎo)電圖案870的一部分上形成上電極740，并且可以不在透明區(qū)域V中形成上電極740。在示例實(shí)施例中，在形成透明窗口725之后，可以在透明窗口725的內(nèi)部形成有機(jī)層。當(dāng)在透明窗口725的內(nèi)部形成有機(jī)層時，可以不在形成上電極740的工藝中形成有機(jī)層的區(qū)域中形成上電極740。即，通過使用有機(jī)層來控制形成上電極740的區(qū)域。上電極740可以在除了透明區(qū)域V之外的像素區(qū)域II中覆蓋像素限定層710和發(fā)光層730，并且可以在基底510上沿著第一方向延伸。由于上電極740未形成在透明區(qū)域V中，因此可以增大顯示裝置的像素區(qū)域II的透射率?？梢酝ㄟ^使用金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等來形成上電極740。這些可以單獨(dú)使用或者以其適當(dāng)?shù)慕M合使用。此外，有機(jī)層可以包括鋰喹啉(LiQ)。LiQ對于金屬可以具有低的粘合強(qiáng)度并且可以是透明的?？梢允股想姌O740與導(dǎo)電圖案870電接觸。

參照圖16，可以在上電極740、導(dǎo)電圖案870和導(dǎo)電線750上形成包封結(jié)構(gòu)800。包封結(jié)構(gòu)800可以包括至少一個第一包封層785和至少一個第二包封層770。例如，可以在第一包封層785上形成第二包封層770?？梢越惶娴夭⒅貜?fù)地布置第一包封層785和第二包封層770。在示例實(shí)施例中，可以在上電極740、導(dǎo)電圖案870、導(dǎo)電線750、絕緣圖案890和阻擋結(jié)構(gòu)850上形成第一包封層785。第一包封層785可以覆蓋上電極740、導(dǎo)電圖案870、導(dǎo)電線750、絕緣圖案890和阻擋結(jié)構(gòu)850，并且可以沿著上電極740、導(dǎo)電圖案870、導(dǎo)電線750、絕緣圖案890和阻擋結(jié)構(gòu)850的輪廓形成為基本均勻的厚度。第一包封層785可以防止顯示結(jié)構(gòu)由于濕氣、水、氧等的滲入而劣化。此外，第一包封層785可以保護(hù)顯示結(jié)構(gòu)不受外部沖擊的影響?？梢酝ㄟ^使用無機(jī)材料來形成第一包封層785。

可以在第一包封層785上在外圍區(qū)域III的一部分和像素區(qū)域II中形成第二包封層770。第二包封層770可以改善顯示裝置100的平坦度，并且可以保護(hù)像素區(qū)域II中的顯示結(jié)構(gòu)?？梢酝ㄟ^使用有機(jī)材料來形成第二包封層770。

可以在外圍區(qū)域III中形成的第一包封層785和第二包封層770上形成第一包封層790。第一包封層790可以覆蓋在外圍區(qū)域III中形成的第一包封層785和第二包封層770，并且可以沿著在外圍區(qū)域III中形成的第一包封層785和第二包封層770的輪廓形成為基本均勻的厚度。第一包封層790與第一包封層785和第二包封層770一起可以防止顯示結(jié)構(gòu)由于濕氣、水、氧等的滲入而劣化。此外，第一包封層790與第一包封層785和第二包封層770一起可以保護(hù)顯示結(jié)構(gòu)不受外部沖擊的影響。可以通過使用無機(jī)材料來形成第一包封層790。

可以在第一包封層790上在外圍區(qū)域III的一部分和像素區(qū)域II中形成第二包封層775。第二包封層775可以執(zhí)行與第二包封層770基本相同或類似的功能，第二包封層775可以包括與第二包封層770的材料基本相同或類似的材料?？梢栽诘诙鈱?75上形成第一包封層795。第一包封層795可以執(zhí)行與第一包封層785和790的功能基本相同或類似的功能，第一包封層795可以包括與第一包封層785和790的材料基本相同或類似的材料。

本發(fā)明可以應(yīng)用于包括顯示裝置的各種顯示裝置。例如，本發(fā)明可以應(yīng)用于車輛顯示裝置、船舶顯示裝置、飛機(jī)顯示裝置、便攜式通信裝置、用于顯示或用于信息傳送的顯示裝置、醫(yī)療顯示裝置等。

前述是示例實(shí)施例的舉例說明，并且不應(yīng)被解釋為限制示例實(shí)施例。雖然已經(jīng)描述了一些示例性實(shí)施例，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易理解的是，在實(shí)質(zhì)上不脫離本發(fā)明構(gòu)思的新穎教導(dǎo)和優(yōu)點(diǎn)的情況下，可以在示例實(shí)施例中進(jìn)行許多修改。因此，所有這樣的修改意圖被包括在如權(quán)利要求中限定的本發(fā)明構(gòu)思的范圍內(nèi)。因此，要理解的是，前述是各種示例實(shí)施例的舉例說明，且不被解釋為局限于公開的特定示例實(shí)施例，對公開的示例實(shí)施例的修改以及其他示例實(shí)施例意圖包括在所附權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。